基板干燥腔室制造技术

一种基板干燥腔室，包括：基板放置板；上供给口，其提供干燥用超临界流体的供给路径；集成式供给和排出口，其提供初始加压用超临界流体的供给路径以及执行干燥后的、其中干燥用超临界流体中溶解了有机溶剂的混合流体的排出路径；以及加热构件，其加热初始加压用超临界流体和混合流体。根据本发明专利技术，可以解决的问题在于：在将初始加压用超临界流体引入腔室内的过程中，由于压力降低所引起的冷却现象，使得超临界流体被液化或汽化而在基板上引起微粒污染；并且可以解决的问题在于：当完成干燥工序排出混合流体时，由于冷却作用使得混合流体相分离，从而在基板上引起微粒污染，或由于混合流体的表面张力而使形成在基板上的图案塌陷。

【技术实现步骤摘要】
基板干燥腔室
本专利技术涉及一种基板干燥腔室。更具体地，本专利技术涉及一种基板干燥腔室，在该基板干燥腔室中，可以解决的问题在于：由于在将初始加压用超临界流体引入腔室中的过程(初始加压)中由压力降低引起的冷却现象，使得超临界流体被液化或汽化从而在基板上引起微粒污染；可以解决的问题在于：当将其中干燥用超临界流体中溶解了异丙醇(IPA)的混合流体排出(减压)时，由于冷却作用使得混合流体相分离，从而在基板上引起微粒污染，或者由于混合流体的表面张力而使形成在基板上的图案塌陷；可以通过在超临界流体的供给和排出期间引导对称流以将超临界流体均匀地分散到腔室中从而进行供给和排出，来改善基板的干燥效率；并且在完成干燥工序之后打开腔室时，可以防止颗粒被引入腔室内部的基板上。
技术介绍
制造半导体器件的工艺包括各种工序，例如光刻工序、蚀刻工序和离子注入工序。在完成每个工序之后，并且在执行后续工序之前，执行用于去除残留在晶片表面上的杂质和残留物的清洁工序和干燥工序，以清洁晶片的表面。例如，在蚀刻工序之后的晶片清洁工序中，将用于清洁工序的化学液体供给到晶片的表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用超临界流体的基板干燥腔室，包括：/n上壳体；/n下壳体，所述下壳体与所述上壳体联接从而能够打开或关闭；/n基板放置板，所述基板放置板与所述下壳体的底表面联接，并且在所述基板放置板上布置上面形成了有机溶剂的基板；/n上供给口，所述上供给口形成为在所述上壳体的中心区域中面对所述基板放置板并提供干燥用超临界流体的供给路径；/n集成式供给和排出口，所述集成式供给和排出口从所述下壳体的侧表面延伸至所述下壳体的中心区域，形成为在所述下壳体的中心区域中面对所述基板放置板，并提供初始加压用超临界流体的供给路径、以及在使用通过所述上供给口供给的所述干燥用超临界流体执行干燥后的混合流体的排出路径，在所...

【技术特征摘要】
20190621 KR 10-2019-00738351.一种使用超临界流体的基板干燥腔室，包括：
上壳体；
下壳体，所述下壳体与所述上壳体联接从而能够打开或关闭；
基板放置板，所述基板放置板与所述下壳体的底表面联接，并且在所述基板放置板上布置上面形成了有机溶剂的基板；
上供给口，所述上供给口形成为在所述上壳体的中心区域中面对所述基板放置板并提供干燥用超临界流体的供给路径；
集成式供给和排出口，所述集成式供给和排出口从所述下壳体的侧表面延伸至所述下壳体的中心区域，形成为在所述下壳体的中心区域中面对所述基板放置板，并提供初始加压用超临界流体的供给路径、以及在使用通过所述上供给口供给的所述干燥用超临界流体执行干燥后的混合流体的排出路径，在所述混合流体中，所述干燥用超临界流体中溶解了所述有机溶剂；以及
加热构件，所述加热构件安装在所述基板放置板中并在供给所述初始加压用超临界流体时和排出所述混合流体时运行，以加热所述初始加压用超临界流体和所述混合流体。


2.根据权利要求1所述的基板干燥腔室，其中，所述加热构件持续运行供给所述初始加压用超临界流体所持续的初始加压时间，以将所述初始加压用超临界流体的温度调节为高于或等于临界点。


3.根据权利要求1所述的基板干燥腔室，其中，所述加热构件持续运行排出所述混合流体所持续的排出时间，以补偿由于在排出所述混合流体的过程中产生的压降引起的绝热膨胀所造成的温度下降，并将包括在所述混合流体中的所述干燥用超临界流体的温度调节为高于或等于临界点。


4.根据权利要求1所述的基板干燥腔室，其中，所述集成式供给和排出口包括：
公共管线，所述公共管线形成为从所述下壳体的所述侧表面延伸至所述下壳体的所述中心区域，和
公共口，所述公共口形成为在所述下壳体的所述中心区域中与所述公共管线连通并面对所述基板放置板。


5.根据权利要求4所述的基板干燥腔室，其中，所述初始加压用超临界流体通过所述公共管线和所述公共口被供给到干燥空间，所述干燥空间由所述上壳体...

【专利技术属性】
技术研发人员：申熙镛，李泰京，尹炳文，
申请(专利权)人：无尽电子有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR