制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品制造方法及图纸

本发明专利技术公开了制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品，该方法包括：沉积纯SiO

【技术实现步骤摘要】
制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品
本专利技术涉及制备稀土离子掺杂光纤预制棒的
，尤其涉及制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品。
技术介绍
稀土掺杂光纤预制棒是制备稀土掺杂光纤的重要基础和前置材料，是稀土掺杂光纤生产过程中的关键核心技术。目前大规模商用的制备光纤预制棒的工艺主要包括管内沉积法和管外沉积法，其中管内沉积法的优点为沉积精度较高，但其劣势在于制备的预制棒的尺寸受沉积衬管尺寸限制，同时能量(氢氧焰热源或等离子体源)是从沉积衬管外通过热传递的方式传给管内的气态反应原料，反应原料受热发生一系列化学反应，因此，当管内沉积的玻璃或疏松体较多时，衬管的管壁也随之增厚，使得能量传递效果变差，效率降低，同时也会极大的影响沉积精度；另外管外沉积法主要有外部汽相沉积法(OVD)和汽相轴向沉积法(VAD)，这两种方式在通信光纤领域有着广泛应用，可制备大尺寸光纤预制棒的同时，预制棒尺寸的增加也不会影响沉积效率和精度，可以大幅降低制造成本。专利CN111116037A公布了一种VAD法制备稀土离子掺杂光纤预制棒的装置及方法，该专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于，包括：/n沉积纯SiO

【技术特征摘要】
1.一种制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于，包括：
沉积纯SiO2芯层基础粉体棒；
对纯SiO2芯层基础粉体棒进行全溶液稀土掺杂处理；
将浸泡结束后的芯层基础粉体棒进行处理制得预制棒芯层；
在预制棒芯层上沉积包层粉体棒，并对包层粉体棒进行处理后制得玻璃预制棒。


2.如权利要求1所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：沉积纯SiO2芯层基础粉体棒的基础原料只有SiCl4。


3.如权利要求1所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：全溶液稀土掺杂处理时，将SiO2芯层基础粉体棒在稀土掺杂溶液中浸泡2～24小时进行全溶液掺杂。


4.如权利要求3所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：所述稀土掺杂溶液中包括所有需要掺入的稀土原料和所有需要掺入的共掺原料。


5.如权利要求4所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：所述稀土掺杂溶液包含的稀土原料的化合物的浓度范围为0～10mol％，且该浓度不可以为0，所述稀土掺杂溶液包含的共掺原料的化合物的浓度范围为0～50mol％，且该浓度可以为0。


6.如权利要求1所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王龙飞，李凡，眭立洪，
申请(专利权)人：江苏永鼎光纤科技有限公司，江苏永鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32