【技术实现步骤摘要】
垂直存储器装置本申请要求于2019年6月20日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0073611号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及垂直存储器装置。
技术介绍
近来，已经开发出包括竖直堆叠在基底上的多个存储器单元的垂直存储器装置。垂直存储器装置的一个示例包括NAND型闪存。尽管垂直存储器装置已经具有增加的集成度，但是随着堆叠的存储器单元的数量增加，用于连接存储器单元的布线结构会变得复杂。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括位于基底上的第一结构。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案。第二结构连接到第一结构。第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案。沟道结构穿过栅极图案。第一接触插塞穿过第二结构，并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接。第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘。在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的...
【技术保护点】
1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：/n第一结构，位于基底上，第一结构包括在与基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案；/n第二结构，连接到第一结构，第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案；/n沟道结构，穿过栅极图案；以及/n第一接触插塞，穿过第二结构，并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接，其中，第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘，/n其中，在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。/n
【技术特征摘要】
20190620 KR 10-2019-00736111.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：
第一结构，位于基底上，第一结构包括在与基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案；
第二结构，连接到第一结构，第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案；
沟道结构，穿过栅极图案；以及
第一接触插塞，穿过第二结构，并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接，其中，第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘，
其中，在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。
2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，沟道结构的弯曲部分和第一接触插塞的弯曲部分彼此共面。
3.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，沟道结构的上表面和第一接触插塞的上表面彼此共面。
4.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，沟道结构的下表面比第一接触插塞的下表面高。
5.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：
电路图案，形成在基底上；
下垫，电连接到电路图案；以及
基体图案和基体绝缘层，位于下垫上，
其中，第一结构和第二结构形成在基体图案或基体绝缘层上。
6.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，沟道结构的下表面接触基体图案，并且第一接触插塞的下表面接触下垫。
7.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：
第三结构，与第二结构间隔开，并且第三结构包括绝缘材料；以及
第二接触插塞，穿过第三结构，并且第二接触插塞在其侧壁处包括弯曲部分。
8.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：
第一上布线，位于沟道结构上，第一上布线电连接到沟道结构；以及
第二上布线，位于第二接触插塞上，第二上布线电连接到第二接触插塞。
9.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括覆盖第一结构和第二结构的绝缘中间层，并且
其中，绝缘中间层的上表面与沟道结构和第一接触插塞中的每个的上表面共面。
10.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，其中，沟道结构的弯曲部分定位在第一结构与绝缘中间层之间，并且第一接触插塞的弯曲部分定位在第二结构与绝缘中间层之间。
11.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：
电路图案，位于基底上；
基体图案和基体绝缘层，位于电路图案上；
第一结构，位于基体图案上，第一结构包括在与基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开的栅极图案，并且栅极图案在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；
第二结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：千志成，白石千，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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