【技术实现步骤摘要】
CdZnTe/CdTe/AlN复合结构、日盲区紫外探测器件和其制备方法
本专利技术涉及一种半导体的膜复合材料、其制备工艺及应用，特别是涉及一种CdZnTe膜器件及其制备工艺，应用于无机非金属材料制造、光学功能器件
技术介绍
光电探测技术是光电信息技术的核心，是一种根据被探测对象辐射和反射特征来进行识别的技术。如今的光电探测已由可见光波段延伸到红外和紫外两个非可见光区。紫外光的波长范围主要在10-400nm。其中，由于平流层臭氧的强烈吸收，280nm以下的紫外光无法穿透大气到达地球表面，因此被称为太阳盲区。工作于该区域的光电探测器，即所谓的日盲区紫外探测器。日盲区紫外探测因不受太阳光背景的影响，具有信噪比高、误报率低、可全天候工作等优点，被广泛应用于导弹预警和跟踪、火焰探测、臭氧监测、高压电晕检测、光通信、和太空研究等领域。紫外探测技术的核心是研制高响应速度、高灵敏度和低噪音的紫外探测器。紫外探测器是一种将一定形式的电磁辐射信号转变为另一种易被接收处理的信号形式的传感器。由于实际应用的需求，我们需要量...
【技术保护点】
1.一种具有CdTe过渡层的CdZnTe/CdTe/AlN复合结构，其特征在于：首先在AlN基底上制备CdTe过渡层，形成CdTe/AlN复合衬底；然后在CdTe/AlN复合衬底的CdTe过渡层表面上继续生长制备CdZnTe膜，得到具有CdTe过渡层的CdZnTe膜和AlN基片结合的CdZnTe/CdTe/AlN复合结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有CdTe过渡层的CdZnTe/CdTe/AlN复合结构，其特征在于：首先在AlN基底上制备CdTe过渡层，形成CdTe/AlN复合衬底；然后在CdTe/AlN复合衬底的CdTe过渡层表面上继续生长制备CdZnTe膜，得到具有CdTe过渡层的CdZnTe膜和AlN基片结合的CdZnTe/CdTe/AlN复合结构。
2.根据权利要求1所述具有CdTe过渡层的CdZnTe/CdTe/AlN复合结构，其特征在于：所述CdTe过渡层的沉积厚度不超过400nm。
3.根据权利要求1所述具有CdTe过渡层的CdZnTe/CdTe/AlN复合结构，其特征在于：所述CdZnTe膜的厚度不超过200μm，所选用的AlN基底的厚度不超过500nm。
4.一种权利要求1所述具有CdTe过渡层的CdZnTe/CdTe/AlN复合结构的制备方法，其特征在于，其步骤如下：
a.衬底预处理：
将AlN基片分别用丙酮、酒精、去离子水分别超声清洗至少30分钟，洗去AlN基片表面的杂质和有机物，用氮气吹干后，放入磁控溅射反应室内，作为衬底备用；
b.CdTe过渡层的溅射过程：
打开磁控溅射腔体，将经过所述步骤a预处理的AlN基底放入腔体；开启机械泵，待腔体真空度不高于5Pa时，开启前级阀，关闭预抽阀，开启分子泵与高阀；待腔体真空度达到10^-3Pa，将衬底温度加热到不低于300℃；
然后打开气体流量计与气阀，将腔体充氩气至0.4-0.6Pa，开启溅射开关，功率加至不低于40W，开始溅射，溅射时间至少为10min；待溅射完成后关闭溅射电源，然后依次关闭气阀、分子泵、高阀、前级阀、机械泵，待衬底冷却至室温后，得到沉积在AlN衬底上的CdTe膜，然后取出CdTe/AlN复合衬底，置于N2气氛中不低于450℃退火至少2h；
c.CdZnTe膜的生长过程：
打开近空间升华腔体，将在所述步骤b中制备的CdTe/AlN复合衬底放入腔体，开机械泵抽真空，将升华室内气压抽至不高于5Pa，然后开卤素灯，将升华源和衬底以不高于50℃/min的升温速度分别加热到670℃和490...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈悦，陈日志，李柝时，温丹丹，顾峰，黄健，王林军，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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