平坦化FBAR谐振器制备方法技术

一种平坦化FBAR谐振器制备方法，包括：在衬底上形成下电极；在下电极和衬底上形成介质层，具有第一厚度；平坦化介质层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀介质层直至暴露下电极；在下电极和衬底上形成压电层；在压电层上形成上电极。依照本发明专利技术的谐振器制造方法，依次采用沉积、平坦化、刻蚀工艺分步在下电极上形成具有平坦表面的压电层，减少了缺陷，避免了声波能量泄漏。

【技术实现步骤摘要】
平坦化FBAR谐振器制备方法
本专利技术涉及一种谐振器制造方法，特别是一种具有平坦表面的平坦化FBAR谐振器制备方法。
技术介绍
在无线通讯中，射频滤波器作为过滤特定频率信号的中介，用于减少不同频段的信号干扰，在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能。随着4GLTE网络的部署和市场的增长，射频前端的设计朝着小型化、低功耗和集成化的方向发展，市场对滤波性能的要求也越来越高。由于薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称“FBAR”，也称“体声波”，BulkAcousticWave，简称“BAW”，)具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数(Q值)高、直接输出频率信号、与CMOS工艺兼容等特点，目前已经成为射频通讯领域重要的器件被广泛应用。FBAR是制作在衬底材料上的电极——压电膜——电极的三明治结构的薄膜器件。FBAR的结构有空腔型、布拉格反射型(SMR)和背面刻蚀型。其中空腔型FBAR相对SMR型Q值要高，损耗要小，机电耦合系数要高；相对于背面刻蚀型FBAR不需要去掉大面积的衬底，机械强度较高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平坦化FBAR谐振器制备方法，包括：/n在衬底上形成下电极；/n在下电极和衬底上形成介质层，具有第一厚度；/n平坦化介质层以将第一厚度减小为第二厚度；/n刻蚀介质层直至暴露下电极；/n在下电极和衬底上形成压电层；/n在压电层上形成上电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种平坦化FBAR谐振器制备方法，包括：
在衬底上形成下电极；
在下电极和衬底上形成介质层，具有第一厚度；
平坦化介质层以将第一厚度减小为第二厚度；
刻蚀介质层直至暴露下电极；
在下电极和衬底上形成压电层；
在压电层上形成上电极。


2.根据权利要求1的平坦化FBAR谐振器制备方法，形成下电极之前进一步包括，在衬底上形成衬垫层。


3.根据权利要求2的平坦化FBAR谐振器制备方法，其中，衬垫层材质为金属氮化物，优选地为AlN、HfN、HfAlN、TiN、TaN。


4.根据权利要求1的平坦化FBAR谐振器制备方法，其中，第一厚度为0.05-10微米，任选地第二厚度为100-2000埃。


5.根据权利要求1的平坦化FBAR谐振器制备方法，其中，平坦化介质层之后测量第二厚度，并根据第二厚度调节刻蚀介质层的工艺参数。


6.根据权利要求1的平坦化FBAR谐振器制备方法，其中，衬底的材料为Si、SOI、Ge、GeOI、化合物半导体；介质层的材料为氧化物、氮化物或氮氧化物，优选地介质层与...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐兆云，王家友，唐滨，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32