用于制造碳化硅器件的方法技术

一种形成半导体结构体的方法，所述方法包括：在碳化硅(SiC)器件的制造中提供非平面的表面；在所述非平面的表面上沉积可回流的介电材料；以及加热所述可回流的介电材料至一定温度并且达一定时间，所述温度和时间足以引起所述可回流的介电材料的回流，并且由此提供包含基本上平面的表面的介电层，其中所述介电层基本上不含空隙。本上不含空隙。本上不含空隙。

【技术实现步骤摘要】
用于制造碳化硅器件的方法


[0001]本公开涉及一种用于制造碳化硅(SiC)器件的方法。

技术介绍

[0002]SiC是一种新兴的半导体材料，其良好地适合于功率电子设备和需要承受恶劣环境条件的电子设备。SiC是与硅(Si)实质上不同的半导体材料。从器件制造的角度看，SiC和Si之间的关键区别在于掺杂剂在这些材料中的扩散。直到温度超过大约1800摄氏度时，掺杂剂才开始在SiC中大量扩散；相比之下，当温度超过大约750摄氏度时，掺杂剂开始在Si中扩散。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种利用扩散系数在SiC与Si之间的大差异来制造碳化硅器件的方法，如所附权利要求所述。
附图说明
[0004]现在将参照附图仅以举例的方式描述本专利技术的实施方案，其中：
[0005]图1示出了待填充和平面化(planarization，平坦化)的表面形貌的总体形状；
[0006]图2示出了在回流之前在可回流的电介质的第一次沉积之后的表面状态；
[0007]图3示出了第一层可回流的电介质的退火/回流之后的表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构体的方法，所述方法包括：在碳化硅(SiC)器件的制造中提供非平面的表面；在所述非平面的表面上沉积可回流的介电材料；以及加热所述可回流的介电材料至一定温度并且达一定时间，所述温度和时间足以引起所述可回流的介电材料的回流，并且由此提供包含基本上平面的表面的介电层，其中所述介电层基本上不含空隙。2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括多个所述沉积步骤和加热步骤以引起回流。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述非平面的表面包含SiC衬底中的至少一个沟槽。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非平面的表面包含在SiC器件加工期间产生的非平面的形貌。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度在750℃至1350℃的范围内。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述可回流的介电材料包括硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述BPSG包含0至12重量％的硼和0.1至12重量％的磷。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述可回流的介电材料包括磷硅酸盐玻璃(PSG)。9.根据权利要求1所述的方法，其中沉积介电材料的所述步骤包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：XFAB德州公司，
类型：发明
国别省市：