【技术实现步骤摘要】
一种抛光垫修整器及化学机械平坦化设备
本专利技术涉及半导体设备
,具体涉及一种抛光垫修整器及化学机械平坦化设备。
技术介绍
随着摩尔定律的发展,半导体制造工艺流程中化学机械平坦化设备(chemicalmechanicalplanarization,后简称CMP)的作用越来越重要,对设备的工艺性能要求也越来越高。CMP工艺性能中,抛光垫的使用寿命是衡量工艺质量的重要指标,抛光垫修整器的修整作用在此尤为重要。抛光垫修整器主要用于在抛光过程中,对抛光垫的修整,以去除抛光过程中生成的抛光杂质和抛光液结晶,避免抛光杂质和抛光液结晶堵塞抛光垫的沟槽,而影响抛光垫的使用效果。由此可见,如果抛光垫修整器可及时有效的清除抛光杂质和抛光液结晶,便可更有效的保持抛光垫效果,从而提高抛光垫使用寿命。现有技术中,抛光垫修整器为采用一个圆形修整端带动钻石轮在抛光垫上摆动,从而对抛光垫进行修整;虽然可以通过摆动的方式可一定程度的上增大可修整区域的面积,但是单位时间可修整的区域有限,从而限制了抛光垫修整器的修整效率。< ...
【技术保护点】
1.一种抛光垫修整器,包括:/n基座(1);/n移动臂(2),设于所述基座(1)上,且与所述基座(1)转动连接;/n研磨端(4),设于所述移动臂(2)远离所述基座(1)的一端,并相对所述移动臂(2)转动;/n其特征在于,所述研磨端(4)的长度略等于或大于等于抛光垫的半径。/n
【技术特征摘要】
1.一种抛光垫修整器,包括:
基座(1);
移动臂(2),设于所述基座(1)上,且与所述基座(1)转动连接;
研磨端(4),设于所述移动臂(2)远离所述基座(1)的一端,并相对所述移动臂(2)转动;
其特征在于,所述研磨端(4)的长度略等于或大于等于抛光垫的半径。
2.根据权利要求1所述的抛光垫修整器,其特征在于,所述研磨端(4)的长度等于所述抛光垫的半径。
3.根据权利要求1所述的抛光垫修整器,其特征在于,所述研磨端(4)的截面为扇形。
4.根据权利要求1所述的抛光...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔凯,岳爽,李欢,李婷,蒋锡兵,李岩,景允伸,
申请(专利权)人:北京烁科精微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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