【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于光通讯的单模光纤的制造方法。尤其是,本专利技术涉及一种在1380nm的波长范围具有低损耗和具有高抗氢性能的单模光钎的制造方法。光纤在1200到1600nm波长具有低损耗区,由于存在氢氧基离子(OH)而在1380nm波长范围存在高损耗峰。损耗峰是由形成光纤的材料造成的。用具有网状结构的硅玻璃制成的光纤,其中的SiO2以三维方式随意地结合在一起。当杂质或缺陷存在于网状结构中时,就出现新的结合和破坏。从而,这些因素造成光吸收。从这些光吸收中,可估计到1380nm波长的损耗可能是硅玻璃中存在的氢氧基离子(OH)造成的。因此,含有越多数量的氢氧基离子(OH),1380nm波长出现的损耗越大。因为损耗峰较宽,在损耗峰两侧的波长范围不能用于光通讯。从实际的观点看来,如果在1380nm波长范围的损耗能够在0.31dB/km以下,光通讯可以在较宽的波长范围进行。在日本公开特许公报No.Hei 11-171575中介绍了OH造成的1380波长范围的损耗可以通过控制芯部/复层直径比(D/d比),使之在一定范围内减少。通过采用日本公开特许公报No.Hei 11 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:布目智宏,朽网宽,斋藤学,冈田健志,藤卷宗久,原田光一,
申请(专利权)人:株式会社藤仓,
类型:发明
国别省市:
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