晶体管白噪声测试系统技术方案

本申请实施例提供一种晶体管白噪声测试系统，涉及半导体器件测试技术领域。该系统包括：控制单元、白噪声测试电路、待测试晶体管及白噪声采集与分析单元。控制单元控制待测试晶体管运动至白噪声测试电路的晶体管测试位点。白噪声测试电路包括晶体管测试位点、电压源、放大电路及白噪声采集端，白噪声测试电路用于将待测试晶体产生的白噪声进行放大输出给白噪声采集与分析单元，白噪声采集与分析单元对采集的白噪声进行分析。上述测试系统通过电压源为晶体管提供的反向偏置电压，利用该反向偏置电压击穿晶体管的PN结所产生的白噪声作为晶体管自身的白噪声源信号，对晶体管的白噪声进行测试分析，为晶体管工艺理论研发提供参考。

【技术实现步骤摘要】
晶体管白噪声测试系统
本申请涉及半导体器件测试
，具体而言，涉及一种晶体管白噪声测试系统。
技术介绍
白噪声作为晶体管本身固有的一项重要参数，在放大电路系统中对整机的信号噪声比具有较大影响，选择白噪声系数小的晶体管对于整机信号噪声比的降低具有深远意义。同时，在晶体管工艺研发过程中为晶体管白噪声系数的工艺调整及降低具有理论参考意义。如何对晶体管进行白噪声测试是本领域技术人员急需要解决的技术问题。需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本申请的总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种晶体管白噪声测试系统。本申请提供的晶体管白噪声测试系统，包括：控制单元、白噪声测试电路、待测试晶体管及白噪声采集与分析单元；所述控制单元包括传动装置、滑轨及位于所述滑轨上的晶体管电极安装位点，所述传动装置控制所述滑轨运动，以使安装在所述晶体管电极安装位点的待测试晶体管运动至所述白噪声测试电路的晶体管测试位点，并使所述待测试晶体管的电极与所述晶体管测试位点电性接触；所述白噪声测试电路包括晶体管测试位点、电压源、放大电路及白噪声采集端，所述电压源为位于所述晶体管测试位点的待测试晶体管提供反向偏置电压，以使所述待测试晶体管产生白噪声；所述放大电路的输入端与所述晶体管测试位点连接，用于对所述待测试晶体产生的白噪声进行放大；所述白噪声采集端与所述放大电路的输出端连接；所述白噪声采集与分析单元和所述白噪声测试电路的白噪声采集端连接，用于对采集的白噪声进行分析。在本申请的一种可能实施例中，所述电压源包括步进可调电压源。在本申请的一种可能实施例中，所述待测试晶体管包括PNP双极型三极管和NPN双极型三极管。在本申请的一种可能实施例中，所述晶体管测试位点包括第一电阻、第一位点与第二位点；在所述待测试晶体管为PNP双极型三极管时，所述待测试晶体管的发射极与所述第一位点电性连接，所述待测试晶体管的基极与所述第二位点电性连接；在所述待测试晶体管为NPN双极型三极管时，所述待测试晶体管的基极与所述第一位点电性连接，所述待测试晶体管的发射极与所述第二位点电性连接；所述电压源的正极通过所述第一电阻与所述第二位点电性连接，所述电压源的负极与所述第一位点电性连接。在本申请的一种可能实施例中，所述放大电路包括运算放大器、第二电阻、第三电阻及第四电阻；所述运算放大器的正相输入端与所述第二位点电性连接；所述第二电阻的一端与所述正相输入端连接、另一端接地；所述运算放大器的反相输入端经由第三电阻接地，所述第四电阻连接于所述运算放大器的输出端与所述反相输入端之间。在本申请的一种可能实施例中，所述放大电路还包括正电源、负电源、第一退耦电容组及第二退耦电容组；所述正电源经由所述第一退耦电容组为所述运算放大器提供正工作电压；所述负电源经由所述第二退耦电容组为所述运算放大器提供负工作电压。在本申请的一种可能实施例中，所述放大电路的输出端包括第五电阻及连接端口，所述第五电阻的一端与所述放大器的输出端连接、另一端接地；所述连接端口设置于与所述第五电阻并联的支路，所述白噪声采集与分析单元通过所述连接端口与所述输出端连接。在本申请的一种可能实施例中，所述白噪声采集与分析单元包括示波器，所述连接端口包括BNC连接端口。在本申请的一种可能实施例中，所述白噪声测试电路还包括第一电容和第二电容；所述第一电容为耦合电容，连接于所述PNP双极型三极管的基极与所述运算放大器的正相输入端；或连接于所述NPN双极型三极管的发射极与所述运算放大器的正相输入端。所述第二电容为耦合电容，连接于所述运算放大器的输出端与所述白噪声采集端之间。在本申请的一种可能实施例中，所述第一退耦电容组包括第三电容及第四电容，所述第三电容与第四电容并联，所述第一退耦电容组的一端接地、另一端与所述正电源连接；所述第二退耦电容组包括第五电容及第六电容，所述第五电容与第六电容并联，所述第二退耦电容组的一端接地、另一端与所述负电源连接。综上所述，本申请实施例提供一种晶体管白噪声测试系统，通过电压源为待测试晶体管提供的反向偏置电压，利用该反向偏置电压击穿待测试晶体管的PN结所产生的白噪声作为待测试晶体管自身的白噪声源信号，对该白噪声源信号进行放大处理后，对放大处理后的白噪声信号进行测试分析，为该待测试晶体管的工艺理论研发提供参考。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的一种晶体管白噪声测试系统的方框示意图；图2为本申请实施例提供的一种白噪声测试电路的方框结构示意图；图3为本申请实施例提供的白噪声测试电路的一种可替代的电路示意图；图4为将一待测试晶体管置于图3中白噪声测试电路进行测试的电路图。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。为了解决上述
技术介绍
中所提及的技术问题，专利技术人创新性地设计以下的晶体管白噪声测试系统。请参照图1，图1示出了本申请实施例提供的一种晶体管白噪声测试系统10的方框示意图。晶体管白噪声测试系统10可以包括控制单元110、白噪声测试电路120、以及白噪声采集与分析单元130，以对待测试晶体管140进行白噪声测试。在本申请实施例中，控制单元110可以包括传动装置、滑轨、以及设置在该滑轨上用于固定待测试晶体管140电极的晶体管电极安装位点。传动装置可以驱动滑轨运动，以使安装在晶体管电极安装位点的待测试晶体管140运动至白噪声测试电路120对应的晶体管测试位点，并使待测试晶体管140的电极与晶体管测试位点电性接触。请参照图2，白噪声测试电路120包括晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管白噪声测试系统，其特征在于，包括：控制单元、白噪声测试电路及白噪声采集与分析单元；/n所述控制单元包括传动装置、滑轨及位于所述滑轨上的晶体管电极安装位点，所述传动装置控制所述滑轨运动，以使安装在所述晶体管电极安装位点的待测试晶体管运动至所述白噪声测试电路的晶体管测试位点，并使所述待测试晶体管的电极与所述晶体管测试位点电性接触；/n所述白噪声测试电路包括晶体管测试位点、电压源、放大电路及白噪声采集端，所述电压源为位于所述晶体管测试位点的待测试晶体管提供反向偏置电压，以使所述待测试晶体管产生白噪声；所述放大电路的输入端与所述晶体管测试位点连接，用于对所述待测试晶体产生的白噪声进行放大；所述白噪声采集端与所述放大电路的输出端连接；/n所述白噪声采集与分析单元和所述白噪声测试电路的白噪声采集端连接，用于对采集的白噪声进行分析。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管白噪声测试系统，其特征在于，包括：控制单元、白噪声测试电路及白噪声采集与分析单元；
所述控制单元包括传动装置、滑轨及位于所述滑轨上的晶体管电极安装位点，所述传动装置控制所述滑轨运动，以使安装在所述晶体管电极安装位点的待测试晶体管运动至所述白噪声测试电路的晶体管测试位点，并使所述待测试晶体管的电极与所述晶体管测试位点电性接触；
所述白噪声测试电路包括晶体管测试位点、电压源、放大电路及白噪声采集端，所述电压源为位于所述晶体管测试位点的待测试晶体管提供反向偏置电压，以使所述待测试晶体管产生白噪声；所述放大电路的输入端与所述晶体管测试位点连接，用于对所述待测试晶体产生的白噪声进行放大；所述白噪声采集端与所述放大电路的输出端连接；
所述白噪声采集与分析单元和所述白噪声测试电路的白噪声采集端连接，用于对采集的白噪声进行分析。


2.如权利要求1所述的晶体管白噪声测试系统，其特征在于，所述电压源包括步进可调电压源。


3.如权利要求1或2所述的晶体管白噪声测试系统，其特征在于，所述待测试晶体管包括PNP双极型三极管和NPN双极型三极管。


4.如权利要求3所述的晶体管白噪声测试系统，其特征在于，所述晶体管测试位点包括第一电阻、第一位点与第二位点；
在所述待测试晶体管为PNP双极型三极管时，所述待测试晶体管的发射极与所述第一位点电性连接，所述待测试晶体管的基极与所述第二位点电性连接；在所述待测试晶体管为NPN双极型三极管时，所述待测试晶体管的基极与所述第一位点电性连接，所述待测试晶体管的发射极与所述第二位点电性连接；
所述电压源的正极通过所述第一电阻与所述第二位点电性连接，所述电压源的负极与所述第一位点电性连接。


5.如权利要求4所述的晶体管白噪声测试系统，其特征在于，所述放大电路包括运算放大器...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜兰举，李强，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：吉林;22