【技术实现步骤摘要】
一种自适应快速响应的LDO电路及其芯片
本专利技术涉及一种自适应快速响应的LDO(lowdropoutregulator，低压差线性稳压器)电路，同时也涉及包括该LDO电路的集成电路芯片，属于模拟集成电路
技术介绍
随着通信技术的发展，对电子终端的导通时间、切换时间和关闭时间等性能提出了更高的要求，因此需要模拟集成电路具有更快的响应速度，而负责为模拟集成电路提供直流工作点的电源偏置电路首当其冲。LDO电路作为一种常用的电源偏置电路，也面临着减少响应时间的迫切要求。专利号为ZL201710905386.4的中国专利技术专利提供了一种快速响应LDO电路，通过AB类驱动电路实现很小的静态功耗情况下产生很大的电流驱动，在功耗一定的情况下加快了功率管控制端信号的建立，进而加快了环路的调整速度。另一方面，申请号为201711004540.7的中国专利申请也提供了一种LDO电路，通过采用瞬态反应电路实现快速响应输出电压的变化，迅速调节功率器件的驱动电压，进而改善LDO电路的瞬态特性，增加LDO电路的交流精度。但是，上述两...
【技术保护点】
1.一种自适应快速响应的LDO电路，其特征在于包括带隙基准电路、误差放大器、功率管、反馈电阻网络和自适应加速响应电路，所述带隙基准电路的输出端连接所述误差放大器的同相输入端，所述误差放大器的反相输入端连接所述反馈电阻网络，所述误差放大器的输出端连接所述功率管的栅极，所述误差放大器和所述功率管分别连接所述自适应加速响应电路，所述功率管的漏极连接所述反馈电阻网络。/n
【技术特征摘要】
1.一种自适应快速响应的LDO电路，其特征在于包括带隙基准电路、误差放大器、功率管、反馈电阻网络和自适应加速响应电路，所述带隙基准电路的输出端连接所述误差放大器的同相输入端，所述误差放大器的反相输入端连接所述反馈电阻网络，所述误差放大器的输出端连接所述功率管的栅极，所述误差放大器和所述功率管分别连接所述自适应加速响应电路，所述功率管的漏极连接所述反馈电阻网络。
2.如权利要求1所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述自适应加速响应电路包括加速充电电路、自适应加速充放电电路和加速放电电路，所述加速充电电路连接所述差分电路的两个电流输出端和其尾电流端，所述自适应加速充放电电路分别连接所述功率管的栅极和所述差分电路的尾电流端，所述加速放电电路分别连接第一节点、第二节点和所述功率管的栅极。
3.如权利要求2所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述加速充电电路包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管的栅极连接所述差分电路参考电压端对应的电流输出端，所述第一NMOS管的漏极分别连接所述第一PMOS管的漏极和栅极，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极分别连接所述第三PMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端，所述第二NMOS管的栅极连接所述差分电路反馈端对应的电流输出端。
4.如权利要求3所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述第一NMOS管、所述第一PMOS管与所述第二PMOS管按预定比例镜像所述同相输入端的电流，得到第一电流，所述第二NMOS管按预定比例镜像所述反相输入端的电流，得到第二电流；所述第二电流大于所述第一电流时，由所述第二电流与所述第一电流的差值得到的第一差值子电流，并输出到所述第三PMOS管，所述第一差值子电流被所述第四PMOS管镜像后输出到所述差分电路作为尾电流。
5.如权利要求4所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述加速充电电路还包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第三NMOS管的栅极连接所述差分电路参考电压端对应的电流输出端，所述第三NMOS管的漏极分别连接所述第六PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的漏极和栅极，所述第七PMOS管的栅极连接所述第八PMOS管的栅极，所述第八PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端，所述第四NMOS管的栅极连接所述差分电路反馈端对应的电流输出端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极和栅极，所述第五PMOS管的栅极连接所述第六PMOS管的栅极。
6.如权利要求5所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：高晨阳，林升，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。