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一种谐振器及其形成方法,谐振器的形成方法包括:在第一衬底上形成压电叠层结构,包括第一区域,压电叠层结构与第一衬底相接触的面为第一正面;在第一区域上形成覆盖压电叠层结构的牺牲层;提供第二衬底;在第二衬底上形成粘合层,粘合层与第二衬底相接触的面...该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司授权不得商用。
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一种谐振器及其形成方法,谐振器的形成方法包括:在第一衬底上形成压电叠层结构,包括第一区域,压电叠层结构与第一衬底相接触的面为第一正面;在第一区域上形成覆盖压电叠层结构的牺牲层;提供第二衬底;在第二衬底上形成粘合层,粘合层与第二衬底相接触的面...