【技术实现步骤摘要】
一种采用可吸收光栅的抗反射激光器
本专利技术涉及半导体激光器
,具体涉及一种采用可吸收光栅的抗反射激光器。
技术介绍
近年来随着高速光通信需求的发展,需要更大容量的长距离信息传输用的半导体激光器。考虑到从激光器出光端面出射的光在经过聚焦透镜耦合进光纤过程中,会有一部分光沿着原光路反射回激光器腔内对正常谐振光产生干扰,这不仅降低了激光器的调制带宽,而且增加了光芯片的误码率,因此常在激光器出光端面与光纤头中间加入光隔离器。光隔离器的作用是在光通路中防止光反射回光源,即只允许光单向传输的无源器件,要求光隔离器对于正向入射光有低的插入损耗,对于反向反射光有大的隔离度。虽然隔离器的加入提高了光模块的稳定性,但同时也增加了模块的封装成本,并且降低了模块内部的紧凑性。如果能在半导体激光器本身进行新结构设计以降低反射光干扰,将有利于提高光模块的紧凑性,且降低光模块的综合封装成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的是现有半导体激光器需要使用光隔离器来防止光反射回光源,从而造成封装成本增加和紧凑性降低的问题,提供一种 ...
【技术保护点】
1.一种采用可吸收光栅的抗反射激光器,主要由缓冲层(2)、下层分别限制异质结(3)、有源区(4)、上层分别限制异质结(5)、盖层(8)、接触层(9)、P面金属电极(10)、N面金属电极(1)、高反射膜(11)和增透膜(12)组成;其中缓冲层(2)、下层分别限制异质结(3)、有源区(4)、上层分别限制异质结(5)、盖层(8)和接触层(9)自下而上纵向叠置形成晶圆主体;高反射膜(11)位于晶圆主体的背光端面,增透膜(12)位于晶圆主体的出光端面;P面金属电极(10)位于晶圆主体的上表面,N面金属电极(1)位于晶圆主体的下表面;/n其特征是,还进一步增设有衍射光栅层;/n衍射光栅 ...
【技术特征摘要】
1.一种采用可吸收光栅的抗反射激光器,主要由缓冲层(2)、下层分别限制异质结(3)、有源区(4)、上层分别限制异质结(5)、盖层(8)、接触层(9)、P面金属电极(10)、N面金属电极(1)、高反射膜(11)和增透膜(12)组成;其中缓冲层(2)、下层分别限制异质结(3)、有源区(4)、上层分别限制异质结(5)、盖层(8)和接触层(9)自下而上纵向叠置形成晶圆主体;高反射膜(11)位于晶圆主体的背光端面,增透膜(12)位于晶圆主体的出光端面;P面金属电极(10)位于晶圆主体的上表面,N面金属电极(1)位于晶圆主体的下表面;
其特征是,还进一步增设有衍射光栅层;
衍射光栅层由多个相同的光栅体横向周期性排列形成;每个光栅体均为类梯形,并由激光衍射层(6)和激光吸收层(7)叠置而成,即激光衍射层(6)位于光栅体的下层,而激光吸收层(7)位于光栅体的上层,或者激光衍射层(6)位于光栅体的上层,而激光吸收层(7)位于光栅体的下层;激光衍射层(6)的带隙波长小于激光器的激射波长,激光吸收层(7)的带隙波长大于激光器的激射波长;
衍射光栅层位于盖层(8)的下部,且其下表面与上层分别限制异质结(5)的上表面相贴;或者衍射光栅层位于缓冲层(2)的上部,并其上表面与下层分别限制异质结(3)的下表面相贴。
2.根据权利要求1所述的一种采用可吸收光栅的抗反射激光器,其特征是,激光衍射层(6)由InGaAsP材料制成,激光吸收层...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯春鸽,陈伯庄,
申请(专利权)人:桂林雷光科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广西;45
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