【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请要求于2019年6月14日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0070657号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
为了满足客户对更好性能和更低成本的需求，非易失性存储器装置的集成密度不断增加。然而，对于二维或平面存储器装置，集成密度由单位存储器单元所占据的面积确定。因此，目前正在开发一种限制(例如，减少)由于三维存储器装置而引起的占据面积的增加并且通过垂直地设置单位存储器单元来提高集成密度的三维存储器装置。
技术实现思路
本公开的技术目的是通过使沟道孔的在下堆叠件与上堆叠件之间的部分的宽度形成为宽的来减少沟道孔中的未对准的产生，进而提供一种具有加强的可靠性的半导体装置。根据本公开的示例性实施例，半导体装置包括第一基底、第一堆叠结构、第二堆叠结构、结层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、第一沟道孔和第二沟道孔。第一区域和第二区域限定在第一基底中。第一堆叠结构包括在第一基底上顺序地移位并堆叠的多个第...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域；/n第一堆叠结构，包括在第一基底上顺序地移位并堆叠的多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在第一方向上的长度与所述多个第一栅电极离第二区域的第一基底的距离成比例地减小；/n第二堆叠结构，包括在第一堆叠结构上顺序地移位并堆叠的多个第二栅电极；/n结层，设置在第一堆叠结构与第二堆叠结构之间；/n第一层间绝缘层，设置在第一堆叠结构的侧表面上；/n第二层间绝缘层，覆盖第二堆叠结构；/n第一沟道孔，在第一区域的第一基底上包括穿透第一堆叠结构的第一部分、穿透结层的第二部分和穿透第二堆叠结构的第三部分；...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190614 KR 10-2019-00706571.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域；
第一堆叠结构，包括在第一基底上顺序地移位并堆叠的多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在第一方向上的长度与所述多个第一栅电极离第二区域的第一基底的距离成比例地减小；
第二堆叠结构，包括在第一堆叠结构上顺序地移位并堆叠的多个第二栅电极；
结层，设置在第一堆叠结构与第二堆叠结构之间；
第一层间绝缘层，设置在第一堆叠结构的侧表面上；
第二层间绝缘层，覆盖第二堆叠结构；
第一沟道孔，在第一区域的第一基底上包括穿透第一堆叠结构的第一部分、穿透结层的第二部分和穿透第二堆叠结构的第三部分；以及
第二沟道孔，在第二区域的第一基底上包括穿透第一堆叠结构的第一部分、穿透第一层间绝缘层的第二部分和穿透第二层间绝缘层的第三部分，
其中，第一沟道孔的第二部分在与第一方向正交的第二方向上的高度小于第二沟道孔的第二部分在第二方向上的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括设置在结层与第二堆叠结构之间的虚设栅电极。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，与所述多个第一栅电极中的每个第一栅电极相比，虚设栅电极在第一方向上突出得更远。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，虚设栅电极包括与所述多个第一栅电极中的每个第一栅电极的材料相同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一沟道孔的第二部分的宽度大于第一沟道孔的第三部分的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二沟道孔的第二部分的宽度大于第二沟道孔的第三部分的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，结层包括与第一层间绝缘层的材料相同的材料。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，结层与第二堆叠结构接触。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括设置在第一基底的下部分上的第二基底，并且包括外围晶体管和与外围晶体管电连接的下连接布线。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一区域的第一基底上从第一沟道孔移位并且穿透第一堆叠结构、结层和第二堆叠结构的导线。
11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域；
第一堆叠结构，包括在第一基底上顺序地移位并堆叠的多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在第一方向上的长度与所述多个第一栅电极离第二区域的第一基底的距离成比例地减小；
虚设栅电极，设置在第一堆叠结构上；
第二堆叠结构，包括在虚设栅电极上顺序地移位并堆叠的多个第二栅电极；
技术研发人员：孙仑焕，千志成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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