光纤制造技术

技术编号:25706985 阅读:84 留言:0更新日期:2020-09-23 02:54
根据本发明专利技术实施例的光纤具有用于使得能够在预制件阶段确定传输损耗的改善的结构。该光纤包括:包含Cl并且平均折射率低于纯石英玻璃的折射率的芯部;包含F的第一包层;第二包层;以及树脂涂层,其中,在波长为1550nm时的有效面积为135μm

【技术实现步骤摘要】
光纤
本公开涉及光纤。本申请要求2019年3月14日提交的日本专利申请No.2019-047245的优先权,并且该日本专利申请中描述的所有内容并入本文。
技术介绍
专利文献1(日本专利申请公开No.2014-238526)、专利文献2(日本专利申请公开No.2015-166853)和专利文献3(日本专利申请公开No.2017-62486)公开了具有W型折射率分布的光纤。W型折射率分布由芯部、构成凹陷包层结构的第一包层和第二包层来实现。第一包层的折射率低于芯部中的折射率,并且第二包层的折射率低于芯部中的折射率且高于第一包层中的折射率。在用于获得具有这种W型折射率分布的光纤的预制件的制造中,使用诸如杆塌缩(rod-incollapsemethod)法、气相轴向沉积(VAD)法、外部气相沉积(OVD)法之类的方法在将要成为芯部和第一包层的玻璃区域的外周面上形成将要成为第二包层的玻璃区域。
技术实现思路
根据本公开实施例的光纤包括芯部、第一包层、第二包层以及树脂涂层。芯部至少包括包含氯(Cl)的区域,并且芯部的平均折本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光纤,包括:/n芯部,其至少包括包含氯的区域,并且所述芯部的平均折射率低于纯石英玻璃的折射率;/n第一包层,其包围所述芯部,所述第一包层至少包含氟,并且所述第一包层的折射率低于所述芯部的平均折射率;/n第二包层,其包围所述第一包层,所述第二包层的折射率高于所述第一包层的折射率;以及/n树脂涂层,其包围所述第二包层;/n其中,在波长为1550nm时的有效面积A

【技术特征摘要】
20190314 JP 2019-0472451.一种光纤,包括:
芯部,其至少包括包含氯的区域,并且所述芯部的平均折射率低于纯石英玻璃的折射率;
第一包层,其包围所述芯部,所述第一包层至少包含氟,并且所述第一包层的折射率低于所述芯部的平均折射率;
第二包层,其包围所述第一包层,所述第二包层的折射率高于所述第一包层的折射率;以及
树脂涂层,其包围所述第二包层;
其中,在波长为1550nm时的有效面积Aeff为130μm2以上且170μm2以下,
所述有效面积Aeff与截止波长λC的比率(Aeff/λC)为85.0μm以上,
在波长为1550nm且弯曲半径为15mm时的LP01模的弯曲损耗为每10匝小于4.9dB,并且
所述树脂涂层至少包括杨氏模量为0.3MPa以下的初级树脂层。


2.根据权利要求1所述的光纤,
其中,所述第二包层由纯石英玻璃或至少包含氟的石英玻璃构成。


3.根据权利要求1或2所述的光纤,
其中,所述有效面积Aeff为135μm2以上且165μm2以下。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的光纤,
其中,所述截止波长为1630nm以下。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的光纤,
其中,所述比率(Aeff/λC)为95μm以上。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的光纤,
其中,所述比率(Aeff/λC)为130μm以下。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的光纤,
其中,在波长为1550nm时的所述LP01模的模场直径为12.5μm以上且14.0μm以下。


8.根据权利要求7所述的光纤,
其中,在波长为1550nm且弯曲半径为40mm时的LP11模的弯曲损耗为每2匝0.10dB以上。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的光纤,
其中,第一焦散半径与第二焦散半径之间的差为0.90μm以上,所述第一焦散半径被定义为在波长为155...

【专利技术属性】
技术研发人员:铃木雅人川口雄挥佐久间洋宇田村欣章长谷川健美
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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