截止移位光纤制造技术

本发明专利技术公开了截止偏移光纤。光纤(100)包括从中心纵向轴线(112)延伸到第一轴线的芯部(102)半径r1。此外，光纤(100)包括延伸的第一沟槽区域(106)从第二半径r2到第三半径r3，第二沟槽区域(108)延伸从第三半径r3到第四半径r4和包层区域(110)延伸从第四半径r4到第五半径r5。径r5。径r5。

【技术实现步骤摘要】
截止移位光纤


[0001]本专利技术涉及光纤领域。尤其,涉及具有高模场直径的截止偏移光纤。

技术介绍

[0002]随着科学技术的进步,各种现代技术被用于交流目的。最重要的现代之一通信技术是光纤通信技术使用各种光纤。光纤用于传输信息作为光脉冲从一端到另一端。电信业是一直努力设计实现高光信噪比和低损耗正在进行的研究建议G.654E的光纤类是G.654B的改进版和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战由于非线性影响在地域长途通信中。此外,主要挑战有400G长途通信是由于非线性效应。低光信噪比和高衰减。
[0003]鉴于上述讨论，需要一种光纤克服了上述缺点。

技术实现思路

[0004]本专利技术涉及一种截止偏移光纤，光纤包括芯。另外，光纤包括第一沟槽区域。此外，光纤包括第二沟槽区域。此外，光纤包括包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。第一次相对屈光芯的折射率Δ1在约0至0.12的范围内。而且，第一沟槽区域具有相对折射率Δ3。第一沟槽区域具有第一α沟槽-1。第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻。第二个沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有第二沟槽区域α沟-2。包层区域围绕第二沟槽区域。光学光纤100在1550波长处具有小于或等于0.17dB/km的衰减纳米光纤的模场直径在约12微米的范围内到13微米。光纤的纤芯和沟槽区域逐渐变化折射率分布。本公开的主要目的是提供一种大的光纤模场直径。
[0005]本公开的又一个目的是提供低失利光纤。在一方面，本专利技术提供一种光纤。光纤包括一个芯。r/>[0006]另外，光纤包括第一沟槽区域。而且，光纤包括第二沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。第一相对屈光芯的折射率Δ1在约0至0.12的范围内.而且，第一沟槽区域由相对折射率Δ3定义。第一沟槽区域具有第一α沟-1。
[0007]第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻。第二沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有a第二个α沟-2。包层区域围绕第二沟槽区域。光纤100在处具有小于或等于0.17dB/km的衰减波长为1550纳米。光纤的模场直径为范围约为12微米至13微米。光纤的核心逐渐变化和折射率分布的沟槽区域本公开的主要目的是提供一种大的光纤模场直径。
[0008]本公开的又一个目的是提供低光纤失利在一方面，本专利技术提供一种光纤。光纤包括一个核心。另外，光纤包括第一沟槽区域。而且，光纤包括第二沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率Δ1。第一次相对屈光芯的折射率Δ1在约0至0.12的范围内。而且，第一沟槽区域由相对折射率Δ3定义。第一沟槽区域具有第一α沟-1。第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻。第二沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有a第二个α沟-2。包层区域围绕第二沟槽区域。光纤100在处具有小于或等于0.17dB/km的衰减波长为1550纳米。光纤的模场直径为范围约为12微米至13微米。光纤的核心逐渐变化和折射率
分布的沟槽区域在本公开的实施例中，光纤具有宏弯损耗相当于1550纳米的波长，每100匝0.1分贝弯曲半径约为30毫米，宏观弯曲损耗高达0.1分贝/100在弯曲半径约为30
°
时，对应于1625纳米的波长毫米。在本公开的实施例中，光纤具有彩色分散范围为每纳米公里约17微
[0009]秒至23微微波长为1550纳米的每纳米公里第二。除此之外光纤的电缆截止波长可达1530纳米。在本公开的实施例中，光纤还包括缓冲包层区域。缓冲包层区域由第二相对折射率限定Δ2。另外，缓冲包层区域将芯和第一沟槽区域分开。在本公开的实施例中，芯具有第一半径r1。首先半径r1在2.5微米至5微米和2微米至3.15中的至少一个的范围内微米。
[0010]在本公开的实施例中，光纤还包括缓冲器包层区域。缓冲包层区域具有第二半径r2。
[0011]第二个半径r2是范围为5微米至7微米和3微米至6微米中的至少一个。缓冲区包层区域具有约为0的第二相对折射率Δ2。在本公开的实施例中，包层区域具有第五半径r5。第五半径r5约为62.5微米。包层区域具有第三相对折射率Δ5约为0。在本公开的实施例中，第一沟槽区域具有第三半径R3。第三半径r3在12微米至16微米和12中的至少一个的范围内微米至20微米相对折射率Δ3在-0.25至-0.35和-0.3至-0.46中的至少一个的范围内。
[0012]第一沟槽区域的第一αα沟槽-1位于约3至6和1.5至2中的至少一个的范围。在本公开的实施例中，第二沟槽区域具有第四沟槽区域半径r4。第四半径r4在24微米至28微米中的至少一个的范围内和26微米至30微米。相对折射率Δ4至少在以下的范围内-0.4到-0.55和-0.41到-0.57之一。第二个alphaαtrench-2是第二个沟槽区域在3至6和5至9中的至少一个的范围内。在本公开的实施例中，相对折射率Δ4第二沟槽区域大于第一沟槽的相对折射率Δ3区域。
[0013]在另一方面，本公开提供了一种光纤。光纤包括一个芯。另外，光纤包括第一沟槽区域而且，光纤包括第二沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率指数Δ1。芯的第一相对折射率Δ1在0至0.12的范围内。此外，第一沟槽区域具有相对折射率Δ3。第一个沟槽region具有第一个alphaαtrench_1。第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻沟槽区域。第二沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有第二α沟槽-2。相对折射率Δ4大于相对折射率Δ3。包层区域围绕着第二沟槽区域。
[0014]光纤100的衰减小于或等于波长为1550纳米时为0.17dB/km.光纤的模场直径在约12微米至13的范围内微米。光纤在折射率的芯和沟槽区域具有逐渐变化轮廓。此外，光纤是包层区域。芯具有第一相对折射率指数Δ1。芯的第一相对折射率Δ1在0至0.12的范围内。此外，第一沟槽区域具有相对折射率Δ3。第一个沟槽区域具有第一个α沟_1。第二沟槽区域与第一沟槽区域相邻沟槽区域。第二沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二沟槽区域具有第二α沟槽-2。相对折射率Δ4大于相对折射率Δ3。包层区域围绕着第二沟槽区域。光纤100的衰减小于或等于波长为1550纳米时为0.17dB/km。光纤的模场直径在约12微米至13的范围内微米。光纤在折射率的芯和沟槽区域具有逐渐变化轮廓。
[0015]在本公开的实施例中，光纤具有宏弯损耗相当于1550纳米的波长，每100匝0.1分贝弯曲半径约为30毫米，宏弯损耗高达0.1分贝/100在弯曲半径约为30
°
时，对应于1625纳米的波长毫米。在本公开的实施例中，光纤具有彩色色散范围为每纳米公里约17微微秒至23微微波长为1550纳米的每纳米公里第二。除此之外光纤的电缆截止波长可达1530纳米。
[0016]在本公开的实施例中，光纤还包括缓冲器包层区域。缓冲包层区域具有第二相对折射率Δ2。在另外，缓冲包层区域将芯和第一沟槽区域分开。
[0017]在本公开的实施例中，芯具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种截止偏移光纤，其特征在于，光纤(100)包括：芯(102)，其中芯(102)具有第一相对折射率指数Δ1；第一沟槽区域(106)，其中第一沟槽区域(106)具有第一沟槽区域(106)相对折射率Δ3，其中第一沟槽区域具有第一沟道区域alphaαtrench-1；第二沟槽区域(108)，其中第二沟槽区域(108)与第一沟槽区域(106)相邻，其中第二沟槽区域(106)第二沟槽区域(108)具有相对折射率Δ4，其中第二沟槽区域具有第二α沟槽-2；和包层区域(110)，其中包层区域(110)围绕第二沟槽区域(108)，其中光纤(100)的衰减小于或等于在1550纳米波长处为0.17dB/km，其中光学光纤(100)的模场直径在约12微米至100微米的范围内13微米。2.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，芯(102)的第一相对折射率Δ1在0至0.12的范围内。3.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，所述光纤(100)具有折射率分布的核心和沟槽区域的逐渐变化。4.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，光纤(100)具有at至少有一个宏弯损耗高达0.1分贝，每100转对应一次在弯曲半径约为30毫米的波长为1550纳米和宏观弯曲每100匝损耗高达0.1分贝，相当于1625纳米的波长弯曲半径约为30毫米。5.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，光纤(100)具有在每纳米-30约17皮秒的范围内的色散波长为1550纳米，每纳米公里23微米至23皮秒，其中光纤(100)的电缆截止波长高达1530纳米。6.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，还包括缓冲包层区域(104)，其中缓冲包层区域(104)具有第二相对折射率Δ2，其中缓冲包层区域(104)将芯(102)和第一沟槽区域(106)分开。7.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，所述芯(102)首先具有10个半径r1，其中第一半径r1在2.5微米至微米中的至少一个的范围内和2微米到3.15微米。8.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，还包括缓冲包层区域(104)，其中缓冲包层区域(104)具有第二半径r2，其中第二半径为r2半径r2在5微米至7微米和3微米至6微米中的至少一个的范围内，其中缓冲包层区域(104)具有约的第二相对折射率Δ20。9.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，包层区域(110)具有a第五半径r5，其中第五半径r5约为62.5微米，其中包层区域(110)的第三相对折射率Δ5约为0。10.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，第一沟槽区域(106)具有第三半径r3，其中第三半径r3在12微米中的至少一个的范围内到16微米和12微米到20微米，其中相对折射率Δ3是-0.25到-0.35和-0.3到-0.46中的至少一个的范围，其中第一个alphaαtrench-1第一沟槽区域(106)的厚度在3至6和1.5至2中的至少一个的范围内。11.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于，第二沟槽区域(108)具有第四半径r4，其中第四半径r4在24的东侧之一的范围内微米至28微米和26微米至30微米，其中相对折射率为Δ4在-0.4至-0.55和-0.41至-0.57中的至少一个的范围内，其中第二α第二沟槽区域(108)的α沟槽-2在3至6和5中的至少一个的范围内到9。12.如权利要求1所述的光纤(100)，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿派克莎，
申请(专利权)人：斯特里特技术有限公司，
类型：发明
国别省市：