一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术，所述的内嵌电流镜放大电路结构特征采用电容中和的共源差分放大器结构，晶体管部分(218、220)由第一放大管(202)、第二放大管(204)、第一镜像管(206)和第二镜像管(208)构成。本发明专利技术内嵌电流镜放大电路结构特征中晶体管部分(218、220)在工艺特征中将镜像管区域(304)内嵌于放大管区域(302)中，降低了工艺尺寸误差的随机性，实现了晶体管与镜像管尺寸的高精度匹配。在此技术基础上提出适用于相控阵系统的全局偏置方案，有效的提高了相控阵各通道的一致性。本发明专利技术适用于多通道毫米波相控阵应用中高增益毫米波放大器设计。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术
本专利技术涉及电子电路设计
，涉及一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术技术，特别适用于毫米波频段相控阵系统中放大电路与系统偏置的设计。
技术介绍
毫米波频段凭借着丰富的频谱资源成为近年研究热点。毫米波通信面临着信号传播过程中严重衰减的问题，相控阵技术的研究成为解决该问题的关键。相控阵系统通过控制各个天线发射信号的相位，实现电磁波的相互叠加，多天线发射可以提高信号发射功率，而不同相位信号的叠加可以将发射的能量集中在一个方向，根据用户位置进行波束调制，实现同一频率下不同用户之间没有相互干扰，很大程度的提高通信信道容量。偏置电路的设计是相控阵系统设计中十分关键的一部分，由于相控阵系统中需要很大数量结构一致的发射阵列，不同通道的放大器偏置状态不同会使得通道输出信号增益与相位偏移，导致阵列合成波束方向偏移和方向增益衰减，因此相控阵系统芯片设计中保证各发射接收通道的一致性十分关键。然而在实际芯片流片过程中，受工艺与匹配因素的影响，不同芯片之间甚至同一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术，其特征在于：所述的内嵌电流镜放大电路技术在结构上采用电容中和的共源差分放大器结构，在工艺上将镜像管内嵌于放大管中，所述的全局偏置方案适用于相控阵发射机与相控阵接收机，相控阵发射机中功率放大电路与相控阵接收机中低噪声放大电路采用内嵌电流镜放大电路技术。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术，其特征在于：所述的内嵌电流镜放大电路技术在结构上采用电容中和的共源差分放大器结构，在工艺上将镜像管内嵌于放大管中，所述的全局偏置方案适用于相控阵发射机与相控阵接收机，相控阵发射机中功率放大电路与相控阵接收机中低噪声放大电路采用内嵌电流镜放大电路技术。


2.根据权利要求1所述的一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术，其特征在于：所述的内嵌电流镜放大电路技术在结构上采用电容中和的共源差分放大器结构，由晶体管部分(218、220)、第一中和电容(214)、第二中和电容(216)、第一电阻(210)和第二电阻(212)构成，所述的晶体管部分(218、220)由第一放大管(202)、第二放大管(204)、第一镜像管(206)、第二镜像管(208)构成。


3.根据权利要求2所述的一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术，其特征在于：所述第一放大管(202)的栅级通过第一电阻(210)与第一镜像管(206)的栅级串接，第二放大管(204)的栅级通过第二电阻(212)与第二镜像管(208)的栅级串接；第一镜像管(206)的漏级与栅级短接，第二镜像管(208)的漏级与栅级短接；第一放大管(202)、第二放大管(204)、第一镜像管(206)、第二镜像管(208)的源级接地，所述第一中和电容(214)跨接在第一放大管(202)的栅级与第二放大管(204)的漏级之间，第二中和电容(216)跨接在第一放大管(202)的漏级与第二放大管(204)的栅级之间。


4.根据权利要求2所述的一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌电流镜放大电路技术，其特征在于：所述第一放大管(202)的栅级作为正信号输入端(Vin+)，第二放大管(204)的栅级作为负信号输入端(Vin-)，第一镜像管(206)与第二镜像管(208)的漏级作为参考偏置电流输入端(Ibias)，第一放大管(202)的漏级作为负信号输出端(Vout-)，第二放大管(102)的漏级作为正信号输出端(Vout+)。


5.根据权利要求2所述的一种适用于多通道相控阵的全局偏置方案和内嵌...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤肖虎，赵涤燹，于培根，张成军，
申请(专利权)人：成都天锐星通科技有限公司，东南大学，
类型：发明
国别省市：四川;51