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本申请涉及一种集成式结构、一种形成集成式结构的方法以及一种NAND存储器阵列。一些实施例包含NAND存储器阵列，所述NAND存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。所述字线层级具有为第一竖直厚度的主要区且具有为第二竖直厚度的端突出...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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