参考电压产生装置制造方法及图纸

本公开是一种参考电压产生装置包含一带隙参考电压产生电路、一电压控制电流源、一电流镜电路、一输入电压产生电路以及一电压控制电压源。该带隙参考电压产生电路用来产生一带隙参考电压。该电压控制电流源用来依据该带隙参考电压产生一参考电流。该电流镜电路用来依据该参考电流产生一镜射电流。该输入电压产生电路用来依据该镜射电流决定一输入电压。该电压控制电压源用来依据该输入电压产生一参考电压。据上所述，该参考电压是通过电压至电流转换以及电压至电压转换而产生，因此该镜射电流可以相当准确而不受该参考电压的影响，从而该参考电压也能相当准确。

【技术实现步骤摘要】
参考电压产生装置
本专利技术涉及电压产生装置，尤其涉及参考电压产生装置。
技术介绍
当电路需要参考电压时，目前的参考电压产生装置会通过下述方式来产生参考电压：将带隙参考电压(bandgapreferencevoltage)电路所产生的无温度系数带隙参考电压除以一固定电阻，以得到相关于该固定电阻的温度系数的参考电流；令电流镜(currentmirror)电路依据该参考电流产生合适的镜射电流；以及令该镜射电流流经与该固定电阻同形态的参考电阻，以得到与该参考电阻的温度系数无关的参考电压。上述方式不但可以避免不同电路的接地电位(例如：该固定电阻所耦接的接地电位与该参考电阻所耦接的接地电位)的差异所造成的误差，亦可得到与电阻的温度系数无关的参考电压。然而，上述的参考电压产生装置中，若依据该镜射电流与该参考电阻所产生的该参考电压过高，该过高的参考电压可能会影响该电流镜电路中该镜射电流所流过的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的漏极至源极电压|VDS|，从而影响该金属氧化物半导体场效晶体管的工作点，影响该镜射电流准确性，进而影响该参考电压的准本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种参考电压产生装置，包含：/n一带隙参考电压产生电路，用来产生一带隙参考电压；/n一电压控制电流源，用来依据该带隙参考电压产生一参考电流；/n一电流镜电路，用来依据该参考电流产生一镜射电流；/n一输入电压产生电路，用来依据该镜射电流决定一输入电压；以及/n一电压控制电压源，用来依据该输入电压产生一参考电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种参考电压产生装置，包含：
一带隙参考电压产生电路，用来产生一带隙参考电压；
一电压控制电流源，用来依据该带隙参考电压产生一参考电流；
一电流镜电路，用来依据该参考电流产生一镜射电流；
一输入电压产生电路，用来依据该镜射电流决定一输入电压；以及
一电压控制电压源，用来依据该输入电压产生一参考电压。


2.如权利要求1所述的参考电压产生装置，其中该带隙参考电压产生电路、该电压控制电流源、该电流镜电路以及该输入电压产生电路位于一第一电源领域，该电压控制电压源位于一第二电源领域。


3.如权利要求2所述的参考电压产生装置，其中该第一电源领域的最大工作电压小于该第二电源领域的最大工作电压。


4.如权利要求3所述的参考电压产生装置，其中该参考电压大于该第一电源领域的最大工作电压。


5.如权利要求1所述的参考电压产生装置，其中该输入电压产生电路的电阻值是可调的。


6.如权利要求5所述的参考电压产生装置，其中该电流镜电路包含一第一PMOS晶体管与一第二PMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈力辅，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71