超颖镜单元、半导体故障解析装置及半导体故障解析方法制造方法及图纸

本公开关于一种包含具备可用以实现薄型化的构造的超颖镜的超颖镜单元等。该超颖镜单元具备超颖镜及超颖镜用保持部。超颖镜具备基部及第1天线部分。第1天线部分由具有第1折射率的多条第1天线、及具有第2折射率且位于多条第1天线之间的第1中间部构成。第1天线部分构成为：由多个第1天线端面中的若干端面构成的一维排列，包含端面的大小、端面的形状、及排列间距的至少任一者沿基线变化的图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】超颖镜单元、半导体故障解析装置及半导体故障解析方法
本公开关于一种超颖镜单元、半导体故障解析装置、及半导体故障解析方法。
技术介绍
作为用以取得观察对象物的放大图像的方法，在非专利文献1，公开有以自作为观察对象物的硅基板的表面突起的方式，形成以特定的间距排列的多个微细构造。此处，「间距」由距离最短且彼此相邻的微细构造中的重心间距离规定。根据该方法，可通过控制形成于硅基板的表面的微细构造的大小、形状、配置等而控制微细构造部分的实效折射率，由此取得观察对象物即硅基板的放大图像。[现有技术文献][非专利文献]非专利文献1：PaulR.West等人,“All-dielectricsubwavelengthmetasurfacefocusinglens”,OpticsExpress,TheOpticalSociety,2014年第22卷,第21期,p.26212-26221.非专利文献2：NanfangYuet等人,“LightPropagationwithPhaseDiscontinuities:GeneralizedL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超颖镜单元，其具备：/n超颖镜，其具有抵接于观察对象物的第1面及与所述第1面相对的第2面；及/n保持部，其保持所述超颖镜，/n所述超颖镜具备：/n基部，其设置于所述第1面与所述第2面之间；/n多条第1天线，设置于所述第1面与所述基部之间，且各自具有第1折射率、及构成所述第1面的一部分的第1天线端面；及/n第1中间部，其以一部分位于所述多条第1天线之间的方式设置于所述第1面与所述基部之间，且具有与所述第1折射率不同的第2折射率、及构成所述第1面的其余部分的第1中间部端面，/n包含多条所述第1天线及所述第1中间部的第1天线部分构成为：以多条所述第1天线的所述第1天线端面中各自的重心位于所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180508 JP 2018-0898171.一种超颖镜单元，其具备：
超颖镜，其具有抵接于观察对象物的第1面及与所述第1面相对的第2面；及
保持部，其保持所述超颖镜，
所述超颖镜具备：
基部，其设置于所述第1面与所述第2面之间；
多条第1天线，设置于所述第1面与所述基部之间，且各自具有第1折射率、及构成所述第1面的一部分的第1天线端面；及
第1中间部，其以一部分位于所述多条第1天线之间的方式设置于所述第1面与所述基部之间，且具有与所述第1折射率不同的第2折射率、及构成所述第1面的其余部分的第1中间部端面，
包含多条所述第1天线及所述第1中间部的第1天线部分构成为：以多条所述第1天线的所述第1天线端面中各自的重心位于所述第1面上的至少一条第1基线上的第1天线端面构成的一维排列，包含所述第1天线端面的大小、所述第1天线端面的形状、及第1排列间距的至少任一者沿所述第1基线变化的排列图案。


2.如权利要求1所述的超颖镜单元，其中，
所述第1中间部与所述基部一体构成，
多条所述第1天线的所述第1天线端面各自以露出的状态配置于所述第1面上。


3.如权利要求1所述的超颖镜单元，其中，
多条所述第1天线的各个具有自所述基部朝所述第1面突出的形状，
所述第1中间部由充满于多条所述第1天线间的液体构成。


4.如权利要求1至3中任一项所述的超颖镜单元，其中，
多条所述第1天线的各个由硅构成。


5.如权利要求1至4中任一项所述的超颖镜单元，其中，
以多条所述第1天线的所述第1天线端面在所述第1面上构成二维矩阵的方式排列多条所述第1天线。


6.如权利要求5所述的超颖镜单元，其中，
对所述超颖镜输入具有100nm以上且5200nm以下的范围的波长的光，
以所述第1排列间距短于所述波长的方式排列多条所述第1天线。


7.如权利要求1至6中任一项所述的超颖镜单元，其中，
所述超颖镜具备：
多条第2天线，其设置于所述第2面与所述基部之间，且各自具有第3折射率、及构成所述第2面的至少一部分的第2天线端面；及
第2中间部，其以一部分位于多条所述第2天线之间的方式设置于所述第1面与所述基部之间，且具有与所述第3折射率不同的第4折射率，
由多条所述第2天线及所述第2中间部构成的第2天线部分构成为：以多条所述第2天线的所述第2天线端面中各自的重心位于所述第2面上的至少一条第2基线上的第2天线端面构成的一维排列，包含所述第2天线端面的大小、所述第2天线端面的形状、及第2排列间距的至少任一者沿所述第2基线变化的排列图案。


8.一种半导体故障解析装置，其具备权利要求1至7中任一项所述的超颖镜单元。


9.如权利要求8所述的半导体故障解析装置，其具备相对于所述超颖镜配置于所述第1面的相反侧的对物透镜。
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【专利技术属性】
技术研发人员：上野山聪，泷口优，寺田浩敏，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP