【技术实现步骤摘要】
谐振器及其形成方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种谐振器及其形成方法。
技术介绍
随着移动通信技术的发展，移动数据传输量也迅速上升。因此，在频率资源有限以及应当使用尽可能少的移动通信设备的前提下，提高无线基站、微基站或直放站等无线功率发射设备的发射功率成了必须考虑的问题，同时，对移动通信设备前端电路中滤波器功率的要求也越来越高。目前，无线基站等设备中的大功率滤波器主要是以腔体滤波器为主，其功率可达上百瓦，另外，还有些设备中使用介质滤波器，其平均功率可达5瓦以上。但是，这两种滤波器的尺寸均较大，难以集成到射频前端芯片中。目前，基于半导体微加工工艺技术的薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，FBAR)能够很好地克服上述两种滤波器存在的缺陷。FBAR的工作频率高，所承受功率高和品质因数(Q值)高，体积小，有利于集成化，且FBAR还具有与硅片工艺兼容性好以及可靠性好等优点。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种谐振器及其形成方法，提升谐振器的性能。<...
【技术保护点】
1.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供第一衬底；/n在所述第一衬底上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括第一区域，所述压电叠层结构与所述第一衬底相接触的面为第一正面；/n在所述第一区域上形成覆盖所述压电叠层结构的牺牲层；/n提供第二衬底；/n在所述第二衬底上形成粘合层，所述粘合层与所述第二衬底相接触的面为第二正面，所述粘合层与所述第二正面相背的面为第二背面；/n将所述粘合层的第二背面贴合于所述牺牲层以及所述牺牲层暴露出的压电叠层结构上，使粘合层覆盖所述牺牲层的侧壁且填充于第二衬底与压电叠层结构之间；/n在实现所述贴合后，去除所述第一衬底，暴露出所述压电叠层结...
【技术特征摘要】
1.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括第一区域，所述压电叠层结构与所述第一衬底相接触的面为第一正面；
在所述第一区域上形成覆盖所述压电叠层结构的牺牲层；
提供第二衬底；
在所述第二衬底上形成粘合层，所述粘合层与所述第二衬底相接触的面为第二正面，所述粘合层与所述第二正面相背的面为第二背面；
将所述粘合层的第二背面贴合于所述牺牲层以及所述牺牲层暴露出的压电叠层结构上，使粘合层覆盖所述牺牲层的侧壁且填充于第二衬底与压电叠层结构之间；
在实现所述贴合后，去除所述第一衬底，暴露出所述压电叠层结构的第一正面；
形成贯穿所述压电叠层结构的释放孔，或者，形成贯穿所述第二衬底的释放孔，所述释放孔暴露出所述牺牲层；
通过所述释放孔去除所述牺牲层，形成空腔。
2.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在形成所述压电叠层结构的步骤中，所述压电叠层结构包括第一电极层、位于所述第一电极层上的压电层以及位于所述压电层上的第二电极层，所述第一电极层与所述第一衬底相接触的面为所述第一正面。
3.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成压电叠层结构后，在所述第一区域上形成覆盖所述压电叠层结构的牺牲层之前，所述谐振器的形成方法还包括：对所述第二电极层进行图形化处理，暴露出位于所述第一区域的部分压电层的顶面。
4.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成压电叠层结构之后，形成所述牺牲层之前，所述谐振器的形成方法还包括：在所述第一区域的压电叠层结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的底部暴露出所述第一电极层；
形成所述空腔后，所述第一沟槽的开口与所述空腔相连通。
5.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在去除所述第一衬底，暴露出所述压电叠层结构的第一正面之后，所述谐振器的形成方法还包括：在所述第一区域的压电叠层结构中形成第二沟槽，所述第二沟槽的底部暴露出所述第二电极层；
在形成所述空腔后，所述第二沟槽的开口背向所述空腔，所述第二沟槽与所述空腔由所述第二电极层相隔离。
6.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述粘合层的材料为可形变材料。
7.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述粘合层的材料包括干膜或粘片膜。
8.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，采用键合工艺，将所述粘合层的第二背面贴合于所述牺牲层以及所述牺牲层暴露出的压电叠层结构上。
9.如权利要求8所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述键合工艺的温度为50℃至300℃。
10.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，形成所述粘合层的步骤中，所述粘合层的厚度为0.5...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国煌，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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