【技术实现步骤摘要】
用于闪存中的抹除方法
本申请涉及一种闪存,尤指一种用于闪存中的抹除方法。
技术介绍
闪存包括各别的金属氧化半导体(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)场效晶体管记忆胞,其中每一个记忆胞包括源极,漏极,漂浮闸以及控制闸。为了作为记忆块抹除全部的晶体管记忆胞,为了读取晶体管记忆胞,为了验证晶体管记忆胞是经过抹除的(over-erased),或是为了验证晶体管记忆胞没有被过抹除等目的,各种不同的电压会被施加在控制闸上来将晶体管记忆胞编程为二进制的1或是0。来自过抹除晶体管记忆胞的漏电流这种不想要的效果将叙述如下。在一般闪存中,大量的晶体管记忆胞,例如512个晶体管记忆胞的漏极连接到每一条位线。如果大量的晶体管记忆胞在位在线汲取背景漏电流,所述位在线的总漏电流可能会超过记忆胞的读取电流。这会使得所述位在线的任何晶体管记忆胞都无法被读取,因此造成所述闪存无法运作。为了克服上述的问题,过抹除校正与验证流程与后过抹除校正与验证流程执行于晶体管记忆胞上,使得经过过抹除的晶体管记忆胞的位线的漏电流可以获得解决。然而,一些经过抹除的晶体管记忆胞可能会在过抹除校正与验证流程以及后过抹除校正与验证流程被执行后改变成欠抹除的(under-erased)晶体管记忆胞。参考图1,图1为一种传统抹除方法的流程图。传统抹除方法是用来使欠抹除的晶体管记忆胞在过抹除校正与验证流程以及后过抹除校正与验证流程被执行后经由执行步骤S15来被抹除。传统抹除方法执行于闪存中其包括内存管理器件以及内存模块,其中所述内存 ...
【技术保护点】
1.一种用于闪存中的抹除方法,其特征在于,所述闪存包括切分成多个内存扇区的至少一记忆块,包括:/n执行抹除与验证流程于所述记忆块上,并且如果所述记忆块是经过抹除的,将抹除旗标设为逻辑真值;/n执行过抹除校正与验证流程于所述记忆块上,如果所述抹除旗标为逻辑真值,将过抹除校正旗标设为逻辑真值且如果过抹除校正被执行于所述记忆块上,将内存扇区使能信号为设为有效,然后接着将所述抹除旗标与所述过抹除校正旗标两者皆重置为逻辑伪值;/n当所述内存扇区使能信号被设为有效时,依序执行所述抹除与验证流程于记忆块的内存扇区上,并且如果至少一所述内存扇区是经过抹除的,将所述抹除旗标设为逻辑真值;以及/n当所述内存扇区使能信号被设为有效且所述抹除旗标被设为逻辑真值时,依序执行所述过抹除校正与验证流程于记忆块的内存扇区上,如果所述过抹除校正被执行于至少一所述内存扇区上,将所述过抹除校正旗标设为逻辑真值,然后接着将所述抹除旗标与所述过抹除校正旗标两者皆重置为逻辑伪值。/n
【技术特征摘要】
20190221 US 16/281,5171.一种用于闪存中的抹除方法,其特征在于,所述闪存包括切分成多个内存扇区的至少一记忆块,包括:
执行抹除与验证流程于所述记忆块上,并且如果所述记忆块是经过抹除的,将抹除旗标设为逻辑真值;
执行过抹除校正与验证流程于所述记忆块上,如果所述抹除旗标为逻辑真值,将过抹除校正旗标设为逻辑真值且如果过抹除校正被执行于所述记忆块上,将内存扇区使能信号为设为有效,然后接着将所述抹除旗标与所述过抹除校正旗标两者皆重置为逻辑伪值;
当所述内存扇区使能信号被设为有效时,依序执行所述抹除与验证流程于记忆块的内存扇区上,并且如果至少一所述内存扇区是经过抹除的,将所述抹除旗标设为逻辑真值;以及
当所述内存扇区使能信号被设为有效且所述抹除旗标被设为逻辑真值时,依序执行所述过抹除校正与验证流程于记忆块的内存扇区上,如果所述过抹除校正被执行于至少一所述内存扇区上,将所述过抹除校正旗标设为逻辑真值,然后接着将所述抹除旗标与所述过抹除校正旗标两者皆重置为逻辑伪值。
2.根据权利要求1所述的抹除方法,其特征在于,所述至少一记忆块包括多个记忆块,且所述抹除与验证流程是被依序执行于所述记忆块上,其中地址是用来指示所述记忆块或所述内存扇区,在验证结果显示所述记忆块没有欠抹除的晶体管记忆胞,且如果至少一所述记忆块是经过抹除的,将所述抹除旗标设为逻辑真值后,所述地址是增加记忆块偏置值(blockoffset)。
3.根据权利要求2所述的抹除方法,其特征在于,如果所述抹除旗标为逻辑真值,所述过抹除校正与验证流程是被依序执行于所述记忆块上,如果过抹除校正被执行于至少一所述记忆块上,将所述过抹除校正旗标设为逻辑真值且将所述内存扇区使能信号设为有效,然后接着所述抹除旗标与所述过抹除校正旗标两者皆被重置为逻辑伪值。
4.根据权利要求2所述的抹除方法,其特征在于,所述抹除与验证流程执行于所述地址指示的记忆块的内存扇区上,在验证结果显示所述记忆块的内存扇区没有欠抹除的晶体管记忆胞,且如果至少一记忆块的内存扇区是经过抹除的,将所述抹除旗标设为逻辑真值后,所述地址增加扇区偏置值。
5.根据权利要求1所述的抹除方法,其特征在于,在所述抹除与验证流程于所述记忆块上被执行于所述记忆块上之前,预编程与验证流程被执行于所述记忆块上。
6.根据权利要求1所述的抹除方法,其特征在于,当所述记忆块或所述内存扇区没有欠抹除的晶体管记忆胞且所述抹除旗标为逻辑伪值,或所述记忆块没有过抹除的晶体管记忆胞且所述内存扇区使能信号没有被设为有效,或所述内存扇区没有过抹除的晶体管记忆胞且所述内存扇区使能信号被设为有效时,后过抹除校正与验证流程被执行于所述记忆块上。
7.一种用在闪存包括记忆块中的抹除方法,且每一所述记忆块被切分成多个内存扇区,其特征在于,包括:
根据内存扇区使能信号来依序执行抹除与验证流程于所述记忆块上或记忆块的内存扇区,并如果至少一所述记忆块或至少一所述内存扇区是经过抹除的,将抹除旗标设为逻辑真值;以及
如果所述抹除旗标为逻辑真值,根据所述内存扇区使能信号来依序执行过抹除校正与验证流程于所述记忆块上或记忆块的内存扇区,如果过抹除校正被执行于至少一所述记忆块上...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈致豪,
申请(专利权)人:晶豪科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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