【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置及方法本申请是申请日为2018年11月29日、申请号为201811444702.3、名称为“用于处理基板的装置及方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
在此描述的本专利技术构思的实施例涉及用于处理基板的装置和方法，尤其是涉及用于用供应到基板上的液体处理该基板并随后清除该液体的设备和方法。
技术介绍
半导体工艺包括清洁基板上的薄膜、异物或颗粒等的工艺。通过将基板放置在旋转头上以使图案面朝上或朝下、在旋转头旋转时将处理液供应到基板上、以及干燥基板，来执行清洁工艺。目前，在清洁基板的工艺中使用超临界流体。例如，提供用于通过将处理液供应到基板上而在基板上执行液体处理的液体处理腔室以及用于在液体处理之后通过使用超临界流体从基板上清除处理液的干燥腔室，并且在液体处理腔室中完全地处理的基板通过传送机械手传送到干燥腔室中。图17为示出了用于使用超临界流体干燥基板W的干燥腔室1000的视图。干燥腔室1000在其内部具有支承基板W的支承单元1200。支承单元1200支承基板W的底侧的边缘区域。...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：/n液体处理步骤，其用于通过将处理液供应到液体处理腔室中的所述基板上而在所述基板上执行液体处理；/n传送步骤，其用于将所述基板从所述液体处理腔室传送至干燥腔室；以及/n干燥步骤，其用于在所述干燥腔室中干燥所述基板，/n其中，在所述传送步骤中，保留在所述基板的边缘区域上的所述处理液的高度比保留在所述基板的中心区域上的所述处理液的高度要高。/n
【技术特征摘要】
20171130 KR 10-2017-0162567;20180316 KR 10-2018-001.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：
液体处理步骤，其用于通过将处理液供应到液体处理腔室中的所述基板上而在所述基板上执行液体处理；
传送步骤，其用于将所述基板从所述液体处理腔室传送至干燥腔室；以及
干燥步骤，其用于在所述干燥腔室中干燥所述基板，
其中，在所述传送步骤中，保留在所述基板的边缘区域上的所述处理液的高度比保留在所述基板的中心区域上的所述处理液的高度要高。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述液体处理步骤包括：
液体供应步骤，其用于旋转所述基板、并向所述基板供应所述处理液；以及
液位调节步骤，其用于在所述液体供应步骤之后旋转所述基板而不向所述基板供应所述处理液。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述液位调节步骤之后，所述基板立即从所述液体处理腔室传送至所述干燥腔室。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述液体供应步骤中的所述基板的旋转速度与所述液位调节步骤中的所述基板的旋转速度不同。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述液体供应步骤中的所述基板的旋转速度比所述液位调节步骤中的所述基板的旋转速度要高。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的方法，所述液体供应步骤包括：
第一供应步骤，其用于旋转所述基板、并向所述基板供应所述处理液；以及
第二供应步骤，其用于旋转所述基板、并将所述处理液供应到所述基板的边缘上。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一供应步骤中的所述基板的旋转速度与所述第二供应步骤中的所述基板的旋转速度不同。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一供应步骤中的所述基板的旋转速度比所述第二供应步骤中的所述基板的旋转速度要高。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一供应步骤和所述第二供应步骤中，所述处理液从相同的喷嘴供应，并且所述第一供应步骤中的所述喷嘴的位置与所述第二供应步骤中的所述喷嘴的位置不同。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述液位调节步骤在所述第二供应步骤之后。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述处理液包括有机溶剂。
12.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，在所述干燥步骤中，在除了所述基板的中心区域外的所述基板的边缘区域由支承单元支承的情况下，干燥所述基板。
13.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，在所述干燥步...
【专利技术属性】
技术研发人员：李龙熙，李暎熏，郑镇优，林义相，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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