一种真空溅射镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及真空镀膜技术领域。本实用新型专利技术公开了一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板，第一导电板设置在基板的远离A靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端。本实用新型专利技术通过将B靶的等离子体朝向A靶的表面，A靶的等离子体朝向基板方向，这样B靶的材料就先沉积到A靶上，然后再和A靶的材料一起沉积到基板上，能够很容易实现多组分薄膜层的沉积，且可提高所沉积膜层的组分均匀性，可以用于各种不同材料的沉积。

【技术实现步骤摘要】
一种真空溅射镀膜装置
本技术属于真空镀膜
，具体地涉及一种真空溅射镀膜装置。
技术介绍
采用溅射方法制备薄膜层，可采用单靶溅射沉积、双靶溅射沉积。单靶溅射沉积是采用单个平面靶或单个旋转靶进行溅射沉积，由于有些薄膜层是由多组分构成，若采用多组分的靶材这会增加制造靶材的难度，且有的单组份材料的导电性良好，而把这几个单组份材料混合制成多组分材料后其导电性变得很差，这就使得该多组分薄膜层的沉积变得更加困难；甚至有的材料不能制备成多组分的靶材，如氧化铟掺杂钨的材料不能制备成磁控溅射靶材，因为其制成的材料密度较低，其只能用离子反应沉积设备(即RPD镀膜设备)进行沉积，使得这种薄膜的沉积难度加大而且其制造成本居高不下。传统的真空镀膜沉积方法都是对靶材的导电性、密度等有特别的要求，这就使得要沉积某些材料只能用特定的真空镀膜装置进行沉积，而且其所沉积的薄膜层的质量往往不够理想，这些因素造就了其制备的成本很高。而采用双靶溅射沉积，则可以较好地解决上述存在的技术问题，但传统的双靶真空溅射镀膜装置，其结构如图1所示，设有A靶1′和B靶2′，A靶1′和B靶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，其特征在于：B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，用于将B靶的材料沉积在A靶的表面上，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板，第一导电板设置在基板的远离A靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，其特征在于：B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，用于将B靶的材料沉积在A靶的表面上，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板，第一导电板设置在基板的远离A靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端。


2.一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，其特征在于：B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，用于将B靶的材料沉积在A靶的表面上，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板、第二导电板和第三导电板，第一导电板设置在基板的远离A靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端，第二导电板位于A靶的远离B靶的一侧，第三导电板位于B靶的远离A靶的一侧，第二导电板和第三导电板分别连接第三电源的两输出端。


3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡兴微，蒋玉东，
申请(专利权)人：四川猛犸半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51