一种激基复合物敏化的量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种激基复合物敏化的量子点发光二极管及其制备方法。所述激基复合物敏化的量子点发光二极管包括量子点发光层以及近邻的激基复合物敏化层。该激基复合物敏化层由两种材料混合构成，该两种材料的其中一种是作为给体的空穴传输聚合物材料；另一种是作为受体的电子传输小分子材料；该两种材料之间能够形成激基复合物。本发明专利技术通过利用激基复合物敏化层作为激子收集层，实现空穴传输的同时，利用激基复合物敏化层与近邻量子点发光层之间的界面能量转移过程来提高量子点发光二极管的电致发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种激基复合物敏化的量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及量子点发光二极管
，具体涉及一种激基复合物敏化的量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点(QuantumDots，QDs)是新型的发光材料，具有发光波长尺寸可调、荧光量子效率高、发射光谱窄、色纯度高、稳定性好、可溶液加工等独特优势，从而使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QuantumDotLight-EmittingDiodes，QD-LEDs)在显示、照明等领域具有潜在的应用价值。经过多年的发展，其性能正在逐步提升。然而，在目前量子点发光二极管技术中，空穴传输层材料主要为聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4′-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)](TFB)等聚合物或三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯(CBP)等小分子，电子传输层材料主要为ZnO、TiO2等氧化物。在电子和空穴直接注入形成激子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激基复合物敏化的量子点发光二极管，其特征在于，包括激基复合物敏化的正置结构量子点发光二极管和激基复合物敏化的倒置结构量子点发光二极管；/n所述激基复合物敏化的正置结构量子点发光二极管中，从出光面依次包括透明衬底、透明导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、激基复合物敏化层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极；/n所述激基复合物敏化的倒置结构量子点发光二极管中，从出光面依次包括透明衬底、透明导电阴极、电子传输层、量子点发光层、激基复合物敏化层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。/n

【技术特征摘要】
1.一种激基复合物敏化的量子点发光二极管，其特征在于，包括激基复合物敏化的正置结构量子点发光二极管和激基复合物敏化的倒置结构量子点发光二极管；
所述激基复合物敏化的正置结构量子点发光二极管中，从出光面依次包括透明衬底、透明导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、激基复合物敏化层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极；
所述激基复合物敏化的倒置结构量子点发光二极管中，从出光面依次包括透明衬底、透明导电阴极、电子传输层、量子点发光层、激基复合物敏化层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。


2.根据权利要求1所述的一种激基复合物敏化的量子点发光二极管，其特征在于，所述激基复合物敏化层由两种材料混合构成，该两种材料的其中一种是作为给体的空穴传输聚合物材料，另一种是作为受体的电子传输小分子材料，电场作用下给体和受体界面处能形成激基复合物；激基复合物敏化层作为激子收集层，实现空穴传输的同时，利用激基复合物与近邻量子点发光层之间的界面能量转移过程来提高量子点发光二极管的电致发光效率；所述激基复合物敏化层的厚度为10～40nm。


3.根据权利要求2所述的一种激基复合物敏化的量子点发光二极管，其特征在于，所述激基复合物为蓝色发光或绿色发光的激基复合物材料；其中，蓝色发光的激基复合物包括小分子2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑](OXD-7)掺杂Poly-TPD形成的OXD-7:Poly-TPD激基复合物、小分子2-(4′-叔丁苯基)-5-((4′-联苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)掺杂PVK形成的PBD:PVK激基复合物、OXD-7掺杂PVK形成的OXD-7:PVK激基复合物中的一种；绿色发光的激基复合物包括小分子2,4,6-三(1,1′-联苯基)-1,3,5-三嗪(T2T)掺杂PVK组成的T2T:PVK激基复合物；所述激基复合物中电子传输小分子材料掺杂比例为10～30wt％。


4.根据权利要求1所述的一种激基复合物敏化的量子点发光二极管，其特征在于，所述透明衬底包括玻璃衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底、聚醚砜树脂(PES)衬底、聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)衬底、聚碳酸脂(PC)衬底、聚二甲基硅氧烷(PDMS)衬底、聚酰亚胺(PI)衬底、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)衬底或金属箔片衬底中的一种或多种；
激基复合物敏化的正置结构量子点发光二极管中的透明导电阳极和激基复合物敏化的倒置结构量子点发光二极管中的透明导电阴极均为透明导电薄膜层，均包括铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、金属-半导体-金属结构电极、金属纳米线阳极或石墨烯和碳纳米管薄膜中的一种或多种；
所述电子传输层为ZnO纳米颗粒电子传输层，厚度为40～70nm；所述金属阴极为铝金属电极；所述金属阳极为银金属电极。


5.根据权利要求1所述的一种激基复合物敏化的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点为红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点中的一种，所述红光量子点包括CdSe/CdS/ZnS、InP/ZnSe/ZnS红光量子点，所述绿光量子点包括CdSe/CdS/ZnS、InP/ZnSe/ZnS绿光量子点，所述蓝光量子点包括ZnCdS/ZnS蓝光量子点；量子点发光层的厚度为10～40nm。


6.根据权利要求1所述的一种激基复合物敏化的量子点发光二极管，其特征在于，所述激基复合物敏化的正置结构量子点发光二极管的空穴注入层为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)薄膜，PEDOT与PSS的质量比为1:6～20；空穴注入层的厚度为40～70nm；
所述激基复合物敏化的倒置结构量子点发光二极管的空穴注入层为三氧化钼(MoO3)，空穴注入层的厚度为5-10nm；
所述激基复合物敏化的正置结构量子点发光二极管的空穴传输层为空穴传输聚合物材料，所述空穴聚合物包括聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：章勇，黄嘉辉，张颖楠，王丹，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东;44