薄膜式滤波器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及滤波装置技术领域，具体公开了一种薄膜式滤波器及其制备方法。薄膜式滤波器包括:基材主体；两片金属薄膜，两片所述金属薄膜分别设置在所述基材主体相对的两侧以形成电容C；以及导电引线，所述导电引线与两片所述金属薄膜中的一片连接，所述导电引线沿所述基材主体的表面折弯以形成电阻R。本发明专利技术中利用两片金属薄膜来构造电容C，同时利用导电引线在基材主体的表面折弯形成电阻R，整个薄膜式滤波器的工艺简单，厚度薄，且制作时可以根据实际使用需求设计得到相应截止频率的滤波器，可以实现5G高频滤波。

【技术实现步骤摘要】
薄膜式滤波器及其制备方法
本专利技术涉及滤波装置
，尤其涉及一种薄膜式滤波器及其制备方法。
技术介绍
目前，滤波器由于其对有害信号的抑制作用，己经在信号处理的各个领域得到了广泛的应用。相关技术中，高通滤波器由电容C及电阻R通过引线连接组成，一般在电路中需要先通过蚀刻形成线路，然后通过SMT(SurfaceMountTechnology，表面组装技术)方式将贴片器件焊接至线路上。此外，现有的高通滤波器的电容的体积比较大，厚度较厚，且电阻值是固定的。可见，上述的滤波器具有如下缺陷：(1)整个工艺流程比较复杂；(2)电容及电阻占用体积较大，不利于滤波器的小型化、轻薄化设计；(3)滤波器的整体厚度较厚导致无法弯折；(4)滤波器的电阻只能选用固定值大小，应用范围非常有限。
技术实现思路
本专利技术公开了一种薄膜式滤波器及其制备方法，该薄膜式滤波器的工艺简单，厚度薄，可弯曲、可折叠。为了实现上述目的，本专利技术实施例公开了一种薄膜式滤波器，包括:基材主体；两片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜式滤波器，其特征在于，包括:/n基材主体；/n两片金属薄膜，两片所述金属薄膜分别设置在所述基材主体相对的两侧以形成电容C；以及/n导电引线，所述导电引线与两片所述金属薄膜中的一片连接，所述导电引线沿所述基材主体的表面折弯以形成电阻R。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜式滤波器，其特征在于，包括:
基材主体；
两片金属薄膜，两片所述金属薄膜分别设置在所述基材主体相对的两侧以形成电容C；以及
导电引线，所述导电引线与两片所述金属薄膜中的一片连接，所述导电引线沿所述基材主体的表面折弯以形成电阻R。


2.根据权利要求1所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述基材主体包括聚对苯二甲酸类塑料主体或者环烯烃共聚物主体。


3.根据权利要求1所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述基材主体的厚度为50*10-6m至100*10-6m。


4.根据权利要求1所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述金属薄膜包括氧化铟锡薄膜或者铜镍合金薄膜。


5.根据权利要求1所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述金属薄膜为方形、三角形、圆形或椭圆形薄膜。


6.根据权利要求1所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述金属薄膜与所述导电引线一体成型设置或者分别设置后连接为一体。


7.根据权利要求1所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述导电引线包括铜镍合金线。


8.根据权利要求1所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述薄膜式滤波器还包括第一连接导线、第二连接导线以及第三连接导线，所述第一连接导线与两片所述金属薄膜中的一片连接，所述第二连接导线与两片所述金属薄膜中的另一片连接，所述第三连接导线与所述导电引线远离所述金属薄膜的一端连接。


9.根据权利要求8所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述第一连接导线、所述第二连接导线以及所述第三连接导线均为Cu线。


10.根据权利要求9所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述Cu线的方阻为0.05Ω至0.2Ω。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的薄膜式滤波器，其特征在于，所述金属薄膜和/或所述导电引线的背离所述基材主体的一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雨洪，
申请(专利权)人：南昌欧菲显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36