一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具制造技术

本发明专利技术公开了一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，包括定位框和下补强钢件，所述定位框的上端卡接有手测盖，所述手测盖上端安装有风扇，所述手测盖底部设有上导电铜块，所述定位框内部的型腔内设有下导电铜块，所述上导电铜块和下导电铜块之间设有裸die芯片，所述定位框的两侧设有气管接头，所述定位框和下补强钢件之间固定有上补强钢件，所述上补强钢件的上端设有PCB板。本发明专利技术定位框采用浮动式设计，避免了裸die芯片不平衡，手测盖下压时压裂裸die芯片；通过上导电铜块和下导电铜块的设置，直接接触裸die芯片的C极和E极来通过大电流测试，同时也能满足高温和高压要求。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具
本专利技术涉及芯片测试治具
，具体为一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具。
技术介绍
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，应用于直流电压为600V及以上的变流系统如轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域。未封装的裸die芯片超薄(厚度低于100um)，测试需要超大电流(400A以上持续2ms，1000A以上瞬时电流)，超大电压(600V以上)，量产之前需要手动测试，简单验证芯片的部分电性能。在测试时，交流电流从C极，经过G极的电子开关，变为直流电从E极流出，从而达到工作电流，使后续设备启动。测试注意事项：芯片超薄，测试时高温高压大电流。由于芯片超薄，传统pogopin单个pin力量太大>15g，芯片定位不好或者没放平容易造成芯片损伤，采用wireprobe(单pin力量<3g)，单独pin持续电流太小，需要放置大量的线针分摊电流，成本极高。为此，我们推出一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具，包括定位框和下补强钢件，所述定位框的上端卡接有手测盖，所述手测盖上端安装有风扇，所述手测盖底部设有上导电铜块，所述定位框内部的型腔内设有下导电铜块，所述上导电铜块和下导电铜块之间设有裸die芯片，所述定位框的两侧设有气管接头，所述定位框和下补强钢件之间固定有上补强钢件，所述上补强钢件的上端设有PCB板。作为本技术方案的进一步优化，所述手测盖的两侧活动连接有卡扣座，所述卡扣座卡结于定位框两侧的卡槽。作为本技术方案的进一步优化，所述手测盖内部设有位于风扇下方的散热块。作为本技术方案的进一步优化，两组所述气管接头一进一出通入热氮气，用于将型腔内空气挤排干净。作为本技术方案的进一步优化，所述定位框下端的定位销贯穿PCB板后插入至上补强钢件内，所述下补强钢件上端的定位块插入至上补强钢件内。作为本技术方案的进一步优化，所述定位框、上补强钢件和下补强钢件之间通过pogopin定位针进行定位连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术定位框采用浮动式设计，避免了裸die芯片不平衡，手测盖下压时压裂裸die芯片；下导电铜块和PCB板的接触之间，通过上导电铜块和下导电铜块的设置，直接接触裸die芯片的C极和E极来通过大电流测试，同时也能满足高温和高压要求；摒弃了传统的FR4镀金pad设计，采用整片铜片来走大电流设计；定位框增加两个气管接头，一进一出，通入热氮气，将型腔内空气挤排干净，防止裸die芯片打火。附图说明图1为本专利技术分解结构示意图；图2为本专利技术侧剖结构示意图。图中：1手测盖、2上导电铜块、3裸die芯片、4下导电铜块、5定位框、6上补强钢件、7下补强钢件、8气管接头、9卡扣座、10卡槽、11定位销、12定位块、13风扇、14散热块。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-2，本专利技术提供一种技术方案：一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具，包括定位框5和下补强钢件7，所述定位框5的上端卡接有手测盖1，所述手测盖1上端安装有风扇13，所述手测盖1底部设有上导电铜块2，所述定位框5内部的型腔内设有下导电铜块4，所述上导电铜块2和下导电铜块4之间设有裸die芯片3，所述定位框5的两侧设有气管接头8，所述定位框5和下补强钢件7之间固定有上补强钢件6，所述上补强钢件6的上端设有PCB板。具体的，所述手测盖1的两侧活动连接有卡扣座9，所述卡扣座9卡结于定位框5两侧的卡槽10。具体的，所述手测盖1内部设有位于风扇13下方的散热块14。具体的，两组所述气管接头8一进一出通入热氮气，用于将型腔内空气挤排干净。具体的，所述定位框5下端的定位销11贯穿PCB板后插入至上补强钢件6内，所述下补强钢件7上端的定位块12插入至上补强钢件6内。具体的，所述定位框5、上补强钢件6和下补强钢件7之间通过pogopin定位针进行定位连接。具体的，使用时，定位框5采用浮动式设计，避免了裸die芯片3不平衡，手测盖1下压时压裂裸die芯片3；下导电铜块4和PCB板的接触之间，采用了双浮动铜块设计，采用大电流pogopin定位针代替传统弹簧，起到弹性接触裸die芯片3的E极和分摊电流作用；通过上导电铜块2和下导电铜块4的设置，直接接触裸die芯片3的C极和E极来通过大电流测试，同时也能满足高温和高压要求；摒弃了传统的FR4镀金pad设计，采用整片铜片来走大电流设计；手测盖1与定位框5之间增加密封条，测试位置时型腔区域形成局部密封；定位框5增加两个气管接头8，一进一出，通入热氮气，将型腔内空气挤排干净，防止裸die芯片3打火；手测盖1内增加热电偶，加热棒和风扇13，外接温控器，达到控制效果采用kelvin设计，减小因为电压变化带来的电感波动。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，包括定位框(5)和下补强钢件(7)，其特征在于：所述定位框(5)的上端卡接有手测盖(1)，所述手测盖(1)上端安装有风扇(13)，所述手测盖(1)底部设有上导电铜块(2)，所述定位框(5)内部的型腔内设有下导电铜块(4)，所述上导电铜块(2)和下导电铜块(4)之间设有裸die芯片(3)，所述定位框(5)的两侧设有气管接头(8)，所述定位框(5)和下补强钢件(7)之间固定有上补强钢件(6)，所述上补强钢件(6)的上端设有PCB板。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具，包括定位框(5)和下补强钢件(7)，其特征在于：所述定位框(5)的上端卡接有手测盖(1)，所述手测盖(1)上端安装有风扇(13)，所述手测盖(1)底部设有上导电铜块(2)，所述定位框(5)内部的型腔内设有下导电铜块(4)，所述上导电铜块(2)和下导电铜块(4)之间设有裸die芯片(3)，所述定位框(5)的两侧设有气管接头(8)，所述定位框(5)和下补强钢件(7)之间固定有上补强钢件(6)，所述上补强钢件(6)的上端设有PCB板。


2.根据权利要求1所述的一种超薄裸dieIGBT芯片的测试治具，其特征在于：所述手测盖(1)的两侧活动连接有卡扣座(9)，所述卡扣座(9)卡结于定位框(5)两侧的卡槽(10)。


3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷岚勇，李亚鹏，
申请(专利权)人：苏州韬盛电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32