一种集成电路芯片散热结构制造技术

本发明专利技术公开了一种集成电路芯片散热结构，包括基底和基板。所述基底呈中空状，且一端开口形成收容槽。所述基底相对的两侧壁上分别设有与收容槽连通的第一接口及第二接口，第一接口用于向收容槽中注入冷却介质，第二接口用于将收容槽中的冷却介质排出。所述基板用于盖封基底的开口，及用于与集成电路芯片接触。所述基板靠近收容槽的一侧形成若干微流道，这些微流道沿冷却介质流经方向间隔分布。每个微流道包括若干间隔分布的微绕流单元，每个微绕流单元包括圆柱状的分流体，每个分流体沿冷却介质流经方向延伸形成板状的引流部，这些引流部相互平行。如此可降低冷却介质的流动阻力及压力波动，提高散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路芯片散热结构
本专利技术属于微电子
，特别涉及一种集成电路芯片散热结构。
技术介绍
随着芯片的高度集成化及加工制造工艺手段的不断提高，芯片上集成的晶体管的数目成倍的增加，使得单位体积内的热流量增大，芯片温度迅速提高。现有技术中的微散热器是通过微泵将冷却液泵入微流道内，液体流动带走大量的热量。微流道散热能力影响因素有很多，比如微流道的结构、布局、速度和压降，热尾流效应等，这些几何因素相互关联，影响微换热器的传热性能和压降。传统微散热器在通道中设置不同尺寸的换热结构，如方形、锥形筒、三角形、菱形、椭圆六边形等，用于减小流体边界层，以提高换热性能，但往往伴随着压力损失的增加，造成涡流分离及压力波动，因此微换热器需要以较低的压力成本获得更好的强化传热效果。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种集成电路芯片散热结构，能够降低冷却介质的流动阻力及压力波动，提高散热效果。本专利技术为达上述目的所提出的技术方案如下：一种集成电路芯片散热结构，用于对集成电路芯片进行散热，所述集成电路芯片散热结构包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路芯片散热结构，用于对集成电路芯片进行散热，其特征在于，所述集成电路芯片散热结构包括：/n基底，所述基底呈中空状，且一端开口以形成收容槽，所述基底相对的两侧壁上分别设有与所述收容槽连通的第一接口及第二接口，所述第一接口用于向所述收容槽中注入冷却介质，所述第二接口用于将注入所述收容槽中的冷却介质排出；/n基板，所述基板用于盖封所述基底的开口，以及用于与所述集成电路芯片相接触，所述基板在靠近所述收容槽的一侧形成有若干微流道，所述若干微流道沿所述冷却介质流经方向间隔分布，以用于将所述集成电路芯片散发出的热量传导至所述冷却介质；/n每个微流道包括若干微绕流单元，这些微绕流单元间隔分布，每...

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片散热结构，用于对集成电路芯片进行散热，其特征在于，所述集成电路芯片散热结构包括：
基底，所述基底呈中空状，且一端开口以形成收容槽，所述基底相对的两侧壁上分别设有与所述收容槽连通的第一接口及第二接口，所述第一接口用于向所述收容槽中注入冷却介质，所述第二接口用于将注入所述收容槽中的冷却介质排出；
基板，所述基板用于盖封所述基底的开口，以及用于与所述集成电路芯片相接触，所述基板在靠近所述收容槽的一侧形成有若干微流道，所述若干微流道沿所述冷却介质流经方向间隔分布，以用于将所述集成电路芯片散发出的热量传导至所述冷却介质；
每个微流道包括若干微绕流单元，这些微绕流单元间隔分布，每个微绕流单元包括分流体，所述分流体呈圆柱状，每个分流体均沿所述冷却介质流经方向延伸形成引流部，所述引流部均呈板状，且相互平行。


2.根据权利要求1所述的集成电路芯片散热结构，其特征在于，每个微流道中的若干微绕流单元沿垂直于所述引流部延伸的方向上以第一宽度的间隙等间距分布。


3.根据权利要求2所述的集成电路芯片散热结构，其特征在于，所述若干微流道之间等间距且错开分布，以使得每个微绕流单元对应于相邻微流道中微绕流单元之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，张振中，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44