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提供了一种用于监测半导体晶片的激光退火的方法。在退火后，捕获晶片的许多区域的图像。这些区域的表面亮度由计算机进行测量，并且确定这些表面亮度测量的统计量，诸如它们的平均值和它们的标准差。使用退火的晶片的表面亮度与电阻之间的相关性，表面亮度统计...
该专利属于X-FAB德州公司所有，仅供学习研究参考，未经过X-FAB德州公司授权不得商用。

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