温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成半导体结构体的方法，所述方法包括：在碳化硅(SiC)器件的制造中提供非平面的表面；在所述非平面的表面上沉积可回流的介电材料；以及加热所述可回流的介电材料至一定温度并且达一定时间，所述温度和时间足以引起所述可回流的介电材料的回流，并且...
该专利属于X-FAB德州公司所有，仅供学习研究参考，未经过X-FAB德州公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。