一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺，巴伦结构包括硅基片以及依次设置在其上的TSV耦合单元、底部RDL互连线、顶部互连线和接地通孔。TSV耦合单元由TSV两两电容性耦合形成。顶部互连线设置在硅基片的顶部，RDL互连线则设置在硅基片的底部，每段均由两条平行的矩形导体组成。多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径。本发明专利技术可用于实现将单端非平衡信号转换为双端平衡输出信号的巴伦电路功能，与现有技术相比具有集成密度更高、垂直互连串扰与噪声更小、可选频率范围广的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺
本专利技术属于电子
，更进一步涉及电子器件
中的一种硅通孔TSV(ThroughSiliconVia)耦合和重布线层RDL(RedistributionLayer)互连的片上无源巴伦及制作工艺。本专利技术可作为独立器件实现不平衡输入信号至平衡输出信号的转换,也可集成于射频/微波集成电路中实现推挽放大、双平衡混频、平衡放大功能。
技术介绍
巴伦(Balun)为一类三端口电子器件的总称，其主要功能是将不平衡输入信号转换为平衡输出信号，其理想条件下两个平衡输出端幅度相同且相位差180°，因此常被集成于有差分输入需求的电路结构中，如双平衡混频器，推挽放大器等，因此在无线通信、远距离信号传输等应用领域有着广泛应用。传统的巴伦器件根据频段范围、工艺、性能要求的不同，可采用变压器、传输线、功率分配器等不同结构实现。其中Marchand型传输线巴伦由于其较大的工作带宽，出色的平衡性能以及易于集成的特点，在微波频段受到广泛的应用。南京理工大学在其申请的专利文献“基于LTCC的组合型二路功分器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦,包括硅基片(15)，以及依次设置在硅基片(15)上的多段顶部互连线和两个接地通孔(10)、(11)，其特征在于，还包括多组由TSV两两电容性耦合形成的耦合单元和多段底部RDL互连线；所述硅基片(15)的顶部设有多组互连线，每组由三段不连续地顶部互连线组成，每段均由两条平行的矩形导体组成；所述硅基片(15)的底部设有多组RDL互连线，每组由两段不连续地底部RDL互连线组成，每段均由两条平行的矩形导体组成；所述多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径；所述平衡输入端(12)与第三段顶部互连线(3)相连形成L形的输入路径；最...

【技术特征摘要】
1.一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦,包括硅基片(15)，以及依次设置在硅基片(15)上的多段顶部互连线和两个接地通孔(10)、(11)，其特征在于，还包括多组由TSV两两电容性耦合形成的耦合单元和多段底部RDL互连线；所述硅基片(15)的顶部设有多组互连线，每组由三段不连续地顶部互连线组成，每段均由两条平行的矩形导体组成；所述硅基片(15)的底部设有多组RDL互连线，每组由两段不连续地底部RDL互连线组成，每段均由两条平行的矩形导体组成；所述多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径；所述平衡输入端(12)与第三段顶部互连线(3)相连形成L形的输入路径；最中间组的第二顶部互连线(2)的一条矩形导体中间设有开口，所述非平衡输出端(13)、(14)从开口的两侧引出；所述第一接地通孔(10)连接于最左边组的第一顶部互连线(1)，第二接地通孔(11)连接于最右边组的第三顶部互连线(3)。


2.根据权利要求1所述的一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦，其特征在于，所述的巴伦总耦合路径是由单个或多个W形的子耦合路径串联形成的，其中每条子路径是由第一段顶部互连线(1)、第一耦合单元(4)、第一段RDL互连线(8)、第二耦合单元(5)、第二段顶部互连线(2)、第三耦合单元(6)、第二段RDL互连线(9)、第四耦合单元(7)、第三段顶部互连线(3)依次连接形成的；所述的W形...

【专利技术属性】
技术研发人员：董刚，熊伟，朱樟明，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61