光波导路的制成方法技术

本发明专利技术提供一种光波导路的生成方法，其特征在于，在可以剥离的基材（ａ）表面形成芯层（ｃ），接着芯层（ｃ）的表面和基材表面形成金属包层（ｄ），从芯层（ｃ）和金属包层（ｄ）剥离基材（ａ），制成芯层（ｃ）的上层面（ｅ）或下层面不被金属包层（ｄ）覆盖的光波导路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可以适合用作光集成电路的芯层的上层面或下层面不为金属包层所覆盖的。
技术介绍
近年来，要求光通信系统或计算机中信息处理的大容量化和高速化，所以使得作为光的传送介质的光波导路引起人们的注意。作为，已知例如包括如下工序的方法准备表面具有凹沟的第1金属包层构件的工序，在第1金属包层构件之上涂敷第1液态高分子材料来覆盖凹沟和凹沟周边的工序，对涂敷的第1液态高分子材料进行热处理、形成表面具有凹沟比凹沟周边低而成的凹陷且凹陷深度与凹沟周边的厚度相同或比其更大的芯构件的工序，在第1金属包层构件和芯构件的上面涂敷第2液态高分子材料的工序，对涂敷的第2液态高分子材料进行热处理来形成第2金属包层构件的工序(参照特开2002-350661号公报)。但是，通过这样的方法不能在芯部表面形成没有金属包层的光波导路。另一方面，还有制造芯构件不被金属包层构件覆盖的光波导路的方法。作为这样的光波导路的制造方法，已知例如如下方法在基板上形成由光敏性材料构成的膜，接着在该膜上对光波导路芯图案进行曝光，然后对光敏性材料或其衍生物进行稳定化处理，形成由芯部和金属包层部构成的图案层(参照特开2003-14966号公报)。但是，通过这样的方法，形成芯的上层面和下层面二者都不被金属包层覆盖的光波导路，不能形成芯的上层面和下层面中的只有一面不被金属包层覆盖的光波导路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种，是用芯层和金属包层构成的光波导路，是在金属包层内设有芯层且芯层的上层面或下层面不被金属包层所覆盖的。本专利技术提供一种，其特征在于，在可以剥离的基材表面形成芯层，接着在芯层的表面和该基材表面形成金属包层，从芯层和金属包层剥离该基材，制成芯层的上层面或下层面不被金属包层所覆盖的光波导路。进而，本专利技术的具有代表性的实施方式(embodiment)是如下所述的，即在可以剥离的基材表面涂敷负型能量线敏感性材料或正型能量线敏感性材料，照射能量线，进行显影而形成芯层，接着，在芯层的表面和该基材的表面中应该形成金属包层的部分涂敷金属包层形成用材料，形成折射率比芯层的折射率低的金属包层，从芯层和金属包层剥离该基材，制成芯层的上层面或下层面不被金属包层覆盖的光波导路。进而，本专利技术的其它实施方式是如下所述的，即在可以剥离的基材表面涂敷能量线敏感性折射率变化性材料，照射能量线，形成由芯层和金属包层构成的折射率图案层，接着，在折射率图案层的表面上进一步形成金属包层，从折射率图案层剥离该基材，制成含有芯层的上层面或下层面的折射率图案层的上层面或下层面不被金属包层覆盖的光波导路。通过本专利技术，可以用简单的工序获得在金属包层内设有芯层、然后芯层的上层面和下层面中的一面不被金属包层所覆盖而另一面用金属包层覆盖的光波导路。而且，可以形成芯层的上层面和金属包层的上层面的高度差或芯层的下层面和金属包层的下层面的高度差为0.1μm以下的光波导路。附图说明图1是表示本专利技术的的各工序的一个实施方式的概略截面图。图2是表示本专利技术的的各工序的一个实施方式的概略截面图。图3是表示芯层的上层面和金属包层的上层面的高度差的概略截面图。图4是表示本专利技术的的各工序的一个实施方式的概略截面图。具体实施例方式下面用图对本专利技术的优选实施方式进行说明。图1和图2是表示以如下所示的方式制成如下所述的光波导路的方法的概略截面图，即在可以剥离的基材表面涂敷负型或正型能量线敏感性材料，照射能量线，进行显影而形成芯层，接着，在芯层的表面和该基材的表面中应该形成金属包层的部分涂敷金属包层形成用材料，形成折射率比芯层的折射率低的金属包层，从芯层和金属包层剥离该基材，制成芯层的上层面或下层面不被金属包层覆盖的光波导路。特别是，图1所示的方法为使用负型能量线敏感性材料作为芯层的形成用材料的例子，图2所示的方法为使用正型能量线敏感性材料的例子。在图1所示的方法中，首先，在可以剥离的基材a表面涂敷用于形成芯层的负型能量线敏感性材料b。接着，对应该形成芯层的部分照射能量线形成图案，进行显影形成需要图案的芯层c。接着，在芯层c的表面和基材a的表面中应该形成金属包层的部分涂敷金属包层形成用材料。按照需要使该涂敷后的金属包层形成用材料固化，形成金属包层d。该金属包层d的折射率比芯层c的折射率低。形成金属包层d之后，按照需要使其倒置以使其上下颠倒。接着，从芯层c和金属包层d上剥离基材a，获得光波导路。用这样的方法获得的光波导路，需要的图案形状的芯层c的下面和侧面与金属包层d相接，所以具有芯层c设于金属包层d内的结构。但是，芯层c的上层面e不被金属包层d所覆盖。另外，芯层c的上层面e与金属包层d的上层面j的高度差较小。在图1所示的方法中，是在形成金属包层d之后，将其倒置，当然，也可以不使其倒置而从下侧剥离基材a。在使其倒置后剥离基材a的情况下，可以获得芯层c的上层面e不被金属包层d所覆盖的光波导路。另一方面，在不使其倒置而剥离基材a的情况下，可以获得芯层c的下层面不被金属包层d所覆盖的光波导路。这与后述的图2和图4所示的方法相同。作为可以剥离的基材a，例如可以优选使用其基材的材料自身显示脱模性的基材、例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄片。另外，例如在粘合剂层的一面(不是聚氯乙稀薄膜层面)上也可以使用以硅、蜡、氟树脂等脱模剂处理了的纸、金属薄片、塑料薄片、玻璃板等脱模性基材。作为负型能量线敏感性材料b，可以使用公知的材料。具体地说，可以使用在由该材料形成的被膜中，照射能量线(可见光线、紫外线、热线等)的地方发生固化而不溶于显影液、而另一方面未照射的地方被显影液溶解由此而能够形成芯层的材料。通过将材料b涂装或印刷于基材a上，能够形成用于构成芯层的被膜。作为该涂装或印刷的方法，可以举例为滚筒法、喷射法、帘辊法、丝网印制法。另外，作为能量线，可以举例为氩激光(488nm)、半导体激光(830nm)、YAG激光(1.06μm)等。显影例如可以用水处理或有机溶剂处理来进行。另外，在材料b是阴离子性的情况下，可以使用碱性显影液，在是阳离子性的情况下，可以使用酸性显影液进行处理。这些显影处理可以用公知的方法进行。金属包层d的形成用材料，只要是可以形成具有比芯层的折射率低的折射率的金属包层的材料，就没有特别限制。可以使用例如热塑性树脂、固化性树脂等公知的树脂。作为热塑性树脂，可以举例为丙烯酸系树脂、环氧系树脂、硅系树脂、聚碳酸酯系树脂、硅氧烷系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚氨基甲酸酯系树脂、氧杂环丁烷系树脂、聚醚砜系树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酰亚胺系树脂、聚砜系树脂、聚醚酮系树脂、聚酰胺系树脂、聚乙烯系树脂、聚丙烯系树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)系树脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolac)系树脂、乙烯-乙烯基醇共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯系树脂、氟系树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯系树脂、聚缩醛系树脂、聚醚腈系树脂、聚酰胺11、聚烯烃-马来酸酐缩亚胺共聚物、芳族聚酰胺(aramid)系树脂、液晶聚合物(聚缩醛共聚物、旭化成工业株式会社制，商品名テナツク系列)、氰酸酯系树脂等。作为固化性树脂，可以举例为热固化性树脂、常温固化性树脂、活性能量线固化性树脂等。特别是，作为活性能量线固化性树脂，也可以使用与上述的负型能量线敏感性材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光波导路的制成方法，其特征在于，在可以剥离的基材表面形成芯层，接着在芯层的表面和该基材表面形成金属包层，从芯层和金属包层剥离该基材，制成芯层的上层面或下层面不被金属包层所覆盖的光波导路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：今井玄儿，
申请(专利权)人：关西油漆株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]