全彩色Micro LED阵列结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种全彩色Micro LED阵列结构，包括一块驱动电路板和至少一个显示单元，显示单元通过电学连接结构与驱动电路板电性连接；显示单元包括由多个像素单元组成的像素单元阵列，像素单元包括LED外延片、制备在LED外延片上由多个Micro LED组成的Micro LED阵列和用于将相邻两个Micro LED隔离开的光隔离结构。本发明专利技术通过将多个像素单元组成面积较大的显示单元，利用现有LED贴片机或者SMT设备将显示单元转移到驱动电路板上，克服Micro LED因尺寸太小无法使用现有LED贴片机或者SMT设备的缺陷，并且本发明专利技术具有均匀性好、可避免像素坏点，且生产成本低的特点。

【技术实现步骤摘要】
全彩色MicroLED阵列结构及其制备方法
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种全彩色MicroLED阵列结构及其制备方法。
技术介绍
基于LED的显示技术相比于LCD和OLED具有功耗低、对比性高、寿命长等优势。然而受制备工艺的制约，LED显示产品的像素间距很难做小，尤其是100μm以下的像素间距，因此LED显示产品常应用于大屏显示，如体育馆、车站、商场或外屏幕等大屏幕。像电视、电脑显示器、手机屏幕、手表屏幕等对像素要求较高的应用场景，主要还是采用LCD和OLED显示技术。MicroLED通常指芯片尺寸小于100μm的阵列芯片，被称为是继LCD和OLED之后的下一代显示技术。由于MicroLED尺寸太小无法使用现有的LED贴片机或者SMT设备进行操作。另外，目前常采用单片集成工艺制备MicroLED，但是其成本过高、均匀性差且像素坏点不可避免，无法应用于实际产品。
技术实现思路
本专利技术旨在解决MicroLED因尺寸太小无法使用现有的LED贴片机或者SMT设备进行操作的技术问题，提供一种全彩色MicroLED本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全彩色Micro LED阵列结构，其特征在于，包括：一块驱动电路板和至少一个显示单元，所述显示单元通过电学连接结构与所述驱动电路板电性连接；所述显示单元包括由多个像素单元组成的像素单元阵列，所述像素单元包括LED外延片、制备在所述LED外延片上由多个Micro LED组成的Micro LED阵列和用于将相邻两个Micro LED隔离开的光隔离结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，包括：一块驱动电路板和至少一个显示单元，所述显示单元通过电学连接结构与所述驱动电路板电性连接；所述显示单元包括由多个像素单元组成的像素单元阵列，所述像素单元包括LED外延片、制备在所述LED外延片上由多个MicroLED组成的MicroLED阵列和用于将相邻两个MicroLED隔离开的光隔离结构。


2.根据权利要求1所述的全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，所述MicroLED包括用于发出光束的发光单元、用于改变所述光束颜色的光转化层和用于滤除未经所述光转化层改变的光束的滤光层。


3.根据权利要求2所述的全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，所述发光单元、所述光转化层和所述滤光层依次层叠制备于所述LED外延片上，所述光隔离结构制备于所述LED外延片上且位于所述发光单元的两侧。


4.根据权利要求2所述的全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，所述发光单元制备于所述LED外延片的一面，所述光转化层制备于所述LED外延片的另一面，所述滤光层制备于所述光转化层的下方，所述光隔离结构所述LED外延片上且位于所述滤光层的两侧。


5.根据权利要求3或4所述的全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，所述LED外延片包括依次层叠的P层、N层和衬底层。


6.根据权利要求5所述的全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，所述发光单元由所述衬底层制备，在所述P层上制备有P电极，在所述N层上制备有N电极。


7.根据权利要求6所述的全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，以引线键合、BGA或锡焊的方式形成所述电学连接结构。


8.根据权利要求6所述的全彩色MicroLED阵列结构，其特征在于，所述光转化层的材料为荧光粉或量子点。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陶金，梁静秋，吕金光，秦余欣，王惟彪，李阳，赵永周，李盼园，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22