铝电解电容器用电极的制造方法技术

在铝电解电容器用电极的第一制造方法中，作为化学转化处理工序(ST14)的前处理工序，具有水合处理工序(ST11)、热处理工序(ST12)、热处理后水合处理工序(ST13)。在水合处理工序(ST11)中，将铝电极(1)浸渍于70℃以上的纯水中，从而在铝电极(1)上形成水合被膜。在热处理工序(ST12)中，在温度为300℃以上600℃以下的气氛中对铝电极(1)进行加热而脱水。在热处理后水合处理工序(ST13)中，将铝电极(1)浸渍于在纯水中配合有水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中。在热处理后水合处理工序(ST13)中，配合在纯水中的水合抑制剂例如为磷酸或其盐。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铝电解电容器用电极的制造方法
本专利技术涉及对铝电极进行化学转化的铝电解电容器用电极的制造方法。
技术介绍
在铝电解电容器用电极的制造方法中，已知在化学转化处理工序之前，进行将铝电极浸渍于70℃～100℃的纯水中而形成水合被膜的水合处理工序。这是因为：如果这样操作，在化学转化处理工序中，水合被膜中的假勃姆石等脱水，转换成化学转化被膜时，能够得到结晶性高的化学转化被膜。结晶性高的化学转化被膜的静电电容高。另外，当水合被膜中的假勃姆石的量多时，在之后的化学转化处理工序中，能够得到高的被膜耐电压。在如此的制造方法中，不变更化学转化电压而想要进一步提高被膜耐电压时，需要增加假勃姆石的量。为了增加假勃姆石的量，延长在纯水中浸渍铝电极的浸渍时间，使水合被膜的厚度增大。然而，若使水合被膜的厚度增大，则在铝电极的多孔质层中会发生因水合被膜所导致的堵塞。若发生堵塞，则在堵塞部分中表面积降低，有静电电容降低的问题。另外，若发生堵塞，则由于电解液不浸透到堵塞部分，所述不适当地形成化学转化被膜，有化学转化被膜的耐水合性降低的问题。因此，延长在纯水中的浸渍时间而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于，具有：/n第一水合处理工序，其将多孔性的铝电极浸渍于70℃以上的纯水中，从而在该铝电极上形成水合被膜；/n热处理工序，其在温度为300℃以上且600℃以下的气氛中对所述铝电极加热；/n第二水合处理工序，其将所述铝电极浸渍于在纯水中配合有第一水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中；和/n化学转化处理工序，其对所述铝电极进行化学转化处理。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180517 JP 2018-0953221.一种铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于，具有：
第一水合处理工序，其将多孔性的铝电极浸渍于70℃以上的纯水中，从而在该铝电极上形成水合被膜；
热处理工序，其在温度为300℃以上且600℃以下的气氛中对所述铝电极加热；
第二水合处理工序，其将所述铝电极浸渍于在纯水中配合有第一水合抑制剂的70℃以上的水合处理溶液中；和
化学转化处理工序，其对所述铝电极进行化学转化处理。


2.如权利要求1所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
在所述第一水合处理工序与所述化学转化处理工序之间，依次重复多次所述热处理工序和所述第二水合处理工序。


3.如权利要求1或2所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
所述第一水合抑制剂为磷酸或其盐、硅酸或其盐、铝酸盐、碳原子数为3以上的糖或碳原子数为3以上的糖醇或者碳原子数为3以上的有机酸或其盐。


4.如权利要求3所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
所述第一水合抑制剂为磷酸或其盐、硅酸或其盐或者铝酸盐，
在所述化学转化处理工序中，在包含硼酸或其盐的化学转化液中对所述铝电极进行化学转化处理。


5.如权利要求3或4所述的铝电解电容器用电极的制造方法，其特征在于：
所述第一水合抑制剂为磷酸或其盐。

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【专利技术属性】
技术研发人员：清水裕太，榎修平，白井麻美，片野雅彦，
申请(专利权)人：日本轻金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP