铝电解电容器用电极的制造方法技术

在铝电解电容器用电极的第一制造方法中，作为化学转化处理工序(ST14)的前处理工序，具有水合处理工序(ST11)、热处理工序(ST12)、热处理后水合处理工序(ST13)。在水合处理工序(ST11)中，将铝电极(1)浸渍于70℃以上的纯水中，从而在铝电极(1)上形成水合被膜。在热处理工序(ST12)中，在温度为300℃以上600℃以下的气氛中对铝电极(1)进行加热而脱水。在热处理后水合处理工序(ST13)中，将铝电极(1)浸渍于在纯水中配合有水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中。在热处理后水合处理工序(ST13)中，配合在纯水中的水合抑制剂例如为磷酸或其盐。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铝电解电容器用电极的制造方法
本专利技术涉及对铝电极进行化学转化的铝电解电容器用电极的制造方法。
技术介绍
在铝电解电容器用电极的制造方法中，已知在化学转化处理工序之前，进行将铝电极浸渍于70℃～100℃的纯水中而形成水合被膜的水合处理工序。这是因为：如果这样操作，在化学转化处理工序中，水合被膜中的假勃姆石等脱水，转换成化学转化被膜时，能够得到结晶性高的化学转化被膜。结晶性高的化学转化被膜的静电电容高。另外，当水合被膜中的假勃姆石的量多时，在之后的化学转化处理工序中，能够得到高的被膜耐电压。在如此的制造方法中，不变更化学转化电压而想要进一步提高被膜耐电压时，需要增加假勃姆石的量。为了增加假勃姆石的量，延长在纯水中浸渍铝电极的浸渍时间，使水合被膜的厚度增大。然而，若使水合被膜的厚度增大，则在铝电极的多孔质层中会发生因水合被膜所导致的堵塞。若发生堵塞，则在堵塞部分中表面积降低，有静电电容降低的问题。另外，若发生堵塞，则由于电解液不浸透到堵塞部分，所述不适当地形成化学转化被膜，有化学转化被膜的耐水合性降低的问题。因此，延长在纯水中的浸渍时间而使假勃姆石的量增加是有限度。其中，专利文献1公开了一种铝电解电容器用电极的制造方法，其在水合处理工序与化学转化处理工序之间，依次重复多次热处理工序和水合处理工序。在热处理工序中，在100℃～600℃的气氛中对铝电极进行加热而脱水。在加热处理工序之后的水合处理工序中，将铝电极浸渍在90℃的纯水中10分钟。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-347681号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题利用专利文献1的铝电解电容器用电极的制造方法，能够减少泄漏电流，因此，被膜耐电压变高。然而，在该制造方法中，当重复多次在300℃～600℃的气氛中进行加热的热处理工序和水合处理工序时，化学转化后的铝电极的静电电容降低，在低于600V时，静电电容的降低显著。另外，即使为600V以上，静电电容的降低也大到无法忽视的程度。鉴于以上的问题，本专利技术所要解决的技术问题在于：提供一种铝电解电容器用电极的制造方法，其能够增加水合被膜中的假勃姆石的量，因此能够提高被膜耐电压，也能够抑制静电电容的降低。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的专利技术人得到以下的见解：在水合处理工序与化学转化处理工序之间进行热处理工序和水合处理工序时，静电电容降低的理由是因为：通过热处理工序而铝电极的表面变得非常活性，所以在之后进行水合处理工序时，水合反应爆发地进行，水合被膜掩埋多孔质层的凹坑。本专利技术基于上述见解。为了解决上述技术问题，本专利技术的铝电解电容器用电极的制造方法的特征在于，具有：第一水合处理工序，其将多孔性的铝电极浸渍于70℃以上的纯水中，从而在该铝电极上形成水合被膜；热处理工序，其在温度为300℃以上且600℃以下的气氛中对上述铝电极进行加热；第二水合处理工序，其将上述铝电极浸渍于在纯水中配合有第一水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中；和，化学转化处理工序，其对上述铝电极进行化学转化处理。根据本专利技术，在热处理工序之后进行的第二水合处理工序中，在水合处理溶液中配合有水合抑制剂。由此，能够在第二水合处理工序中抑制水合反应的爆发性进行，因此能够防止或抑制多孔性的铝电极的凹坑被水合被膜所掩埋。因此，在多孔性的铝电极中，能够防止或抑制因凹坑的堵塞而表面积降低。另外，在第二水合处理工序中，由于在水合处理溶液中配合有水合抑制剂，铝电极上所形成的水合被膜的厚度几乎不增加，其密度增加，假勃姆石的量增加。因此，能够防止或抑制化学转化处理后的静电电容的降低。进一步而言，在第二水合处理工序中，由于一边抑制水合被膜的厚度的增加，一边因密度的增加而水合被膜变致密，所以化学转化处理后的被膜耐电压变高。在本专利技术中，在上述第一水合处理工序与上述化学转化处理工序之间，也可以依次重复多次上述热处理工序与上述第二水合处理工序。在本专利技术中，上述第一水合抑制剂为磷酸或其盐、硅酸或其盐、铝酸盐、碳原子数为3以上的糖或碳原子数为3以上的糖醇或者碳原子数为3以上的有机酸或其盐。在该情况下，在上述化学转化处理工序中，在包含硼酸或其盐的化学转化液中对上述铝电极进行化学转化处理时，上述第一水合抑制剂希望为磷酸或其盐、硅酸或其盐或者铝酸盐。如此的话，能够减少被收进化学转化被膜中的硼量。在化学转化处理工序中，在不含硼酸或其盐的化学转化液中对铝电极进行化学转化处理时，没有此限制。在本专利技术中，上述第一水合抑制剂可以为磷酸或其盐。在本专利技术中，在上述第一水合处理工序与上述热处理工序之间，希望具有第三水合处理工序，该第三水合处理工序将上述铝电极浸渍于在纯水中配合有第二水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中。若具有第三水合处理工序，则由于水合被膜变致密，所以防止多孔性的铝电极的凹坑被掩埋的效果变高。因此，防止静电电容的降低的效果升高，更容易提高被膜耐电压。在本专利技术中，上述第二水合抑制剂可以为磷酸或其盐、硅酸或其盐、铝酸盐、碳原子数为3以上的糖或碳原子数为3以上的糖醇或者碳原子数为3以上的有机酸或其盐。在该情况下，在上述化学转化处理工序中，在包含硼酸或其盐的化学转化液中对上述铝电极进行化学转化处理时，上述第一水合抑制剂希望为磷酸或其盐、硅酸或其盐或者铝酸盐，上述第二水合抑制剂希望为磷酸或其盐、硅酸或其盐或者铝酸盐。如此的话，能够减少被收进化学转化被膜中的硼量。在化学转化处理工序中，在不含硼酸或其盐的化学转化液中对铝电极进行化学转化处理时，没有此限制。在本专利技术中，上述第二水合抑制剂可以为磷酸或其盐。在本专利技术中，在上述化学转化处理工序中，可以以600V以上的化学转化电压对上述铝电极进行化学转化处理。根据本专利技术，利用该化学转化电压进行化学转化处理时，能够表现高的静电电容。在本专利技术中，在上述化学转化处理工序中，可以以200V以上且低于600V的化学转化电压对上述铝电极进行化学转化处理。根据本专利技术，利用该化学转化电压进行化学转化处理时，也能够表现高的静电电容。另外，如此的话，容易提高被膜耐电压。专利技术效果根据本专利技术，在热处理工序之后所进行的第二水合处理工序中，由于在水合处理溶液中配合有水合抑制剂，所以能够抑制水合反应的爆发地进行。由此，能够防止或抑制多孔性的铝电极的凹坑被水合被膜所掩埋。因此，能够防止或抑制多孔性的铝电极的表面积降低。另外，在第二水合处理工序中，铝电解所形成的水合被膜的厚度几乎不增加，其密度增加，假勃姆石的量增加。因此，能够防止或抑制化学转化处理后的静电电容的降低。进一步而言，在第二水合处理工序中，由于能够抑制水合被膜的厚度的增加，通过密度的增加而水合被膜变致密，所以化学转化处理后的被膜耐电压变高。附图说明图1是铝电解电容器用电极的第一制造方法的流程图。图2是铝电解电容器用电极的第二制造方法的流程图。图3是化学转化处理工序的说明图。图4是在实施例1～5、比较例1、2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于，具有：/n第一水合处理工序，其将多孔性的铝电极浸渍于70℃以上的纯水中，从而在该铝电极上形成水合被膜；/n热处理工序，其在温度为300℃以上且600℃以下的气氛中对所述铝电极加热；/n第二水合处理工序，其将所述铝电极浸渍于在纯水中配合有第一水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中；和/n化学转化处理工序，其对所述铝电极进行化学转化处理。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180517 JP 2018-0953221.一种铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于，具有：
第一水合处理工序，其将多孔性的铝电极浸渍于70℃以上的纯水中，从而在该铝电极上形成水合被膜；
热处理工序，其在温度为300℃以上且600℃以下的气氛中对所述铝电极加热；
第二水合处理工序，其将所述铝电极浸渍于在纯水中配合有第一水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中；和
化学转化处理工序，其对所述铝电极进行化学转化处理。


2.如权利要求1所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
在所述第一水合处理工序与所述化学转化处理工序之间，依次重复多次所述热处理工序和所述第二水合处理工序。


3.如权利要求1或2所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
所述第一水合抑制剂为磷酸或其盐、硅酸或其盐、铝酸盐、碳原子数为3以上的糖或碳原子数为3以上的糖醇或者碳原子数为3以上的有机酸或其盐。


4.如权利要求3所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
所述第一水合抑制剂为磷酸或其盐、硅酸或其盐或者铝酸盐，
在所述化学转化处理工序中，在包含硼酸或其盐的化学转化液中对所述铝电极进行化学转化处理。


5.如权利要求3或4所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
所述第一水合抑制剂为磷酸或其盐。

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【专利技术属性】
技术研发人员：清水裕太，榎修平，白井麻美，片野雅彦，
申请(专利权)人：日本轻金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP