一种VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置，包括基础原料供给单元、掺杂装置和VAD装置，掺杂装置包括稀土化合物挥发单元、共掺物挥发单元以及高温传输单元，VAD装置包括内层喷灯、中层喷灯、外层喷灯和控制单元，稀土化合物挥发单元和共掺物挥发单元的输出管路分别通过高温传输单元与内层喷灯的中心供料孔相连；控制单元控制VAD装置中引棒的移动并控制内层喷灯、中层喷灯、外层喷灯引棒上芯层、中间层和包层或者芯层和包层的粉体沉积以及移动过程中的脱水和烧结。本实用新型专利技术能够解决大纤芯稀土掺杂预制棒制备问题，同时克服稀土离子溶液掺杂的局限性问题。

【技术实现步骤摘要】
一种VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置
本技术涉及光纤制备的
，更具体地讲，涉及一种VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置。
技术介绍
稀土元素掺杂特种光纤在光纤激光器、放大器和传感器中有着广泛的应用，并且最近几年得到了很大的发展。光纤预制棒是制作光纤、光缆的重要基础材料，是光纤生产流程中的关键核心技术。目前国内制备预制棒的工艺来讲主要有汽相轴向沉积法(VAD)、外部汽相沉积法(OVD)、改进的化学外部汽相沉积法(MCVD)和等离子体沉积法(PCVD)，其中MCVD和PCVD属于管内沉积法，VAD和OVD方法属于外部沉积法。管内沉积法虽然控制精度上有一定优势，但是其因为在管内沉积，制备的预制棒无论是纤芯和包层尺寸都受到沉积石英管尺寸限制。外部沉积法则摆脱了石英管尺寸限制，可以制备大尺寸光纤预制棒，使其在制造成本上有很大优势。其中，VAD法以其沉积速率高，制造成本低等特点，已经被广泛用于通讯光纤预制棒的制造。但是在稀土掺杂特种光纤预制棒制备领域VAD和OVD法应用很少，专利CN102108008B一种制造稀土元素掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置，其特征在于，包括掺杂装置和VAD装置，其中，/n所述掺杂装置包括稀土化合物挥发单元、共掺物挥发单元以及高温传输单元，所述稀土化合物挥发单元和共掺物挥发单元的输出管路分别穿过高温传输单元与VAD装置相连；/n所述VAD装置包括内层喷灯、中层喷灯、外层喷灯和控制单元，所述稀土化合物挥发单元和共掺物挥发单元的输出管路分别通过高温传输单元与内层喷灯的中心供料孔相连，所述内层喷灯、中层喷灯和外层喷灯的中心供料孔还与VAD装置的基础原料供给单元的输出管路相连；所述控制单元控制VAD装置中引棒的移动并控制内层喷灯、中层喷灯和外层喷灯完成引棒上芯层、中间层和包...

【技术特征摘要】
1.一种VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置，其特征在于，包括掺杂装置和VAD装置，其中，
所述掺杂装置包括稀土化合物挥发单元、共掺物挥发单元以及高温传输单元，所述稀土化合物挥发单元和共掺物挥发单元的输出管路分别穿过高温传输单元与VAD装置相连；
所述VAD装置包括内层喷灯、中层喷灯、外层喷灯和控制单元，所述稀土化合物挥发单元和共掺物挥发单元的输出管路分别通过高温传输单元与内层喷灯的中心供料孔相连，所述内层喷灯、中层喷灯和外层喷灯的中心供料孔还与VAD装置的基础原料供给单元的输出管路相连；所述控制单元控制VAD装置中引棒的移动并控制内层喷灯、中层喷灯和外层喷灯完成引棒上芯层、中间层和包层或者芯层和包层的粉体沉积以及移动过程中的脱水和烧结。


2.根据权利要求1所述VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置，其特征在于，所述稀土化合物挥发单元和共掺物挥发单元均包括料罐、加热器、载气输入管路和输出管路。


3.根据权利要求1所述VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置，其特征在于，所述内层喷灯的中心供料孔尾部位置包含3个孔且端口位置仅设置1个孔，来自稀土化合物挥发单元、共掺物挥发单元和基础原料供给单元的原料分别从内层喷灯的中心供料孔尾部位置的3个孔进入，汇合后经过内层喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：林傲祥，倪力，俞娟，
申请(专利权)人：成都翱翔拓创光电科技合伙企业有限合伙，
类型：新型
国别省市：四川;51