一种实现服务器Flash正反放置的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种实现服务器Flash正反放置的装置及方法。所述装置包括管座，所述管座的第二管脚连接复杂可编程逻辑器，所述管座的第二管脚连接第一选择电路，所述管座的第十管脚连接第二选择电路，所述复杂可编程逻辑器控制所述第二选择电路，所述复杂可编程逻辑器控制所述第一选择电路，所述复杂可编程逻辑器配置判断模块、第一数据选择模块、第二数据选择模块、第三数据选择模块和第四数据选择模块。所述第一数据选择模块第二数据选择模块、第三数据选择模块和第四数据选择模块连接基板管理控制器。本发明专利技术通过所述复杂可编程逻辑器检测与所述管座连接的FLASH芯片是正接还是反接，控制第一选择电路和第二选择电路供电或接地，控制FLASH芯片数据传输。

【技术实现步骤摘要】
一种实现服务器Flash正反放置的装置及方法
本专利技术涉及FLASH供电装置领域，尤其涉及一种实现服务器Flash正反放置的装置。
技术介绍
FLASH是一种非易失性(Non-Volatile)内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。很多设备都是将基本的驱动程序都是烧录在FLASH中。现有的技术中FLASH封装芯片的结构是非常对称的矩形结构，在结构上不具备防接反的特性，即使在FLASH封装芯片上有丝印标注第一管脚，但在实际使用中丝印不容易分辨。因此易出现因失误将FLASH封装芯片装反的情况，在FLASH封装芯片装反情况下，VCC与GND管脚反接，通电开机时则会产生短路，在实际使用中如果芯片接反，轻则损坏FLASH芯片，造成无法开机等问题，严重的情况下会使整个主板报废，而无法使用。目前一种方式是在FLASH的供电线路加入熔断保险二极管采取EFUSE及MOS管等方式进行过流保护中断，另一种方式是采用在供电段加入PCT热敏电阻，并将一端接到BMC中。正常FLASH工作时，接入BMC端信号为高电平；FLASH接反时，BMC端信号为低电平，BMC检测到拉低的过流信号后立刻对CPLD发出断电指令，并在日志中记录该次过流事件；同时CPLD端接收到BMC端下电信号后对服务器进行断电操作；出现异常可通过日志定位到安装问题，近而进行调整芯片。上述方式均没有实现FLASH芯片反接兼容。
技术实现思路
本专利技术提供实现服务器Flash正反放置的装置，旨在解决现有技术中由于FLASH在结构上对称的，在连接时容易造成FLASH反接，一旦反接通电开机时则会产生短路，在实际使用中如果芯片接反，轻则损坏FLASH芯片，造成无法开机等问题，严重的情况下会使整个主板报废，而无法使用的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种实现服务器Flash正反放置的装置，包括安装FLASH芯片的管座和复杂可编程逻辑器，其中，所述复杂可编程逻辑器配置判断模块、第一数据选择模块、第二数据选择模块、第三数据选择模块和第四数据选择模块，所述判断模块的输入端连接所述管座的第二管脚；所述判断模块的输出端连接所述第一数据选择模块、所述第二数据选择模块、第三数据选择模块和第四数据选择模块；所述第一数据选择模块的输入端连接基板管理控制器，所述第一数据选择模块的输出端连接所述管座第七管脚；所述第二数据选择模块的输入端连接所述基板管理控制器，所述第二数据选择模块的输出端连接所述管座的第八管脚；所述第三数据选择模块的输入端连接基板管理控制器，所述第三数据选择模块的输出端连接所述管座第十五管脚；所述第四数据选择模块的输入端连接所述基板管理控制器，所述第四数据选择模块的输出端连接所述管座的第十六管脚；所述管座的第二管脚连接第一选择电路，所述管座的第十管脚连接第二选择电路，所述第一选择电路和所述第二选择电路连接所述复杂可编程逻辑器。优选地，所述第一选择电路包括第一电源，所述第一电源连接场效应管Q1的漏极，所述场效应管Q1的源极连接场效应管Q2的漏极，所述场效应管Q2的源极接地，所述场效应管Q1和所述场效应管Q2的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器，所述管座的第二管脚连接于所述场效应管Q1源极与所述场效应管Q2漏极之间，所述第二管脚经电阻R1连接所述第一电源。优选地，所述场效应管Q1和所述场效应管Q2的搭配为以下两种情况的任一种：所述场效应管Q1为P型场效应管且所述场效应管Q2为N型场效应管；所述场效应管Q1为N型场效应管且所述场效应管Q2为P型场效应管。优选地，所述第二选择电路包括第二电源，所述第二电源连接场效应管Q3的漏极，所述场效应管Q3的源极连接场效应管Q4的漏极，所述场效应管Q4的源极接地，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器，所述管座的第十管脚连接于所述场效应管Q3源极与所述场效应管Q4漏极之间。优选地，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4的搭配为以下两种情况的任一种：所述场效应管Q3为P型场效应管且所述场效应管Q4为N型场效应管；所述场效应管Q3为N型场效应管且所述场效应管Q4为P型场效应管。优选地，所述判断模块的输入端经电阻R2连接所述第二管脚。优选地，所述管座的第一管脚通过上拉电阻R4连接第三电源，所述管座的第九管脚通过上拉电阻R3连接第三电源。优选地，所述第一数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的CS端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的MOSI端口；所述第二数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的CLK端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的MISO端口；所述第三数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的CLK端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的MISO端口；所述第四数据选择模块的一个输入端连接所述基板管理控制器的CS端口，另一个输入端连接所述基板管理控制器的MOSI端口。优选地，所述复杂可编程逻辑器通过UART串口连接所述基板管理控制器。此外，本专利技术还提供一种实现服务器Flash正反放置的方法，应用于所述的实现服务器Flash正反放置的装置，包括：复杂可编程逻辑器通过接收的高低电平判断连接管座的FLASH芯片正接还是反接；如果正接，则所述复杂可编程逻辑器控制第一数据选择模块接通基板管理控制器的CS端口；控制第二数据选择模块接通基板管理控制器的MISO端口，控制第三数据选择模块接通基板管理控制器的CLK端口，控制第四数据选择模块接通基板管理控制器的MOSI端口；所述复杂可编程逻辑器控制场效应管Q2导通，场效应管Q1截止，场效应管Q3导通，场效应管Q4截止；如果反接，则所述复杂可编程逻辑器控制第一数据选择模块接通基板管理控制器的MOSI端口；控制第二数据选择模块接通基板管理控制器的CLK端口，控制第三数据选择模块接通基板管理控制器的MISO端口，控制第四数据选择模块接通基板管理控制器的CS端口；所述复杂可编程逻辑器控制场效应管Q2截止，场效应管Q1导通，场效应管Q3截止，场效应管Q4导通；所述复杂可编程逻辑器向所述基板管理控制器传输FLASH芯片连接状态信息。本申请提出的一种实现服务器Flash正反放置的装置具体有以下有益效果：当FLASH芯片正接时，第二管脚输出高电平，当FLASH芯片反接时，第二管脚输出低电平，本专利技术利用所述判断模块检测所述第二管脚的电平来判断所述FLASH芯片正接或者反接，如果正接，则所述判断模块控制所述第一数据选择模块、所述第二数据选择模块、所述第三数据选择模块和所述第四数据选择模块选择正接的数据通路，所述判断模块控制所述第一选择电路的场效应管Q2导通，场效应管Q1截止，使得第二管脚接地，控制所述第二选择电路的场效应管Q3导通，场效应管Q4截止，使得第十管脚接第二电源；如果反接则所述判断本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实现服务器Flash正反放置的装置，包括安装FLASH芯片的管座(100)，其特征在于，包括复杂可编程逻辑器(200)，其中，/n所述复杂可编程逻辑器(200)配置判断模块(201)、第一数据选择模块(202)、第二数据选择模块(203)、第三数据选择模块(204)和第四数据选择模块(205)，/n所述判断模块(201)的输入端连接所述管座(100)的第二管脚；所述判断模块(201)的输出端连接所述第一数据选择模块(202)、所述第二数据选择模块(203)、第三数据选择模块(204)和第四数据选择模块(205)；/n所述第一数据选择模块(202)的输入端连接基板管理控制器(300)，所述第一数据选择模块(202)的输出端连接所述管座(100)第七管脚；/n所述第二数据选择模块(203)的输入端连接所述基板管理控制器(300)，所述第二数据选择模块(203)的输出端连接所述管座(100)的第八管脚；/n所述第三数据选择模块(204)的输入端连接基板管理控制器(300)，所述第三数据选择模块(204)的输出端连接所述管座(100)第十五管脚；/n所述第四数据选择模块(205)的输入端连接所述基板管理控制器(300)，所述第四数据选择模块(205)的输出端连接所述管座(100)的第十六管脚；/n所述管座(100)的第二管脚连接第一选择电路(400)，所述管座(100)的第十管脚连接第二选择电路(500)，所述第一选择电路(400)和所述第二选择电路(500)连接所述复杂可编程逻辑器(200)。/n...

【技术特征摘要】
1.一种实现服务器Flash正反放置的装置，包括安装FLASH芯片的管座(100)，其特征在于，包括复杂可编程逻辑器(200)，其中，
所述复杂可编程逻辑器(200)配置判断模块(201)、第一数据选择模块(202)、第二数据选择模块(203)、第三数据选择模块(204)和第四数据选择模块(205)，
所述判断模块(201)的输入端连接所述管座(100)的第二管脚；所述判断模块(201)的输出端连接所述第一数据选择模块(202)、所述第二数据选择模块(203)、第三数据选择模块(204)和第四数据选择模块(205)；
所述第一数据选择模块(202)的输入端连接基板管理控制器(300)，所述第一数据选择模块(202)的输出端连接所述管座(100)第七管脚；
所述第二数据选择模块(203)的输入端连接所述基板管理控制器(300)，所述第二数据选择模块(203)的输出端连接所述管座(100)的第八管脚；
所述第三数据选择模块(204)的输入端连接基板管理控制器(300)，所述第三数据选择模块(204)的输出端连接所述管座(100)第十五管脚；
所述第四数据选择模块(205)的输入端连接所述基板管理控制器(300)，所述第四数据选择模块(205)的输出端连接所述管座(100)的第十六管脚；
所述管座(100)的第二管脚连接第一选择电路(400)，所述管座(100)的第十管脚连接第二选择电路(500)，所述第一选择电路(400)和所述第二选择电路(500)连接所述复杂可编程逻辑器(200)。


2.根据权利要求1所述的实现服务器Flash正反放置的装置，其特征在于，所述第一选择电路(400)包括第一电源，所述第一电源连接场效应管Q1的漏极，所述场效应管Q1的源极连接场效应管Q2的漏极，所述场效应管Q2的源极接地，所述场效应管Q1和所述场效应管Q2的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器(200)，所述管座(100)的第二管脚连接于所述场效应管Q1源极与所述场效应管Q2漏极之间，所述第二管脚经电阻R1连接所述第一电源。


3.根据权利要求2所述的实现服务器Flash正反放置的装置，其特征在于，所述场效应管Q1和所述场效应管Q2的搭配为以下两种情况的任一种：所述场效应管Q1为P型场效应管且所述场效应管Q2为N型场效应管；所述场效应管Q1为N型场效应管且所述场效应管Q2为P型场效应管。


4.根据权利要求1所述的实现服务器Flash正反放置的装置，其特征在于，所述第二选择电路(500)包括第二电源，所述第二电源连接场效应管Q3的漏极，所述场效应管Q3的源极连接场效应管Q4的漏极，所述场效应管Q4的源极接地，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4的栅极电性连接并共同连接到所述复杂可编程逻辑器(200)，所述管座(100)的第十管...

【专利技术属性】
技术研发人员：施世磊，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32