用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法技术

本发明专利技术用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法，至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量１ＭｅＶ～６ＭｅＶ的Ｃ＃＋［＋］，Ｃｕ＃＋［＋］等离子注入，注入剂量在１×１０＃＋［１３］离子／平方厘米到５×１０＃＋［１５］离子／平方厘米范围内，在注入区内造成折射率的改变，然后利用聚焦电子束或者激光束扫描，使扫描区的折射率增高，形成埋层或者沟道形式的光波导。光波导的导波模式可以由工艺参数控制。该方法的线宽可以达到纳米量级。可以制成基于条形波导结构的光器件和折射率光栅。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种铌酸锂晶体波导的制备方法，尤其适应于铌酸锂晶体的埋层条形和沟道波导的制备。属于光电子器件领域中的波导制备方法。条形波导结构是光电子器件的基本结构，由此为基础可以形成光开关、光调制器和滤波器等重要的光电子器件。根据公开铌酸锂晶体的波导的形成方法主要有高温扩散、离子交换、和轻离子(氢(H)、氦(He))注入等。美国学术期刊杂志《Applied Physics Letter》等公开了离子交换方法制备铌酸锂晶体的光波导制备方法(Wei-Yung，et al.，(1993)2012)，但由于离子交换是一个化学过程，受到晶向的限制，所形成的波导的非线性光学性质受到了影向；扩散需要高温(超过900℃)过程，不能良好的保持铌酸锂晶体的非线性特性；美国学术期刊杂志《Applied Optics》公开了氦(He)离子注入可以形成具有非线性光学性质的光波导(Fei Lu，et al.，Vol38，No.24(1999)5122)，其中注入剂量为1×1016离子/平方厘米到3×1016离子/平方厘米，由于注入剂量较大，注入时间较长，波导的制作成本较高。利用上述方法制备的条形波导受到晶体表面掩膜线条的限制，只能做到微米量级，而且只能在晶体表面形成沟道光波导。本专利技术是常温下采用重离子(指原子质量大于氦(He)的原子产生的离子)注入铌酸锂晶体造成注入层中晶体的极化发生变化，其结果是注入层中的异常光折射率产生变化，然后利用聚焦电子束扫描折射率改变的区域进行局域退火，可以使扫描区域的折射率高于未扫描区域，形成光波导结构。本专利技术用离子注入和退火制备铌酸锂晶体的光波导的工艺流程为首先对铌酸锂晶体进行表面和相对的两个端面光学抛光，进行清洗处理；利用加速器进行兆电子伏特(MeV)的离子注入；在注入区中造成了折射率的改变；用聚焦电子束按照需要的图形进行扫描退火；经过聚焦电子束扫描后的区域折射率增高，就形成了光波导结构，根据聚焦电子束扫描的区域不同能够形成埋层条形或者沟道光波导。在本专利技术的工艺中，注入离子为氮离子(N+)，氟离子(F+)，炭离子(C-)，铜离子(Cu+)和镍离子(Ni+)；注入离子的能量为1MeV～6MeV；注入离子的剂量在1×1013离子/平方厘米到5×1015离子/平方厘米范围内，对于铜离子(Cu+)和炭离子(C-)较为理想的剂量为1014离子/平方厘米量级，这比用轻离子注入低两个数量级，可以减小制造成本。为了增加离子注入的深度，可以采用上述离子的二价和三价态。电子束扫描退火的电子束的能量范围为0.3～1.5兆电子伏特，束流范围为0.1～1000纳安培，束斑直径范围为0.01～100微米，区域的注入剂量范围为1×1010～1×1022电子/平方厘米。通过控制电子束的扫描路径，能够形成所需要图形的光波导，不需要制备掩膜，调整聚焦电子束束斑的大小，可以控制波导的线宽，调整聚焦电子束的扫描位置，能够形成埋层条形或者沟道光波导，由于电子束的直径可以聚焦到很小，可以造成纳米量级的折射率改变，这是其它方法很难做到的。退火还可以消除由离子注入引起的吸收损耗，可以降低光波导的损耗。该方法可在常温下进行，光波导的导模特性可以由制造工艺很好的控制，能够制作出具有很好非线性光学特性的多模和单模条形波导，根据该方法能够制作基于条形波导结构的光调制器和光开关等光电子器件和折射率光栅。附图说明图1为本专利技术的用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的制作流程图；图2A-图2C为用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导制作工艺示意图；图3为用离子注入和退火制备铌酸锂晶体制作的埋层条形波导端面示意图；图4为用离子注入和退火制备铌酸锂晶体制作的沟道波导端面示意图；图5为图4的沟道波导俯视示意图。图中1.X-切或Z-切的铌酸锂晶体，2.MeV离子注入，3.离子注入区折射率的改变层，4.聚焦电子束扫描，5.埋层条形波导，6.沟道波导。离子注入把准备好的样品放在加速器的靶室中，抽真空至10-4帕斯卡(Pa)量级。进行MeV离子注入(2)，注入条件为注入离子炭离子(C+)，离子能量3.0MeV(兆电子伏)，注入剂量5.0×1014离子/平方厘米。离子束流为20纳安培，扫描面积为15厘米×20厘米。在这种条件下离子注入区的异常光折射率比注入前略为降低，形成离子注入区折射率的改变层(3)，该层的厚度为2.1微米。电子束扫描聚焦电子束扫描(4)的电子束能量为0.8兆电子伏特，束流为2.0纳安培，聚焦束斑为0.6微米，在据表面下1微米处扫描，在扫描区中可以使异常光的折射率增高，形成波导结构，该光波导是直径为0.7微米的埋层条形光波导(5)；在上述条件下，当把电子束斑调整为2.0微米在表面进行扫描，同样是扫描区的折射率增高，形成沟道光波导(6)。权利要求1.一种利，包括离子注入和电子束退火。其特征在于用一定能量和剂量的离子注入形成注入区的折射率改变层，再用聚焦电子束进行扫描退火，在扫描区形成埋层条形或沟道光波导。2.按照权利要求1所述，其特征在于注入离子分别包括以下一种离子注入或两种以上的离子组合注入氮离子(N+)，氟离子(F+)，炭离子(C+)，铜离子(Cu+)和镍离子(Ni+)。注入离子还可利用离子的二价态或三价态。3.按照权利要求1所述，其中所述的注入离子的能量范围为1.0～6.0兆电子伏特。4.按照权利要求1所述，其中所述的注入剂量范围为1×1013～5×1015离子/平方厘米。5.按照权利要求1所述，其中所述的用进行扫描退火，电子束的能量范围为0.3～1.5兆电子伏特，束流范围为0.1～1000纳安培，束斑直径范围为0.01～100微米，区域的注入剂量范围为1×1010～1×1022电子/平方厘米。全文摘要本专利技术，至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量1MeV～6MeV的C文档编号C30B31/00GK1439750SQ03111918公开日2003年9月3日 申请日期2003年3月4日 优先权日2003年3月4日专利技术者卢霏, 胡卉, 陈 峰, 王雪林, 王克明 申请人:山东大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法，包括离子注入和电子束退火。其特征在于用一定能量和剂量的离子注入形成注入区的折射率改变层，再用聚焦电子束进行扫描退火，在扫描区形成埋层条形或沟道光波导。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢霏，胡卉，陈峰，王雪林，王克明，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]