一种反激式变压器的调节方法、系统及存储介质技术方案

本发明专利技术公开了一种反激式变压器的调节方法、系统及存储介质；本发明专利技术通过使用Ansoft Maxwell软件建立反激式变压器仿真模型，单独改变磁芯的形状和屏蔽体的形状、材质后，利用坡印廷能流密度公式进行一系列仿真，得到场分布仿真图，根据所述场分布仿真图预测影响反激式变压器辐射强度的因素，并通过相应地调节反激式变压器来降低辐射干扰，从而减少开关电源的整体辐射干扰，能够有效解决电磁兼容的问题，降低成本；有利于提高电路的稳定性和电子设备的安全性，同时也能减小对周边用电设备的干扰，保证周边用电设备稳定安全地工作，改善人们的生活环境。

【技术实现步骤摘要】
一种反激式变压器的调节方法、系统及存储介质
本专利技术涉及电磁辐射干扰领域，尤其是一种反激式变压器的调节方法、系统及存储介质。
技术介绍
反激变换器的辐射干扰是电磁兼容问题的一个重要方面，随着电子产品的微型化和功率密度的增加，如果在开发阶段没有完全考虑电磁兼容方面的问题，必然会增加开发成本。开关电源的辐射干扰不仅对其本身设备的正常工作产生干扰影响，还会对它周围其他电子设备的正常运行产生干扰影响，严重的话会破坏设备里面的一些元器件，如电容、二极管、开关管等，还有一些相对脆弱的电子元器件会在电磁干扰的强作用下发生降级甚至失去作用，严重的会危害到人类的身体健康，比如过大的电磁辐射会对孕妇腹中婴儿的健康发育造成有害刺激和影响。但是，在辐射干扰方面，现有技术大都是针对PCB整体环路考虑，缺少对PCB中单个元器件特别是反激式变压器的辐射干扰的研究。
技术实现思路
为了解决上述至少一个技术问题，本专利技术的目的在于提供一种反激式变压器的调节方法、系统及存储介质。本专利技术所采取的技术方案是：一方面，本专利技术实施例包括一种反激式变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：/n基于Maxwell，构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型；/n利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素；/n根据预测的结果，调节反激式变压器。/n

【技术特征摘要】
1.一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：
基于Maxwell，构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型；
利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素；
根据预测的结果，调节反激式变压器。


2.根据权利要求1所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述基于Maxwell，构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型这一步骤，具体包括：
根据AnsoftMaxwell软件数据库储存的材质图，进行3D建模；
调用预先设置好的边界条件和激励源；
获取坡印廷公式，并在检测到仿真信号时启动运行所述坡印廷公式；
生成所述反激式变压器辐射干扰的仿真模型。


3.根据权利要求1所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素这一步骤，具体包括：
利用所述仿真模型进行模拟仿真实际反激式变压器工作时的电磁能量场；
通过坡印廷公式计算得到场分布仿真图；
根据所述场分布仿真图，预测影响反激式变压器辐射强度的因素。


4.根据权利要求3所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述影响反激式变压器辐射强度的因素包括：反激式变压器的磁芯形状、屏蔽体的形状和屏蔽体的材质。


5.根据权利要求3所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述根据所述场分布仿真图，预测影响反激式变压器辐射强度的因素这一步骤，具体包括：
生成多个不同磁芯形状的反激式变压器模型；
利用所述仿真模型对多个所述不同磁芯形状的反激式变压器模型进行模拟仿真，得到多个场分布仿真图；
对多个所述场分布仿真图进行比较，预测不同磁芯形状对反激式变...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨汝，刘浩祥，陈健玮，黄俊滨，欧嘉鸣，乔雯璟，胡维，吴键澄，
申请(专利权)人：广州大学，
类型：发明
国别省市：广东;44