带隙基准电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种带隙基准电路，包括：核心电路以及启动PMOS管；所述启动PMOS管的源极与所述核心电路的电压源连接；所述启动PMOS管的漏极与所述核心电路的运放的反向输入端电连接；所述启动PMOS管的栅极与所述核心电路的电流源电连接，并从所述电流源获取偏置电压。本实用新型专利技术能够确保带隙基准电路的正确启动和稳定运行。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路
本技术涉及集成电路
，尤其涉及一种带隙基准电路。
技术介绍
带隙基准在启动后可以建立工作点，但是，在蒙特卡洛的仿真结果中可以看出，其仿真结果并没有呈现正态分布，也就是说，运放的正反相输入端的工作点会有一定几率在启动后无法建立，会有可能出现无法启动的情况。
技术实现思路
本技术提供的带隙基准电路，能够确保电路的正确启动。本技术提供一种带隙基准电路，包括：核心电路以及启动PMOS管；所述启动PMOS管的源极与所述核心电路的电压源连接；所述启动PMOS管的漏极与所述核心电路的运放的反向输入端电连接；所述启动PMOS管的栅极与所述核心电路的电流源电连接，并从所述电流源获取偏置电压。进一步地，所述带隙基准电路还包括PSRR增强电路；所述PSRR增强电路的第一输入端用于接收第一电压信号；所述PSRR增强电路的第二输入端接地；所述PSRR增强电路的第三输入端用于接收第一偏置电压信号；所述PSRR增强电路的第四输入端用于接收第二偏置电压信号；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：核心电路以及启动PMOS管；/n所述启动PMOS管的源极与所述核心电路的电压源连接；/n所述启动PMOS管的漏极与所述核心电路的运放的反向输入端电连接；/n所述启动PMOS管的栅极与所述核心电路的电流源电连接，并从所述电流源获取偏置电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：核心电路以及启动PMOS管；
所述启动PMOS管的源极与所述核心电路的电压源连接；
所述启动PMOS管的漏极与所述核心电路的运放的反向输入端电连接；
所述启动PMOS管的栅极与所述核心电路的电流源电连接，并从所述电流源获取偏置电压。


2.根据权利要求1所述带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路还包括PSRR增强电路；
所述PSRR增强电路的第一输入端用于接收第一电压信号；
所述PSRR增强电路的第二输入端接地；
所述PSRR增强电路的第三输入端用于接收第一偏置电压信号；
所述PSRR增强电路的第四输入端用于接收第二偏置电压信号；
所述PSRR增强电路的第五输入端用于接收所述核心电路的运放输出的电压信号作为第三偏置电压信号；
所述PSRR增强电路的第一输出端为所述核心电路的电压源；
所述PSRR增强电路的第二输出端与所述核心电路的接地端电连接；
所述PSRR增强电路的第三输出端与所述核心电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，丁宏亮，袁巍，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33