一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，包括由延长杆与PCD复合材质的钻针组合形成的钻杆，钻杆上开设有排屑用的直槽，且钻针的端部形成有先端角。本实用新型专利技术在钻杆上开设排屑用的直槽，使用直槽代替传统PCD钻头中的螺旋状的排屑槽，因此在对半导体晶片进行钻孔时，钻头磨削半导体晶片过程中所产生的细腻粉屑能顺畅地通过直槽排出孔外而不会粘粘在槽内造成堵塞及影响散热以利于钻孔作业。

A PCD bit with straight slot for drilling semiconductor wafer

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头
本技术涉及钻头
，具体涉及一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头。
技术介绍
现有技术中，半导体晶片钻孔作业时，PCD钻头主要是通过磨削作用实现对半导体晶片钻孔的，因此，在磨削过程中会产生比较细腻的粉屑，而现有的PCD钻头都是采用螺旋状的排屑槽来排屑，因此，在钻孔过程中，这些粉屑经常会粘粘在PCD钻头的螺旋状的排屑槽内，不易排出，不利于钻头散热，严重时甚至会造成排屑槽堵塞。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供了一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其主要解决的是现有具有螺旋状排屑槽的PCD钻头在对半导体晶片钻孔过程中，细腻的粉屑容易粘粘在排屑槽内影响散热甚至造成排屑槽堵塞等技术问题。为达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的：一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，包括由延长杆与PCD复合材质的钻针组合形成的钻杆，钻杆上开设有排屑用的直槽，且钻针的端部形成有先端角。进一步，钻杆上开设有两个对称设置的直槽。进一步，先端角上形成有呈中心对称的多斜面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其特征在于：包括由延长杆(22)与PCD复合材质的钻针(21)组合形成的钻杆(2)，钻杆(2)上开设有排屑用的直槽(23)，且钻针(21)的端部形成有先端角(211)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其特征在于：包括由延长杆(22)与PCD复合材质的钻针(21)组合形成的钻杆(2)，钻杆(2)上开设有排屑用的直槽(23)，且钻针(21)的端部形成有先端角(211)。


2.根据权利要求1所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其特征在于：钻杆(2)上开设有两个对称设置的直槽(23)。


3.根据权利要求2所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其特征在于：先端角(211)上形成有呈中心对称的多斜面结构。


4.根据权利要求3所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其特征在于：先端角(211)上形成有依次排布的第一斜面(2111)、第二斜面(2112)、第三斜面(2113)、第四斜面(2114)、第五斜面(2115)和第六斜面(2116)，第一斜面(2111)与第六斜面(2116)呈中心对称设置，第二斜面(2112)与第五斜面(2115)呈中心对称设置，第三斜面(2113)与第四斜面(2114)呈中心对称设置，且第三斜面(2113)和第四斜面(2114)相互配合形成先端角(211)的顶尖部位，定义第一斜面(2111)与第六斜面(2116)的夹角为α，第二斜面(2112)与第五斜面(2115)的夹角为β，第三斜面(2113)与第四斜面(2114)的夹角为γ，其中，α＜β＜γ。


5.根据权利要求4所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其特征在于：第一斜面(2111)与第六斜面(2116)的夹角α的角度范围为40°～70°，第二斜面(2112)与第五斜面(211...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金贤，石锡祥，
申请(专利权)人：厦门厦芝科技工具有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35