一种晶硅切片机主轴非接触密封结构制造技术

技术编号:26726481 阅读:24 留言:0更新日期:2020-12-15 14:24
本发明专利技术公开了一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,涉及主轴密封的技术领域,其技术方案要点是包括主轴外套;密封静环;以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;密封静环与密封动环之间形成气幕间隙和排污腔,排污腔位于气幕间隙靠近零部件安装空间一侧,气幕间隙与外界连通,密封静环上开设有用于对气幕间隙供气的静环供气孔,密封静环上开设有用于将排污腔中的污染杂质排出的静环排污孔;将高压气体通入到静环供气孔当中,供气孔将气体送入到气幕间隙中,一部分气体在气幕间隙中形成向外吹拂的气幕,一部分进入到排污腔中,气幕能够阻挡污染杂质进入密封静环和密封动环之间,向排污腔内吹的气体,能够将进入突破气幕进入排污腔中的杂质通过静环排污孔吹出。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅切片机主轴非接触密封结构
本专利技术涉及主轴密封的
,更具体的说,它涉及一种晶硅切片机主轴非接触密封结构。
技术介绍
随着光伏行业的发展,对晶硅切片机的可靠性要求越来越高,其中,晶硅切片机主轴的密封性问题直接影响晶硅切片机的可靠性。晶硅切片机中主轴起支撑与旋转功能;主轴包括主轴芯轴、套设在主轴芯轴外侧的主轴外套以及内部零部件;主轴芯轴与主轴外套存在相对的旋转运动,二者之间存在一定的零部件安装空间,内部零部件设置在零部件安装空间中;零部件安装空间当中通常安装轴承或隔圈等零部件来实现主轴的功能;零部件安装空间一般由密封结构与外界分隔,晶硅切片机在工作时,主轴的工作环境通常是比较恶劣的,存在大量的水汽以及硅粉等污染杂质,这些杂质容易穿过密封结构进入到主轴内,一旦这些污染杂质进入主轴,将导致主轴的失效。现有的切片机主轴损坏原因大部分都是因为密封失效,导致污染杂质进入主轴,导致内部零件损坏,现在亟需一种不容易出现密封失效的晶硅切片机主轴密封结构。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本专利技术的目的在于提供一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,该结构使得主轴不容易出现密封失效的问题。为实现上述目的,本专利技术提供了如下技术方案:一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,主轴外套,其套设在主轴芯轴外侧,用于对主轴芯轴进行支撑;密封静环,其固定在主轴外套靠近主轴芯轴端部的一侧;以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;密封静环与密封动环之间形成气幕间隙和排污腔,排污腔位于气幕间隙靠近零部件安装空间一侧,气幕间隙与外界连通,密封静环上开设有用于对气幕间隙供气的静环供气孔,密封静环上开设有用于将排污腔中的污染杂质排出的静环排污孔。通过采用上述技术方案,将高压气体通入到静环供气孔当中,供气孔将气体送入到气幕间隙中,一部分气体在气幕间隙中形成向外吹拂的气幕,一部分进入到排污腔中,气幕能够阻挡污染杂质进入密封静环和密封动环之间,向排污腔内吹的气体,能够将进入突破气幕进入排污腔中的杂质通过静环排污孔吹出,从而使得污染杂质不容易进入到零部件安装空间处,从而使得主轴不容易出现密封失效的问题。本专利技术进一步设置为:所述气幕间隙与排污腔之间设置有用于对进入到排污腔当中的气体进行限制的第一密封间隙。通过采用上述技术方案,通过设置密封间隙,提高气体从气幕间隙流向排污腔的气阻,从而使得高压空气更加容易在气幕间隙当中向外流动形成气幕,从而更好的阻止污染杂质进入气幕间隙当中。本专利技术进一步设置为:所述第一密封间隙与所述气幕间隙之间设置有呈环形的出气间隙,出气间隙与静环供气孔直接连通。通过采用上述技术方案,高压气体通过静环供气孔进入到出气间隙当中,高压气体进入到出气间隙中之后,能够均布在出气间隙当中,从而使得气幕间隙中形成的气幕在密封动环的周向方向上能够更加均匀。本专利技术进一步设置为:所述密封静环与主轴外套之间设置有法兰,密封静环与法兰相互贴合的一侧设置有供气环槽,法兰上开设有为供气环槽供气的法兰供气孔,静环供气孔在密封静环上设置有若干个且环绕密封静环设置。通过采用上述技术方案,供气环槽同时对多个法兰供气孔进行供气,多个法兰供气孔同时对出气间隙进行供气,使得气体在出气间隙当中的分布更加均匀,从而使得气幕间隙中形成的气幕在密封动环的周向方向上能够更加均匀。本专利技术进一步设置为:所述排污腔靠近零部件安装空间一侧设置有位于密封静环和密封动环之间的容脂腔,容脂腔用于容纳油脂。通过采用上述技术方案,当污染杂质冲破气幕间隙和排污腔进入到容脂腔中时,污染杂质会被油脂吸附。本专利技术进一步设置为:所述排污腔和所述容脂腔之间设置有位于密封静环和密封动环之间的第二密封间隙。通过采用上述技术方案,由于排污腔与外界大气连通,通过第二密封间隙,增加排污腔与容脂腔之间的气阻,使得外界空气不容易进入到容脂腔当中。本专利技术进一步设置为:所述第一密封间隙和所述第二密封间隙都为迷宫间隙,迷宫间隙为延伸方向发生至少一次变化的间隙。通过采用上述技术方案,改变迷宫间隙的延伸反向,能够为气体在迷宫间隙当中的流动提高气阻,从而有效的达到密封间隙所要达到的提高气阻的效果。本专利技术进一步设置为:所述密封静环包括密封静环一和密封静环二,密封静环二与密封动环之间形成气幕间隙,密封静环一和密封静环二为一体或分体,当密封静环一和密封静环二为分体时,密封静环一和密封静环二的相对位置固定。本专利技术进一步设置为:所述主轴外套与密封静环一之间设置有法兰,法兰固定连接在主轴外套上,密封静环一与法兰一体或分体,当密封静环一与法兰为分体时,密封静环一与法兰的相对位置固定。本专利技术进一步设置为:沿背离零部件安装空间的方向,密封动环靠近密封静环一侧的直径逐渐增大。通过采用上述技术方案,朝向背离零部件安装空间的方向,密封动环外侧的直径逐渐增大,使得污染杂质容易在密封动环提供的离心力的作用下,沿着密封动环与密封静环之间的间隙朝向背离零部件安装空间的方向移动,最终从气幕间隙中排出,并且随着直径的增大,所能够提供的离心力就越大,使得污染杂质能够更加顺畅的排出。综上所述,本专利技术相比于现有技术具有以下有益效果:本专利技术将高压气体通入到静环供气孔当中,供气孔将气体送入到气幕间隙中,一部分气体在气幕间隙中形成向外吹拂的气幕,一部分进入到排污腔中,气幕能够阻挡污染杂质进入密封静环和密封动环之间,向排污腔内吹的气体,能够将进入突破气幕进入排污腔中的杂质通过静环排污孔吹出,从而使得污染杂质不容易进入到零部件安装空间处,从而使得主轴不容易出现密封失效的问题。附图说明图1为实施例的体现气幕间隙的剖视图;图2为图1的A部放大示意图;图3为实施例体现法兰供气孔的剖视图;图4为图1的B部放大示意图;图5为图3的C部放大示意图。图中:1、主轴芯轴;2、零部件安装空间;3、主轴外套;31、主轴外套供气孔;32、主轴外套排污孔;4、法兰;41、法兰供气孔;42、法兰排污孔;5、密封静环一;51、静环供气孔;52、静环排污孔;6、密封静环二;7、密封动环;8、垫片;9、供气环槽;91、出气间隙;92、气幕间隙;93、排污腔;94、容脂腔;95、第一密封间隙;96、第二密封间隙;97、第三密封间隙。具体实施方式为了使本领域的人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合本专利技术的附图,对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述,基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的其它类同实施例,都应当属于本申请保护的范围。此外,以下实施例中提到的方向用词,例如“上”“下”“左”“右”等仅是参考附图的方向,因此,使用的方向用词是用来说明而非限制本专利技术创造。下面结合附图和较佳的实施例对本专利技术作进一步说明。实施例:一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,参见附图1和附图2,套设在主轴芯轴1外侧的用于对主轴芯轴1进行支撑的主轴外套3、固定连接在主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:主轴外套,其套设在主轴芯轴外侧,用于对主轴芯轴进行支撑;/n密封静环,其固定在主轴外套靠近主轴芯轴端部的一侧;/n以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;/n密封静环与密封动环之间形成气幕间隙和排污腔,排污腔位于气幕间隙靠近零部件安装空间一侧,气幕间隙与外界连通,密封静环上开设有用于对气幕间隙供气的静环供气孔,密封静环上开设有用于将排污腔中的污染杂质排出的静环排污孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:主轴外套,其套设在主轴芯轴外侧,用于对主轴芯轴进行支撑;
密封静环,其固定在主轴外套靠近主轴芯轴端部的一侧;
以及密封动环,其固定在主轴芯轴上;
密封静环与密封动环之间形成气幕间隙和排污腔,排污腔位于气幕间隙靠近零部件安装空间一侧,气幕间隙与外界连通,密封静环上开设有用于对气幕间隙供气的静环供气孔,密封静环上开设有用于将排污腔中的污染杂质排出的静环排污孔。


2.根据权利要求1所述的一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:所述气幕间隙与排污腔之间设置有用于对进入到排污腔当中的气体进行限制的第一密封间隙。


3.根据权利要求2所述的一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:所述第一密封间隙与所述气幕间隙之间设置有呈环形的出气间隙,出气间隙与静环供气孔直接连通。


4.根据权利要求3所述的一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征在于:所述密封静环与主轴外套之间设置有法兰,密封静环与法兰相互贴合的一侧设置有供气环槽,法兰上开设有为供气环槽供气的法兰供气孔,静环供气孔在密封静环上设置有若干个且环绕密封静环设置。


5.根据权利要求2所述的一种晶硅切片机主轴非接触密封结构,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:鹿慧丰王海超仇健
申请(专利权)人:青岛高测科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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