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公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域；第一堆叠结构，具有在第一基底上顺序地移位并堆叠的第一栅电极；第二堆叠结构，具有在第一堆叠结构上顺序地移位并堆叠的第二栅电极；结层，设置在第一堆叠结构与第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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