一种PERC电池片的制备方法技术

技术编号:26692415 阅读:35 留言:0更新日期:2020-12-12 02:46
本发明专利技术公开了一种PERC电池片的制备方法,包括以下步骤:(1)清洗、制绒;(2)扩散和激光推进;(3)刻蚀抛光和去磷硅玻璃;(4)对抛光后的单晶硅片背面进行Al

【技术实现步骤摘要】
一种PERC电池片的制备方法
本专利技术属于PERC电池
,更具体的说是涉及一种PERC电池片的制备方法。
技术介绍
PERC电池(PassivatedEmitterandRearCell),是电池的一种结构。PERC电池转换效率高,生产成本低,已成为当前电池片制造行业的主流工艺。该技术的核心是在硅片的背面沉积一层氧化铝薄膜,并用氮化硅膜覆盖,实现硅片的背表面钝化,使长波响应得到提高,进而提升电池片转换效率。目前,现有技术主要采用原子层沉积(ALD)和等离子增强型化学气相沉积(PECVD),可以对硅片表面实现较好的钝化,降低硅片表面的少子复合。现有技术一般在200℃左右的温度下沉积氧化铝薄膜,由于反应温度低,反应时间短,膜层的致密性和负电场效果不佳,现有的制备工艺无法使得氧化铝薄膜钝化效果发挥到最佳。因此,研发一种减少硅片晶格缺陷,提升少子寿命,使得硅片背表面的钝化效果更好,进而提升电池片转换效率的PERC电池片的制备方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种PE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PERC电池片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(1)清洗去除原硅片的切割损失层及金属杂质,并制绒形成金字塔绒面层;/n(2)将制绒后的单晶硅片置入扩散设备中进行扩散制结,形成PN结层,并在单晶硅片PN结层表面进行激光推进;/n(3)将激光推进后的单晶硅片进行刻蚀清洗,去除边缘的磷硅玻璃,并将单晶硅片背面进行抛光,去除背面的PN结层;/n(4)对抛光后的单晶硅片背面进行Al

【技术特征摘要】
1.一种PERC电池片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)清洗去除原硅片的切割损失层及金属杂质,并制绒形成金字塔绒面层;
(2)将制绒后的单晶硅片置入扩散设备中进行扩散制结,形成PN结层,并在单晶硅片PN结层表面进行激光推进;
(3)将激光推进后的单晶硅片进行刻蚀清洗,去除边缘的磷硅玻璃,并将单晶硅片背面进行抛光,去除背面的PN结层;
(4)对抛光后的单晶硅片背面进行Al2O3原子沉积,形成背钝化;
(5)将背钝化后的单晶硅片进行正面镀膜;
(6)将正面镀膜后的单晶硅片进行背面镀膜;
(7)将背面镀膜后的单晶硅片进行激光开槽;
(8)在激光开槽后的单晶硅片正面印刷银浆,经过高温烧结,制得PERC电池片。


2.根据权利要求1所述一种PERC电池片的制备方法,其特征在于,步骤(6)中,所述背面镀膜具体步骤为:
1)将正面镀膜后的单晶硅片放置在管式炉中,通入氮气,对管式炉内进行稳压和保温;
2)通入氨气,同时打开管式炉的脉冲开关进行预沉积;
3)继续通入氨气,同时通入硅烷进行沉积。


3.根据权利要求2所述一种适用于PERC电池的背面镀膜方法,其特征在于,步骤1)中,所述氮气通入流量为2000-5000sccm,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈鸿张伟王路路聂文君王菲穆晓超李叶宁鲁豪李文敏
申请(专利权)人:晋能清洁能源科技股份公司晋能光伏技术有限责任公司
类型:发明
国别省市:山西;14

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