共阳极多区发射模组及深度相机制造技术

一种共阳极多区发射模组及深度相机，其中，通过采用基板、导线、一正极焊盘以及多个负极焊盘，将多个光源封装成共阳极多区发射模组，从而实现通过一个外部I/O口控制多个光源的驱动以减少了对外部控制器的I/O的占用，并且一个光源的调制端(负极)对应一个负极焊盘，即控制器可实现对各光源的波形的独立调制，解决了传统的双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。

【技术实现步骤摘要】
共阳极多区发射模组及深度相机
本申请属于深度成像
，尤其涉及一种共阳极多区发射模组及深度相机。
技术介绍
目前，传统的单发光芯片双区发射模组一般是通过共阴极设计方式实现的，其是基于单发光芯片单区发射模组的设计方式的基础上，将所有发光芯片中的发光孔正电极按一定比例连接到两个或多个焊盘上，通过三极管输入输出(Input/Output，I/O)口电路控制每一路光源的开关，实现指定区域的点亮。但现有的共阴极单芯片双区发射模组的调制端(负极)有且仅有一个引脚可以连接，在正常工作状态下，调制端持续输出调制信号，控制器通过三极管I/O口电路，控制两个或两个以上的供电正极的通电情况。这会增加电路设计的复杂程度，占用了额外的I/O口资源；而且双区共用一个调制信号，不仅无法灵活控制单个区域的调制波形，而且基于具有多路控制引脚的驱动IC设计时，会造成资源浪费。因此，传统的双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种共阳极多区发射模组及深度相机，旨在解决传统的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共阳极多区发射模组，包括基板，其特征在于，还包括：/n导电层，设于所述基板的上表面；/n多个光源，各所述光源与所述导电层错位相对，并相互间隔地设于所述基板的上表面，且各所述光源的正极分别通过导线与所述导电层连接；/n正极焊盘，设于所述基板的下表面且与所述导电层相对设置，所述正极焊盘与所述导电层电连通；以及/n多个负极焊盘，分别设于所述基板的下表面，各所述负极焊盘分别与所述多个光源一一对应相对设置且电连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种共阳极多区发射模组，包括基板，其特征在于，还包括：
导电层，设于所述基板的上表面；
多个光源，各所述光源与所述导电层错位相对，并相互间隔地设于所述基板的上表面，且各所述光源的正极分别通过导线与所述导电层连接；
正极焊盘，设于所述基板的下表面且与所述导电层相对设置，所述正极焊盘与所述导电层电连通；以及
多个负极焊盘，分别设于所述基板的下表面，各所述负极焊盘分别与所述多个光源一一对应相对设置且电连通。


2.如权利要求1所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，还包括支撑架和光束均化器，所述支撑架顶端、底端均为开口，所述支撑架的底端设于所述基板的上表面，将各所述光源包围在内，并在各所述光源的上方形成一容纳空间，所述光束均化器盖合于所述支撑架顶端的开口。


3.如权利要求2所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述光束均化器包括多个透镜和衍射光学元件，各所述透镜分别一一对应设置于各所述光源正上方，所述衍射光学元件盖合于所述支撑架顶端的开口。


4.如权利要求3所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述透镜的光轴与其对应的所述光源...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嘉璐，王多勇，
申请(专利权)人：深圳奥比中光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44