太阳能电池及磷、氢掺杂单晶硅的制备方法技术

本申请提供太阳能电池及磷、氢掺杂单晶硅的制备方法，太阳能电池包括半导体衬底、位于半导体衬底正面的掺杂层、位于掺杂层上表面的正面钝化层和/或减反层、位于正面钝化层和/或减反层上表面的正面电极、位于半导体衬底背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的掺杂多晶硅层、位于掺杂多晶硅层背面的背面钝化层以及位于背面钝化层背面的背面电极，其中，半导体衬底包括磷、氢掺杂单晶硅，磷、氢掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×10

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及磷、氢掺杂单晶硅的制备方法
本申请涉及光伏电池
，具体地讲，涉及太阳能电池及磷、氢掺杂单晶硅的制备方法。
技术介绍
目前，作为太阳能光电利用中发展最快的领域之一，晶体硅电池的技术发展颇受瞩目，提高太阳能电池的转换效率是目前亟需解决的问题。在现有的单晶硅生产过程中，直拉单晶硅容易出现中点缺陷、位错缺陷及金属缺陷等，这些缺陷的存在容易降低单晶硅的少子寿命，降低太阳能电池的转换效率。
技术实现思路
鉴于此，本申请实施例提供了太阳能电池及磷、氢掺杂单晶硅的制备方法，可以有效提升单晶硅中的少子寿命，有利于提升电池钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。本申请提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的掺杂层、位于所述掺杂层上表面的正面钝化层和/或减反层、位于所述正面钝化层和/或减反层上表面的正面电极、位于所述半导体衬底背面的隧穿氧化层、位于所述隧穿氧化层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的背面钝化层以及位于所述背面钝化层背面的背面电极，其中，所述半导体衬底包括磷、氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的掺杂层、位于所述掺杂层上表面的正面钝化层和/或减反层、位于所述正面钝化层和/或减反层上表面的正面电极、位于所述半导体衬底背面的隧穿氧化层、位于所述隧穿氧化层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的背面钝化层以及位于所述背面钝化层背面的背面电极，/n其中，所述半导体衬底包括磷、氢掺杂单晶硅，所述磷、氢掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×10

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的掺杂层、位于所述掺杂层上表面的正面钝化层和/或减反层、位于所述正面钝化层和/或减反层上表面的正面电极、位于所述半导体衬底背面的隧穿氧化层、位于所述隧穿氧化层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的背面钝化层以及位于所述背面钝化层背面的背面电极，
其中，所述半导体衬底包括磷、氢掺杂单晶硅，所述磷、氢掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×105～1×1016atoms/cm3，磷掺杂浓度为1×1015～5×1017atoms/cm3；所述磷、氢掺杂单晶硅的电阻率为0.1～10Ω·cm。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底的中心区域的氢含量大于边缘区域的氢含量。


3.一种如权利要求1所述的磷、氢掺杂单晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将多晶硅原料以及磷掺杂剂放入石英坩埚中；
将所述石英坩埚置于单晶炉抽真空，并在惰性气体保护下熔化多晶硅原料，得到硅熔体；
当所述硅熔体温度稳定后，往所述单晶炉内加入氢源，将晶种浸入所述硅熔体中开始引晶；
引晶结束后，开始放肩，使得晶体的直径逐步增大至预设宽度，再进行等径生长；
等径生长完成后，进入收尾阶段，使得所述晶体的直径逐步缩小直至与所述硅熔体分离；
生长完成的所述晶体冷却至室温后取出，得到所述磷、氢掺杂单晶硅。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖贵云，白枭龙，尚伟泽，
申请(专利权)人：新疆晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆;65