【技术实现步骤摘要】
集成式结构、形成集成式结构的方法以及NAND存储器阵列
具有竖直隔开的沟道材料段的集成式组合件(例如集成式NAND存储器)以及形成集成式组合件的方法。
技术介绍
存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。NAND可以是快闪存储器的基本架构，且可经配置以包括竖直堆叠的存储器单元。在具体地描述NAND之前，可能有帮助的是更一般地描述集成式布置内的存储器阵列的关系。图1展示包含以下各项的现有技术装置1000的框图：存储器阵列1002，其具有布置成行和列的多个存储器单元1003；以及存取线1004(例如用以传导信号WL0到WLm的字线)；和第一...
【技术保护点】
1.一种集成式结构，其包括：/n交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠；/n所述导电层级具有为第一竖直厚度的主要区且具有为第二竖直厚度的端突出部，所述第二竖直厚度大于所述第一竖直厚度；/n电荷阻挡材料，其布置在竖直堆叠的第一段中，所述第一段沿着所述导电层级且邻近于所述端突出部，所述第一段由第一间隙彼此竖直隔开；/n电荷存储材料，其布置在竖直堆叠的第二段中，所述第二段沿着所述导电层级且邻近于所述第一段，所述第二段由第二间隙彼此竖直隔开；/n栅极介电材料，其邻近于所述电荷存储材料；以及/n沟道材料，其邻近于所述栅极介电材料。/n
【技术特征摘要】
20190606 US 16/434,0521.一种集成式结构，其包括：
交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠；
所述导电层级具有为第一竖直厚度的主要区且具有为第二竖直厚度的端突出部，所述第二竖直厚度大于所述第一竖直厚度；
电荷阻挡材料，其布置在竖直堆叠的第一段中，所述第一段沿着所述导电层级且邻近于所述端突出部，所述第一段由第一间隙彼此竖直隔开；
电荷存储材料，其布置在竖直堆叠的第二段中，所述第二段沿着所述导电层级且邻近于所述第一段，所述第二段由第二间隙彼此竖直隔开；
栅极介电材料，其邻近于所述电荷存储材料；以及
沟道材料，其邻近于所述栅极介电材料。
2.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述第二段中的每一个具有大于所述第二竖直厚度的竖直长度。
3.根据权利要求1所述的集成式结构，其中每一导电层级包括由外导电层包围的导电芯，其中所述导电芯包括与所述外导电层不同的组成物。
4.根据权利要求3所述的集成式结构，其进一步包含所述导电层级的所述外导电层与所述电荷阻挡材料的所述第一段之间的高k介电材料。
5.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述高k介电材料包括HfO、HfSiO、ZrO和ZrSiO中的一或多个；其中化学式指示主要组分而非特定化学计量。
6.根据权利要求5所述的集成式结构，其中所述高k介电材料的区在所述导电层级的所述端突出部的上方和下方；其中第三竖直厚度定义为包含所述第二竖直厚度以及所述高k介电材料的所述区的厚度；且其中所述第二段中的每一个具有与所述第三竖直厚度大体上相同的竖直长度。
7.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述沟道材料沿着所述竖直堆叠为平坦的。
8.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述第二段沿着所述第一段为平坦的。
9.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述绝缘层级包括空隙。
10.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述绝缘层级并不包括空隙。
11.根据权利要求1所述的集成式结构，其中空隙处于所述端突出部中的一或多个内。
12.根据权利要求1所述的集成式结构，其中空隙并不处于所述端突出部中的任一个内。
13.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述电荷阻挡材料的所述竖直堆叠的第一段为单一均质组成物。
14.根据权利要求1所述的集成式结构，其中所述电荷阻挡材料的所述竖直堆叠的第一段包含两种或更多种不同组成物的层合物，其中所述组成物沿着竖直延伸的界面彼此结合。
15.根据权利要求14所述的集成式结构，其中所述两种或更多种不同组成物中的一种包括氮氧化硅，且其中所述两种或更多种不同组成物中的另一种包括二氧化硅。
16.一种NAND存储器阵列，其包括：
交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠；
所述字线层级具有为第一竖直厚度的主要区且具有为第二竖直厚度的端突出部，所述第二竖直厚度大于所述第一竖直厚度，所述端突出部包含控制栅极区；
电荷阻挡区，其邻近于所述控制栅极区且彼此竖直隔开；
电荷存储区，其邻近于所述电荷阻挡区且彼此竖直隔开；
栅极介电材料，其邻近于所述电荷存储区；以及
沟道材料，其沿着所述竖直堆叠竖直地延伸且邻近于所述栅极介电材料。
17.根据权利要求16所述的NAND存储器阵列，其中每一字线层级包括由外导电层包围的导电芯，其中所述导电芯包括与所述外导电层不同的组成物；且其中绝缘材料处于所述外导电层与所述电荷阻挡区之间。
18.根据权利要求17所述的NAND存储器阵列，其中所述导电芯包括一或多种金属，其中所述外导电层包括金属氮化物，且其中所述绝缘材料是高k材料。
19.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·霍普金斯，S·索尔斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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