SnTiO制造技术

本发明专利技术涉及一种式为SnTiO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SnTiO3材料、其制备方法、其作为铁电材料的用途和包括铁电材料的装置
本专利技术涉及为钛酸锡的、式为SnTiO3或SnTi1-xMxO3(具有如本文所定义的M和x)的材料、其制备方法、其在铁电元件中的用途和包括铁电材料的装置。现有技术水平钛酸盐已被证明是最多样化的材料类别之一，其应用从铁电体和光催化剂到热电体和电池。特别地，SnTiO3是一种有前途的铁电材料。通常，由于Sn(II)到Sn(0)和Sn(IV)的约为350℃的低歧化温度，因此在固态化学领域中，Sn(II)的实施仍然具有挑战性。但是，新材料的制备通常通过高温下的固态反应而发生。因此，几乎没有成功制备出氧化锡(II)。目前尚无用于制备块状SnTiO3的方法。在西拉朱丁P.(SirajudheenP.)等，化学科学杂志6(2015)1中，作者声称已经通过共沉淀过氧化物方法制备了具有钙钛矿型结构的SnTiO3。在制备方法中，沉淀物在马弗炉中、在800℃下煅烧1小时。该温度远高于Sn(II)的歧化温度和氧化温度。因此，在给定的(氧化)条件下，Sn(II)将被氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式为SnTiO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180504 EP 18170903.11.一种式为SnTiO3的材料，其具有包括层的晶体结构，
其中
所述层包括Sn(II)离子、Ti(IV)离子和共边O6-八面体，
所述共边O6-八面体形成亚层，
所述Ti(IV)离子位于所述共边O6-八面体的2/3内，从而形成共边TiO6-八面体，
所述共边TiO6-八面体在所述亚层内形成蜂窝结构，
所述蜂窝结构包括六边形，在所述六边形内具有Ti(IV)-空位，
所述Sn(II)离子相对于所述亚层位于所述Ti(IV)-空位的上方和下方，
所述Ti(IV)离子可选地被M取代，
M是选自4族和14族元素的一种或多种元素，且
所述晶体结构满足下列特征(i)和(ii)中的至少一个：
(i)所述Sn(II)离子具有四面体配位层，所述四面体配位层包含所述层的三个O离子和所述Sn(II)离子的电子孤对，所述电子孤对相对于所述层的所述三个O离子位于顶端位置，
(ii)所述层堆垛成使得各层按照堆垛矢量S1或堆垛矢量S2相对于各相邻层平移，
相邻六边形的中心形成平行四边形，一边具有长度x，一边具有长度y，
所述堆垛矢量S1是沿具有长度x的边平移2/3x、和沿具有长度y的边平移1/3y的组合平移，
所述堆垛矢量S2是沿具有长度x的边平移1/3x、和沿具有长度y的边平移2/3y的组合平移，
并且所述晶体结构包括：按照所述堆垛矢量S1相对于相邻层平移的层；和按照所述堆垛矢量S2相对于相邻层平移的层。


2.根据权利要求1所述的材料，其中，层按照所述堆垛矢量S1相对于相邻层平移的重现、与层按照所述堆垛矢量S2相对于相邻层平移的重现的比率在0.1至9的范围内。


3.根据权利要求1或2所述的材料，其中，所述亚层内的所述共边O6-八面体的O离子是紧密堆积的，且与相邻层的O离子未形成紧密堆积。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的材料，其中，所述Ti(IV)-空位被六个共边TiO6-八面体包围。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的材料，其中，所述材料具有式SnTi1-xMxO3，其中x在0以上至0.25以下的范围内，且M根据权利要求1限定。


6.一种式为SnTiO3的材料，其具有四方钙钛矿型晶体结构，其中Ti(IV)离子可选地被M取代，所述M是选自4族和14...

【专利技术属性】
技术研发人员：里奥·彼得·奥托·迪尔，贝蒂娜·瓦雷斯卡·洛奇，弗洛里安·皮埃尔霍弗，
申请(专利权)人：马克斯普朗克科学促进学会，
类型：发明
国别省市：德国;DE