具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列制造技术

本公开涉及一种存储器设备，该存储器设备具有：成行和列的存储器单元；字线，将存储器单元行的控制栅极连接在一起；位线，将存储器单元列的漏极区电连接在一起；第一子源极线，每个第一子源极线将处于存储器单元行中的一个中和处于第一多个存储器单元列中的源极区电连接在一起；第二子源极线，每个第二子源极线将处于存储器单元行中的一个中和处于第二多个存储器单元列中的源极区电连接在一起；第一源极线和第二源极线；第一选择晶体管，每个第一选择晶体管连接在第一子源极线中的一个与第一源极线之间；第二选择晶体管，每个第二选择晶体管连接在第二子源极线中的一个与第二源极线之间；和选择晶体管线，每个选择晶体管线连接到第一选择晶体管中的一个以及第二选择晶体管中的一个的栅极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列相关专利申请本申请要求于2018年5月16日提交的美国临时申请62/672124号、于2018年5月18日提交的美国临时申请62/673633号以及于2018年7月23日提交的美国专利申请16/042000号的权益。
本专利技术涉及非易失性存储器阵列。
技术介绍
分裂栅极非易失性存储器单元和此类单元阵列是熟知的。例如，美国专利5,029,130(’130专利)公开了分裂栅极非易失性存储器单元阵列。存储器单元在图1中示出。每个存储器单元10包括形成于半导体衬底12中的源极区14和漏极区16，其间具有沟道区18。浮栅20形成在沟道区18的第一部分上方并且与其绝缘(并控制其电导率)，并且形成在漏极区16的一部分上方。控制栅极22具有第一部分22a和第二部分22b，该第一部分设置在沟道区18的第二部分上方并且与其绝缘(并且控制其电导率)，该第二部分22b沿着浮栅20向上并且在浮栅上方延伸。浮栅20和控制栅极22通过栅极氧化物26与衬底12绝缘。通过将高的正电压置于控制栅极22上，擦除存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n多个存储器单元，所述多个存储器单元以行和列配置在半导体衬底上，其中所述存储器单元中的每个存储器单元包括：/n源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区形成在所述衬底中，并且限定所述衬底的在所述源极区和所述漏极区之间延伸的沟道区；/n浮栅，所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并与其绝缘；/n控制栅，所述控制栅设置在所述沟道区的第二部分上方并与其绝缘；/n多条字线，每条字线将所述存储器单元的所述行中的一行的所述控制栅极电连接在一起；/n多条位线，每条位线将所述存储器单元的所述列中的一列的所述漏极区电连接在一起；/n多条第一子源极线，每条第一子源极线将处于所述存储器单元的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180516 US 62/672,124;20180518 US 62/673,633;20181.一种存储器设备，包括：
多个存储器单元，所述多个存储器单元以行和列配置在半导体衬底上，其中所述存储器单元中的每个存储器单元包括：
源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区形成在所述衬底中，并且限定所述衬底的在所述源极区和所述漏极区之间延伸的沟道区；
浮栅，所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并与其绝缘；
控制栅，所述控制栅设置在所述沟道区的第二部分上方并与其绝缘；
多条字线，每条字线将所述存储器单元的所述行中的一行的所述控制栅极电连接在一起；
多条位线，每条位线将所述存储器单元的所述列中的一列的所述漏极区电连接在一起；
多条第一子源极线，每条第一子源极线将处于所述存储器单元的所述行中的一行中并且处于所述存储器单元的第一多个列中的所述存储器单元的所述源极区电连接在一起；
多条第二子源极线，每条第二子源极线将处于所述存储器单元的所述行中的一行中并且处于所述存储器单元的第二多个列中的所述存储器单元的所述源极区电连接在一起，其中所述第一多个列与所述第二多个列不同；
第一源极线和第二源极线；
多个第一选择晶体管，每个第一选择晶体管连接在第一子源极线中的一条第一子源极线与所述第一源极线之间；
多个第二选择晶体管，每个第二选择晶体管连接在第二子源极线中的一条第二子源极线与所述第二源极线之间；
多条选择晶体管线，每条选择晶体管线连接到所述第一选择晶体管中的一个第一选择晶体管的栅极以及所述第二选择晶体管中的一个第二选择晶体管的栅极。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中对于所述选择晶体管线中的每条选择晶体管线，一个所述第一选择晶体管和一个所述第二选择晶体管连接到相同行的所述存储器单元的所述子源极线。


3.根据权利要求1所述的存储器设备，所述存储器设备还包括：
控制器，所述控制器被配置为通过以下方式对目标组的存储器单元执行擦除操作，所述目标组的存储器单元位于所述存储器单元的所述第一多个列中，连接到所述子源极线中的第一子源极线，并且连接到所述字线中的第一字线：
向所述第一字线施加正电压；
对于处于所述存储器单元的所述第二多个列中并且连接到所述第一字线的存储器单元，将正电压施加到所述选择晶体管线中的第一选择晶体管线，所述第一选择晶体管线连接到所述选择晶体管的所述栅极，所述选择晶体管连接在所述第二源极线与所述子源极线中的第二子源极线之间；以及
将正电压施加到所述第二源极线。


4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制器被配置为还通过向除所述选择晶体管线中的所述第一选择晶体管线之外的所述多个选择晶体管线施加低于所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管的阈值电压的电压来执行所述擦除操作。


5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：
所述第一子源极线中的每条第一子源极线将处于所述存储器单元的所述行中的第二行中并且处于所述存储器单元的所述第一多个列中的所述存储器单元的所述源极区电连接在一起；并且
所述第二子源极线中的每条第二子源极线将处于所述存储器单元的所述行中的第二行中并且处于所述存储器单元的所述第二多个列中的所述存储器单元的所述源极区电连接在一起。


6.根据权利要求1所述的存储器设备，所述存储器设备还包括：
多个第三选择晶体管，每个第三选择晶体管连接在第一子源极线中的一条第一子源极线与所述第一源极线之间；
多个第四选择晶体管，每个第四选择晶体管连接在第二子源极线中的一条第二子源极线与所述第二源极线之间。


7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：
对于所述第一子源极线中的每一条第一子源极线，由一个所述第一子源极线电连接在一起的所有的所述源极区用于仅处于所述存储器单元的所述行中的一行中的存储器单元；以及
对于所述第二子源极线中的每一条第二子源极线，由一个所述第二子源极线电连接在一起的所有的所述源极区用于仅处于所述存储器单元的所述行中的一行中的存储器单元。


8.根据权利要求1所述的存储器设备，所述存储器设备还包括：
多条第三子源极线，每条第三子源极线将处于所述存储器单元的所述行中的一行中并且处于所述存储器单元的第三多个列中的所述存储器单元的所述源极区电连接在一起；
多条第四子源极线，每条第四子源极线将处于所述存储器单元的所述行中的一行中并且处于所述存储器单元的第四多个列中的所述存储器单元的所述源极区电连接在一起，其中所述第一多个列、所述第二多个列、所述第三多个列和所述第四多个列彼此不同；
多个第三选择晶体管，每个第三选择晶体管连接在第三子源极线中的一条第三子源极线与所述第一源极线之间；
多个第四选择晶体管，每个第四选择晶体管连接在第四子源极线中的一条第四子源极线与所述第二源极线之间；
其中所述选择晶体管线中的每条选择晶体管线连接到所述第一选择晶体管中的一个第一选择晶体管的栅极、所述第二选择晶体管中的一个第二选择晶体管的栅极、所述第三选择晶体管中的一个第三选择晶体管的栅极和所述第四选择晶体管中的一个第四选择晶体管的栅极。


9.根据权利要求1所述的存储器设备，所述存储器设备还包括：
多条第三子源极线，每条第三子源极线将处于所述存储器单元的所述行中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁轩，杨任伟，吴满堂，N·多，H·V·特兰，
申请(专利权)人：硅存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US