切断移动的光纤制造技术

本发明专利技术公开一种切断移动的光纤。这个光纤100包括一个芯102从中央纵轴延伸112到第一半径r1.并且光纤100包括第一沟槽区域106从第二半径r2延伸到第三半径3，也包括第二沟槽区域108从第三半径r3延伸到第四半径半径r4，还包括一个包层区域110从第四半径r4延伸到第五半径r5。

【技术实现步骤摘要】
切断移动的光纤
本专利技术涉及有关光纤领域。特别地,是目前的披露有关切断换档的光纤用高模场直径切断的切断移动的光纤。
技术介绍
背景科学和技术的进步,各种现代技术正在受雇用于通信目的.最重要的现代通信技术是使用各种光纤的光纤通信技术.光纤用传输信息作为光脉冲从一端到另一端.电信业一直努力为了实现设计高光信噪比和低损耗。正在进行的研究建议,G.654.E类别的光纤是G.654.B的改进版本和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战在长途的沟通中由于非线性效应。此外,重大的挑战在400G15长途通讯由于非线性效应影响.此外,重大的挑战在400G15长途通讯由于非线性效应影,低光信对噪音比和低损失.正在进行的研究建议,G.654.E类别的光纤是G.654.B的改进版本和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战在长途的沟通中由于非线性效应。此外,重大的挑战在400G长途通讯由于非线性效应影响.此外,重大的挑战在400G长途通讯由于非线性效应影响,低光信对噪音比和低损失.鉴于上面声明讨论,需要一种光纤那克服了上面的缺点.
技术实现思路
本公开的主要目的是提供光纤同大模场直径。本公开的又一个目的是提供低损失光纤。在一个方面，本公开提供了一种切断移动的光纤。光纤包括芯。另外，光纤包括第一个沟槽区域。此外，光纤包括第二个沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一个相对折射率Δ1。芯的第一个相对折射率Δ1在大概0到0.12的范围内。另外，第一个沟槽区域由相对折射率Δ3限定。第一个沟槽区域具有第一阿尔法α沟槽1。第二个沟槽区域与第一个沟槽区域相邻。第二个沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二个沟槽区域具有第二个阿尔法α沟槽2。包层区域围绕第二个沟槽区域。光纤100在1550纳米下具有小于或等于0.17dB/km的衰减。光纤的模场直径在大概12微米至13微米的范围内。光纤在折射率分布的芯和沟槽区域中有了逐渐变化。在本公开的一个实施例中,光纤有高达0.1分贝/100匝的宏观弯曲损对应于在约30毫米的弯曲半径处的1550纳米的波长和对应于每100匝的0.1分贝的宏观弯曲损耗。在弯曲半径约为30毫米时，波长为1625纳米。在本公开的一个实施例中,光纤有色散在范围内17皮秒每纳米公里到23皮秒左右在1550纳米的波长.在本公开的一个实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域是被定义为第二个相对折射率Δ2另外,缓冲包层区域分开核心和第一个沟槽区域。在本公开的一个实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域是被定义为第二个相对折射率Δ2.另外,缓冲包层区域分开核心和第一个沟槽区域。在本公开的实施例中,核心有了第一个半径r1.第一个半径r1是在范围中2.5微米到5微米5和2微米到3.15微米。在本公开的实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域第二个半径r2.第二个半径r2是在范围中之一5微米到7微米和3微米到6微米.缓冲包层区域有了大概0的第二个相对折射率Δ2。在本公开的实施例中,包层区域有了第五个半径r5.第五个半径r5是大概62.5微米.包层区域有了约为0的第三相对折射率Δ5。在本公开的实施例中，第一个沟槽区域有第三是在半径r3.第三个半径r3是在至少一个范围内12微米到16微米和12微米至20微米.相对折射率Δ3是在--0.25到-0.35和-0.3到-0.46中的至少一个的范围内.第一沟槽区域的第一个沟槽阿尔法a沟槽-1是在约3到6和1.5到2中的至少一个的范围内。在本公开的实施例中，第二个沟槽区域有了第四半径r4.第四半径r4是在24微米到24微米28微米和26微米到30微米中的至少一个的范围内.对折射率Δ4是在0.4至0.55和0.41到0.57中的至少一个的范围内。第二个沟槽区域的第二阿尔法α沟槽2是在3至6和5到9中的至少一个的范围内。在本公开的实施例中，第二个沟槽区域的相对折射率Δ4大于第一个沟槽区域的相对折射率Δ3。在别的一个方面，本公开提供了一种光纤。光纤包括芯，另外,光纤包括第一个沟槽区域。而且,光纤包括第二个沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。芯的第一个相对折射率Δ1在0到0.12的范围内。而且，第一个沟槽区域有相对折射率Δ3。第一个沟槽区域具有第一阿尔法α沟槽_1。第二个沟槽区域是相邻同第一沟槽区域。第二个沟槽区域有相对,折射率Δ4。也,第二个沟槽区域有第二个阿尔法α沟槽2。相对折射率Δ4大比相对折射率Δ3。包层区域周围第二个沟槽区域。光纤100在1550纳米的波长下有小于或等于0.17dB/km的衰减.光纤的模场直径在约12微米至13微米的范围内。光纤在折射率分布的芯和沟槽区域有逐渐变化。在本专利技术的一个实施例中，光纤的弯曲损耗高达0.1分贝/100匝，对应于1550纳米的弯曲半径约30毫米，宏弯损耗高达0.1分贝/100匝对应波长在弯曲半径约为30毫米时为1625纳米。在本公开的实施例中，光纤在1550纳米的波长下有在每纳米公里约17微微秒到每纳米公里23微微秒的范围内的色散。而且,光纤的电缆截止波长可达1530纳米。在本公开的实施例中，光纤还包括缓冲包层区域。缓冲包层区域有第二了相对折射率Δ2。而且，分开缓冲包层区域将芯和第一沟槽区域。在本公开的实施例中，芯具有第一半径r1。第一半径r1在2.5微米到5微米和2微米到3.15微米中的至少一个的范围内。在本公开的实施例中，光纤进一步包括缓冲包层区域。缓冲包层区域有第二个半径r2。第二个半径r2是在5微米到7微米和3微米到6微米中的至少一个的范围内.缓冲包层区域具有约0的第二个相对折射率Δ2。在本公开的实施例中，包层区域有了第五个半径r5。第五个半径r5是大概62.5微米。包层区域有了大概0的第三个相对折射率Δ5。在本公开的实施例中，第一第三个沟槽区域有第三个半径r3。第三个半径r3是在12微米到16微米和12微米到20微米中的至少一个的范围内。相对折射率Δ3是在-0.25到-0.35和-0.3到-0.46中的至少一个的范围内。第一个沟槽区域的第一阿尔法α沟槽1是在约3到6和1.5到2中的至少一个的范围内。在本公开的实施例中，第二个沟槽区域有第四个半径r4。第四个半径r4是在24微米到28微米和26微米到30微米中的至少一个的范围内。相对折射率Δ4是在-0.4到-0.55和-0.41到-0.57中的至少一个的范围内。第二个沟槽区域的第二个阿尔法α沟槽2是在3到6和5到9中的至少内。在本公开的实施例中，第二个沟槽区域有第四个半径r4。第四个半径r4是在24微米到28微米和26微米到30微米中的至少一个的范围内。相对折射率Δ4是在-0.4到-0.55和-0.41到-0.57中的至少一个的范围内。第二个沟槽区域的第二个阿尔法α沟槽2是在3到6和5到9中的至少内。本公开涉及一种切断移动的光纤。光纤包括芯。另外，光纤包括第一个沟槽区域。此外,光纤包括第二沟槽区域。还有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切断移动的光纤，其特征在于，光纤100包括:一个芯(102),芯具有第一相对折射率Δ1，芯102的第一相对折射率Δ1大约是0-0.12；/n第一沟槽区域106，第一沟槽区域具有相对折射率Δ3，第一沟槽区域具有第一αtrench-1；/n第二沟槽区域108，第二沟槽区域108与第一沟槽区域106相邻，第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4，第二沟槽具有第二αtrench-2，但相对折射率Δ4>相对折射率Δ3；第二沟槽区域也有一个包层区域110，包层区域110包围第二沟槽区域108；/n光纤100具有衰减小于或等于0.17db/km在1550纳米的波长，光纤100具有一个模场直径在12微米至13微米的范围内；/n光纤100具有逐渐变化在芯还在折射率分布的沟槽区域。/n

【技术特征摘要】
20190617 IN 2019210238631.一种切断移动的光纤，其特征在于，光纤100包括:一个芯(102),芯具有第一相对折射率Δ1，芯102的第一相对折射率Δ1大约是0-0.12；
第一沟槽区域106，第一沟槽区域具有相对折射率Δ3，第一沟槽区域具有第一αtrench-1；
第二沟槽区域108，第二沟槽区域108与第一沟槽区域106相邻，第二沟槽区域108具有相对折射率Δ4，第二沟槽具有第二αtrench-2，但相对折射率Δ4>相对折射率Δ3；第二沟槽区域也有一个包层区域110，包层区域110包围第二沟槽区域108；
光纤100具有衰减小于或等于0.17db/km在1550纳米的波长，光纤100具有一个模场直径在12微米至13微米的范围内；
光纤100具有逐渐变化在芯还在折射率分布的沟槽区域。


2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100具有其0.1分贝的宏湾损耗每100匝对应1550纳米波长在30毫米的弯曲半径还是0.1分贝的宏湾损耗每100匝对应1625纳米波长在30毫米的弯曲半径其中一个。


3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100有大约17皮秒/(纳米-公里)至23皮秒/(纳米-公里)的弥散在1550纳米的波长，并且光纤100具有电缆切断波长达到1530纳米。


4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，光纤100具有一个缓冲包层区域104，缓冲包层区域104具有第二相对折射率Δ2，缓冲包层区域104分离芯102和第一沟槽区域106。


5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，芯102具有第一半径r1，第一半径r1就是2.5微米-5微米还是2微米-3.15微米。


6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，并且光纤100包括一个缓冲包层区域104，缓冲包层区域104具有第二半径r2，第二半径r2就是5微米-7微米还是3微米-6微米其中之一。缓冲包层区域104具有一个第二相对折射率Δ2大约是零。


7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，包层区域110具有第五r5，r5大约是62.5微米，包层区域110具有第三相对折射率Δ5大约是零。


8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第一沟槽区域区域106具有第三半径r3，第三半径r3就是12微米-16微米还是12微米-20微米其中之一，但相对折射率Δ3是-0.25至-0.35还是-0.3至-0.46其中之一，第一沟槽区域106的第一αtrench1就是3-6还是1.5-2其中之一。


9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第二沟槽区域108具有第四半径r4，第四半径r4就是24微米-28微米还是26微米-30微米其中之一，相对折射率Δ4就是-0.4至-0.55还是-0.41至-0.57其中之一，第二沟槽区域108的第二αtrench2就是3-6还是5-9其中之一。

【专利技术属性】
技术研发人员：阿派克莎·马尔维亚，斯里尼瓦斯·雷迪，阿南德·库玛·潘迪，
申请(专利权)人：斯特里特技术有限公司，
类型：发明
国别省市：印度;IN