量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层与所述量子点发光层之间设置含有聚烯烃的材料层，所述聚烯烃相互交联形成网状结构。本发明专利技术提供的量子点发光二极管中，在电子传输层与量子点发光层之设置有一层特殊的材料层，该材料层可以减少器件阴极的电子注入速率、调节量子点颗粒的分布，使量子点发光层与电子传输层的界面得到优化，从而提高器件的效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点(QDs)材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。目前，QLED通常采用三明治结构，器件中包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极；其中，发光层即量子点发光层，是由一层纳米颗粒组成，目前存在的问题是：如果纳米颗粒浓度过低，无法形成一层致密的量子点层，即出现孔洞，会导致漏电流的发生；如果纳米颗粒浓度过高，会出现纳米颗粒的堆积，即有团簇生成，会导致Dexter能量转移(Dexter能量转移属于非辐射能量转移)，降低了器件的发光效率。因此，如何制备一层致密均匀的量子点发光层，是提高QLED发光效率的重要研究方向。另外，为了提高器件效率，使载流子在量子点发光层复合，目前常采用电子传输层来阻挡空穴和调整电子注入速率，但电子传输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层与所述量子点发光层之间设置含有聚烯烃的材料层，所述聚烯烃相互交联形成网状结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层与所述量子点发光层之间设置含有聚烯烃的材料层，所述聚烯烃相互交联形成网状结构。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述材料层由相互交联的聚烯烃组成；和/或，
所述聚烯烃选自聚乙烯和聚丙烯中的至少一种。


3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述聚烯烃相互交联形成的网状结构中分散有所述量子点发光层中的量子点颗粒。


4.如权利要求1-3任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极与所述电子传输层之间设置有电子注入层；和/或，
所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层。


5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
所述量子点发光二极管为正置型器件时，
提供阳极基板；
在所述阳极基板上制备量子点发光层，然后在所述量子点发光层表面制备含有聚烯烃的材料层；或者，
所述量子点发光二极管为反置型器件时，
提供阴极基板；
在所述阴极基板上制备含有聚烯烃的材料层，然后在所述材料层的表面制备量子点发光层；
其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡忠宇，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44