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本发明公开了一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺，巴伦结构包括硅基片以及依次设置在其上的TSV耦合单元、底部RDL互连线、顶部互连线和接地通孔。TSV耦合单元由TSV两两电容性耦合形成。顶部互连线设置在硅基片的顶部，RDL互连...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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